半导体封装及其制造方法

本发明提供了一种半导体封装及其制造方法,包括：基板,包括围绕芯片安装区的多个阻挡结构；芯片,倒装焊接在芯片安装区上；第一密封剂,在芯片安装区上包覆芯片；第二密封剂,在基板上包覆第一密封剂。依照本发明的半导体封装及其制造方法,在基板上每个芯片周围采用阻挡结构防止湿气渗透、增强粘合力并同时防止密封剂溢流,从而有效地提高了封装的可靠性。

2021-11-02

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溢出式凸块封装结构及其制备方法

本发明的实施例提供了一种溢出式凸块封装结构及其制备方法,涉及半导体封装技术领域,该溢出式凸块封装结构包括基底芯片、布线组合层、金属凸块、第一介质层、导电胶膜层和第二介质层,第一介质层包覆在金属凸块周围,能够起到保护金属凸块免受水汽、离子污染、辐射或其他不利的环境,对金属凸块起到缓冲保护的作用。通过设置导电胶膜层,在实际热压焊时,导电胶膜层能够起到缓冲作用,避免应力影响导致的UBM以及RDL布线隐裂的问题,提升了器件的可靠性。并且导电胶膜层在受到压力后挤压至凹槽开口内,通过热压焊实现焊接,由于凹槽开口的容置作用,能够避免导电胶膜材料大量溢出至外部而导致桥接的问题。

2021-11-02

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扇入型半导体封装装置及其制造方法

本公开提供了扇入型半导体封装装置及其制造方法,通过设计芯片的导电柱和导电垫不重叠,即分开设计导电柱和导电垫,可以避免放置芯片的力量较大可能导致的线路断裂和脱层的问题；通过设计缓冲层,在后续将扇入型半导体封装装置设置到衬底(例如,基板、主板、印刷线路板等)的过程中,焊料凸块的应力可以通过缓冲层进行释放,进而减少焊料凸块断裂的风险,提高产品可靠性。

2021-11-02

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半导体封装装置及其制造方法

本公开提供了半导体封装装置及其制造方法,通过设计半导体封装装置包括：基板,具有相对的第一表面和第二表面、第一部分及第二部分,其中,所述第一部分的杨氏模量大于所述第二部分的杨氏模量；芯片,埋设于所述第二部分内,所述第一部分设置于所述芯片和所述第一表面之间,所述第二部分设置于所述第一部分和所述第二表面之间。通过第一部分与第二部分的杨氏模量差,以使得埋设于第二部分的芯片在远离第一部分的一侧能够释放应力,进而降低应力积累造成芯片破裂的风险。

2021-11-02

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半导体封装及其制造方法

本发明提供了一种半导体封装及其制造方法,包括：基板,顶面具有多个基板焊盘；芯片,底面具有多个芯片焊盘；多个堆叠结构,每个堆叠结构包括凸块和焊球,分别将多个基板焊盘的一个与多个芯片焊盘的相对应一个电连接；多个第一柱体,在芯片底面的边缘处,与基板顶面上的多个对准标记或者多个第二柱体在竖直方向上对准；密封剂,包裹芯片、多个堆叠结构、多个第一柱体和/或多个第二柱体。依照本发明的半导体封装及其制造方法,在芯片底部设置定位柱体,与基板上的定位柱体结合使用,在回流焊接过程中有效地预防焊锡熔融过大,提高了焊接可靠性和对准精度。

2021-11-02

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半导体结构及其制造方法

本公开提供的半导体结构及其制造方法,在混合键合后,先形成包覆芯片的临时支撑层,再于临时支撑层的基础上整体进行研磨,因研磨时有临时支撑层包围芯片的四周,可有效避免研磨时所产生的侧向剪应力,以避免芯片碎裂/剥落等问题的发生,有利于提高产品的良率。

2021-11-02

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纳米立方银焊膏、互连结构及焊接方法

本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法,纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成,具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm,纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能,形成超晶格结构,实现纳米立方银颗粒的紧密排列,经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好,连接层的孔隙率约为5％,剪切强度达到30Mpa以上,具有较高的剪切强度,能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单,便于工业化生产。

2021-11-02

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智能功率模块和智能功率模块的制造方法

本发明涉及一种智能功率模块和智能功率模块的制造方法,通过将发热量大的第一电子元件和发热量小的第二电子元件层叠设置,并在二者之间设置绝缘隔热片,以此有效的减小了电子元件的占用面积,理论上与现有技术相比,其占用面积可以最多缩小一半,因而可以有效的减少整个散热基板的体积实现其成本降低,且减小密封层的体积,进而使得整个IPM模块体积有效减小,从而在降低整个IPM模块材料成本的同时也更方便了IPM模块的应用。或者在与现有的IPM模块体积同等大小的情况下,可以将电子元件特别是发热量大的第一电子元件的面积增大,以增强其过电流能力,使得IPM模块的工作功率更高,从而增加了IPM模块的功率密度。

2021-10-29

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一种基板及其封装结构

本申请提供一种基板及其封装结构,该基板包括第一区域和第二区域,第二区域围绕第一区域设置,第一区域和第二区域内均设置有多个焊球,其中,第一区域内的焊球之间具有第一间距,第二区域内的焊球之间的间距具有小于第一间距的第二间距；第一区域内的焊球设置有通孔,以通过通孔实现讯号传输；第二区域内的焊球通过引线引出,以通过引线实现信号传输。采用本申请所提供基板可相对于以唯一间距的排布焊球的基板排布更多的焊球,以实现基板的小型化。

2021-10-29

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被嵌入在衬底中具有应力缓冲的裸片

本公开涉及一种封装,诸如晶片级芯片规模封装(WLCSP)或包含半导体裸片的封装,其中裸片被嵌入在由弹性体围绕的衬底内。封装包括在衬底和弹性体的表面上的非导电层以及导电层和延伸穿过这些层以在封装中形成电连接的导电过孔。封装包括导电材料的表面,该导电材料可以被称为接触件。导电材料的这些表面在封装的两侧上暴露并且允许封装被安装在电子器件内,并且使其他电子部件被耦合到封装、或允许封装被包括在半导体裸片或封装的堆叠配置中。

2021-10-29

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