传热部件及冷却系统

传热部件(1)用于将醇作为制冷剂的冷却系统。传热部件(1)具有：受热面(11),构成为接受来自发热体的热；以及散热面(12),构成为将在受热面(11)接受到的热向制冷剂散热。散热面(12)具有平均孔径为5nm以上且1000nm以下的多个细孔(121)。通过使制冷剂与传热部件(1)的散热面(12)接触,能够构成冷却系统。

2021-11-02

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半导体装置

半导体装置具备：负极金属板(40),与第1半导体元件(11)及第2半导体元件(12)双方对置配置；正极金属板(30),在与负极金属板之间配置有第1半导体元件的状态下与负极金属板对置配置；以及输出金属板(70),在与负极金属板之间配置有第2半导体元件的状态下与负极金属板对置配置。第2半导体元件的集电极电极与输出金属板电连接,发射极电极与负极金属板电连接。第1半导体元件的集电极电极与正极金属板电连接,发射极电极与输出金属板电连接,并且第1半导体元件通过第2绝缘基板(61)而与负极金属板在电绝缘的状态下热连接。

2021-11-02

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针对集成器件的射频损失减少

本公开的实施例涉及针对集成器件的射频损失减少。在绝缘体上半导体(例如,硅基)衬底上集成的射频(RF)器件中,可以通过增加RF器件的金属化结构(例如,传输线、触点或键合焊盘)附近(例如,下方和/或整体或部分包围)的半导体器件层的电阻率来减小RF损失。增加的电阻率可以例如通过离子注入或通过图案化器件层以创建断开连接的半导体岛来实现。

2021-11-02

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一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块

本发明公开了一种大电流PMOS管与驱动器三维集成模块,包括由上至下依次连接的驱动器电路层、细节距微凸点垂直传输层和大电流PMOS管电路层。在Z轴方向上集成了大电流PMOS管芯片和驱动器芯片,通过细节距微凸点垂直传输层实现二者的互联,能够通过外部的高低电平信号实现对射频组件中放大器的电源调制。本发明可应用于微波组件中各类放大器的电源调制方案中,具有高集成、小型化和低成本等优势。

2021-11-02

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半导体封装及其制造方法

本发明提供了一种半导体封装及其制造方法,包括：基板,包括围绕芯片安装区的多个阻挡结构；芯片,倒装焊接在芯片安装区上；第一密封剂,在芯片安装区上包覆芯片；第二密封剂,在基板上包覆第一密封剂。依照本发明的半导体封装及其制造方法,在基板上每个芯片周围采用阻挡结构防止湿气渗透、增强粘合力并同时防止密封剂溢流,从而有效地提高了封装的可靠性。

2021-11-02

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溢出式凸块封装结构及其制备方法

本发明的实施例提供了一种溢出式凸块封装结构及其制备方法,涉及半导体封装技术领域,该溢出式凸块封装结构包括基底芯片、布线组合层、金属凸块、第一介质层、导电胶膜层和第二介质层,第一介质层包覆在金属凸块周围,能够起到保护金属凸块免受水汽、离子污染、辐射或其他不利的环境,对金属凸块起到缓冲保护的作用。通过设置导电胶膜层,在实际热压焊时,导电胶膜层能够起到缓冲作用,避免应力影响导致的UBM以及RDL布线隐裂的问题,提升了器件的可靠性。并且导电胶膜层在受到压力后挤压至凹槽开口内,通过热压焊实现焊接,由于凹槽开口的容置作用,能够避免导电胶膜材料大量溢出至外部而导致桥接的问题。

2021-11-02

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扇入型半导体封装装置及其制造方法

本公开提供了扇入型半导体封装装置及其制造方法,通过设计芯片的导电柱和导电垫不重叠,即分开设计导电柱和导电垫,可以避免放置芯片的力量较大可能导致的线路断裂和脱层的问题；通过设计缓冲层,在后续将扇入型半导体封装装置设置到衬底(例如,基板、主板、印刷线路板等)的过程中,焊料凸块的应力可以通过缓冲层进行释放,进而减少焊料凸块断裂的风险,提高产品可靠性。

2021-11-02

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半导体封装装置及其制造方法

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法,通过设计半导体封装装置包括：基板,具有相对的第一表面和第二表面、第一部分及第二部分,其中,所述第一部分的杨氏模量大于所述第二部分的杨氏模量；芯片,埋设于所述第二部分内,所述第一部分设置于所述芯片和所述第一表面之间,所述第二部分设置于所述第一部分和所述第二表面之间。通过第一部分与第二部分的杨氏模量差,以使得埋设于第二部分的芯片在远离第一部分的一侧能够释放应力,进而降低应力积累造成芯片破裂的风险。

2021-11-02

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半导体封装及其制造方法

本发明提供了一种半导体封装及其制造方法,包括：基板,顶面具有多个基板焊盘；芯片,底面具有多个芯片焊盘；多个堆叠结构,每个堆叠结构包括凸块和焊球,分别将多个基板焊盘的一个与多个芯片焊盘的相对应一个电连接；多个第一柱体,在芯片底面的边缘处,与基板顶面上的多个对准标记或者多个第二柱体在竖直方向上对准；密封剂,包裹芯片、多个堆叠结构、多个第一柱体和/或多个第二柱体。依照本发明的半导体封装及其制造方法,在芯片底部设置定位柱体,与基板上的定位柱体结合使用,在回流焊接过程中有效地预防焊锡熔融过大,提高了焊接可靠性和对准精度。

2021-11-02

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金属互联结构及金属互联结构的键合方法

本发明提供了一种金属互联结构及金属互联结构的键合方法,包括：金属柱,所述金属柱包括一键合界面；第一键合层,所述第一键合层包覆所述金属柱,所述第一键合层采用二氧化硅材料；第二键合层,所述第二键合层环绕所述金属柱的键合界面设置,形成孤立的环形结构,所述第二键合层采用氮掺杂碳化硅材料。本发明提供的一种金属互联结构及金属互联结构的键合方法,采用氮掺杂碳化硅材料和二氧化硅同时作为键合层,在三维堆叠中两片晶圆或多片晶圆堆叠时,在能够满足芯片功能的情况下,既能满足键合强度要求,又能防止连接线铜的有害扩散,同时降低三维堆叠芯片工作时界面温度。

2021-11-02

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