一种射频收发前端封装结构及系统

本发明的一个实施例公开了一种射频收发前端封装结构及系统,该封装结构包括：外壳,其中,所述外壳底部设置有金属热沉；设置于所述金属热沉上的散热垫片和基板,其中,所述散热垫片在所述金属热沉上的正投影与所述基板在所述金属热沉上的正投影不重叠；设置于所述散热垫片上的第一芯片,所述散热垫片用于对所述第一芯片进行散热；设置于所述基板上的第二芯片,所述基板用于实现所述外壳、所述第一芯片及所述第二芯片之间的电连接；与所述外壳对盒的盖板,所述外壳与所述盖板形成密闭腔体。

2021-11-02

访问量：35

一种半导体器件及其制备方法

本发明公开了一种半导体器件,包括多晶金刚石层,多晶金刚石层上覆盖单晶金刚石薄膜,单晶金刚石薄膜上依次堆叠介质层、缓冲层、势垒层和沟道层。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法,包括以下步骤：在原始衬底上形成有牺牲层；在牺牲层上形成多晶金刚石层；在籽晶层上形成单晶金刚石薄膜；将籽晶层和单晶金刚石薄膜倒置并键合到多晶金刚石层上；将籽晶层从单晶金刚石薄膜上分离；去除原始衬底和牺牲层；在临时衬底上形成缓冲层；在单晶金刚石薄膜上形成介质层,将单晶金刚石薄膜与缓冲层键合；去除临时衬底；在缓冲层上形成势垒层和沟道层。本发明改善散热性能和稳定性能,提高电学性能,改善器件良率,简化制备工艺,降低生产成本。

2021-11-02

访问量：39

热压成型的导热膜

本发明公开了热压成型的导热膜,涉及导热膜领域,本发明包括离型膜,离型膜的顶部设置有粘合层,粘合层的顶部设置有绝缘导热层,绝缘导热层的顶部设置有导热硅胶,导热硅胶的顶部设置有石墨烯层,石墨烯层的内部设置有微型铜管,本发明通过设置有微型铜管、导热硅胶层、陶瓷层、散热层、凹槽和散热鳍片,陶瓷层和石墨烯层配合使用,具有重量轻,热导系数高及可调整热膨胀系数等特点,其理化性能稳定,耐候性良好,可以满足尖端电子产品与高功率半导体晶片散热方案,石墨烯层的内部设置有微型铜管,有利于导热硅胶吸热汽化,实现快速导热,作用持续时间长,效果好,安全方便。

2021-11-02

访问量：41

散热盖及制作方法和芯片封装结构

本申请公开了一种散热盖及其制作方法和芯片封装结构,其中所述散热盖适用于芯片散热,包括盖体,盖体具有朝向芯片的内表面,内表面具有芯片区,芯片区和芯片之间设置有铟导热层,且内表面上环绕铟导热层外周侧涂覆特殊材料涂层,特殊材料涂层是指与熔融的铟导热层材料是非亲性的或者两者之间的接触角大于90°。本申请中通过盖体内表面涂覆特殊材料涂层,特殊材料涂层能够防止铟导热层在回流焊过程中向盖体内表面的四周扩散,进而避免溢流和串流造成的芯片和盖体内表面缺料空洞的问题,有利于提高良品率,同时加工简单,成本低。

2021-11-02

访问量：42

一种金属封装外壳及其制作方法

本发明公开了一种金属封装外壳及其制作方法,包括金属外壳本体,所述金属外壳本体底部平面上阵列式设置有若干通孔,所述通孔内设置有铜柱,所述金属外壳本体内部设置铜柱的底面上设置有LTCC基板电路,所述金属外壳本体的材料为钛合金,所述铜柱的材料为无氧铜,所述通孔为阵列式排布,阵列式排布的通孔所占区域的面积大于LTCC基板电路的面积。本发明通过采用TC4钛合金外壳本体上阵列式镶嵌高热导率无氧铜材料铜柱的结构使得本发明的钛合金封装外壳热膨胀系数与内部电路的匹配,可靠性高,且密度低、重量轻、成本低；本发明的制备方法的钎焊参数设置使得钎焊时铜柱与钛合金金属外壳本体的通孔之间焊缝强度高。

2021-11-02

访问量：36

热传导性树脂片、层叠散热片、散热性电路基板及功率半导体器件

本发明提供一种具有充分的耐电压性能且吸湿回流焊耐性优异的热传导性树脂片,所述热传导性树脂片由含有结晶性热塑性树脂和热传导性填料的树脂组合物构成,所述结晶性热塑性树脂具有300℃以上的熔点,所述热传导性填料中含有氮化硼凝聚粒子。另外,本发明的另一方式所涉及的热传导性树脂片由含有15质量％以上且40质量％以下的具有300℃以上的熔点的结晶性热塑性树脂、60质量％以上且85质量％以下的热传导性填料的树脂组合物构成,所述热传导性树脂片在25℃下的厚度方向的热传导率为5.0W/m·K以上。

2021-10-29

访问量：26

一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法

本发明涉及半导体技术领域。一种嵌埋式陶瓷基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤：步骤一,正面金属层以及背面金属层预处理；所述正面金属层包括至少两层金属片,至少两层金属片包括靠近瓷片的第一金属片,至少两层金属片中除了第一金属片的其余的金属片开设有至少一个上下贯穿的贯穿孔；步骤二,将正面金属层、瓷片以及背面金属层三者进行真空烧结。所述贯穿孔用于内嵌芯片。本专利通过在正面金属层上开设有贯穿孔,便于实现了对芯片的限位固定效果。相应的减薄了后期封装件的厚度。此外,可以实现芯片的热量从周向向外以及向下区域的金属层散热,大大的提高的散热范围。

2021-10-29

访问量：22

一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法

本发明公开了一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法。首先在键合有临时载体晶片的氮化镓刻蚀面上制备中间介质层保护薄膜；然后使用镀膜掩膜板在介质层薄膜表面刻蚀形成纳米深度的多孔或沟槽结构；在有多孔或沟槽结构的介质层薄膜表面沉积一层金刚石多晶薄膜,填满多孔或沟槽结构并覆盖介质膜；将金刚石多晶薄膜减薄抛光至平整表面并露出带有金刚石孔柱或沟槽结构的介质层薄膜,在其表面外延生长金刚石多晶膜衬底；最后去除临时载体晶片得到金刚石基氮化镓晶片,并在金刚石基氮化镓晶片上制备高电子迁移率晶体管。该方法在介质层薄膜中形成了金刚石导热通道,有效减少了因介质层引入带来的界面热阻,有利于提高氮化镓基功率器件使用性能。

2021-10-29

访问量：21

一种低界面热阻金刚石基氮化镓晶片材料的制备方法

本发明公开了一种低界面热阻金刚石基氮化镓晶片材料的制备方法,首先采用等离子体刻蚀处理金刚石多晶自支撑膜的形核层,并对其生长面精密抛光,得到氮化镓器件用金刚石多晶自支撑膜衬底；在该衬底抛光面表面沉积一层介质层薄膜,并对其真空退火处理；使用镀膜掩膜板通过刻蚀在介质层薄膜表面形成纳米深度的多孔或沟槽导热结构；在有多孔或沟槽结构的介质层薄膜表面外延生长一层金刚石多晶薄膜,填满多孔或沟槽结构并覆盖介质膜；将金刚石多晶薄膜减薄抛光加工至平整表面并显露出带有孔柱或沟槽结构的介质层薄膜；最后在该薄膜表面连接氮化镓晶片,得到金刚石基氮化镓晶片材料。该方法对于提高氮化镓功率器件的高频高功率使用性能具有显著意义。

2021-10-29

访问量：39

一种背通孔增强散热的氮化镓材料结构及其制备方法

本发明公开了一种背通孔增强散热的氮化镓材料结构及其制备方法,该结构自下而上依次包括衬底层,成核层,过渡层,缓冲层,沟道层,复合势垒层以及位于复合势垒层上的金属电极；其中,衬底层背面至复合势垒层上设有若干通孔；衬底层背面、通孔的内壁以及底部均设有互联金属层；通孔内还淀积有高热导率材料。本发明提供的背通孔增强散热的氮化镓材料结构由于采用背通孔内淀积高热导率材料的结构,既扩大了高热导率材料层和衬底之间传热的表面积,又通过高热导率材料增强了衬底散热,减小了器件的热阻,从而提高了器件的散热性能。

2021-10-26

访问量：25