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引线框架的
陶瓷铜电路基板及使用了其的半导体装置
本发明的陶瓷铜电路基板,其特征在于,其是具备陶瓷基板和设置于上述陶瓷基板上的铜电路部的陶瓷铜电路,其中,在与从上述陶瓷基板朝向上述铜电路部的第1方向平行的上述铜电路部的截面中,与上述第1方向平行的任意的线与多个铜晶粒交叉,与上述第1方向垂直的第2方向上的各个上述铜晶粒的端与上述线之间的上述第2方向上的多个距离的平均为300μm以下。
2021-11-02
访问量:39
半导体装置及其制造方法
本公开涉及一种半导体装置,包括:引线框;管芯,其利用第一焊料附接到引线框;夹片,其利用第二焊料附接到管芯,其中,夹片包括用于检查第二焊料的过量而布置的切口。
2021-11-02
访问量:28
用于半导体电路的装置
本发明公开一种用于半导体电路的装置,包括框架定位条和加强筋,框架定位条的一长侧边向外垂直延伸有多个引脚,各个引脚间隔设置,引脚的尾端具有用于固定在塑封体中的封装段,封装段包括朝框架定位条所在平面的下方弯曲设置的下沉段,且下沉段的端部向上翘曲设置;加强筋横跨各个引脚并连接,加强筋位于封装段与框架定位条之间。本发明技术方案,在MIPS注塑过程中,基板会由于引脚的端部为向上翘曲设置而呈倾斜状态的放置在模腔中,如此,减小了塑封材料在模腔中的阻力,平衡了基板上、下表面的塑封材料的填充满时间,保证模腔中的空气能从引脚与模具的间隙排除,避免了塑封外壳中产生气孔缺陷的情况,保证MIPS的产品质量。
2021-11-02
访问量:32
铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法
本发明涉及集成电路封装技术领域,特别是涉及一种铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法。本发明通过将铜质引线框架进行脱脂处理,使其被活化,使得能更好地进行微蚀处理,形成具有一定粗糙度和极高表面活性的外表面,然后进行电解氧化处理,并设定了电解氧化液的组成、电解氧化的电流密度以及处理温度,平衡了氧化反应和溶蚀反应,使得最终形成的氧化膜具有垂直交错的微观孔隙结构,较传统技术中棕化处理得到的相对平面化的微观粗化结构具备更好的表面粘合性能,从而使得表面处理后的铜质引线框架与塑料也能具备较好的结合力,能用于制备高气密性的塑料空腔封装体,在维持了良好气密性的前提下,有效降低了封装体的制造成本。
2021-11-02
访问量:43
用于逆变器的半桥模块、以及逆变器
本发明涉及一种用于逆变器(20)的半桥模块,包括基板、半导体开关元件、功率端子和信号端子,其中信号端子电连接至半导体开关元件,使得半导体开关元件能够藉由信号端子来切换,并且其中功率端子电连接至半导体开关元件,信号端子的外部端子触点和功率端子的外部端子触点从四个与第一平面正交的第二平面从模制料中延伸出来,并且至少信号端子的外部端子触点或功率端子的外部端子触点在模制料外具有第一直角弯曲部,使得信号端子的外部端子触点的端部和/或功率端子的外部端子触点的端部指向与第一平面的垂直线相同的方向。本发明还涉及一种对应的逆变器。
2021-10-29
访问量:60
形成内埋晶片结构的方法
本申请的实施例提供一种形成内埋晶片结构的方法,包括:提供芯片堆叠件,芯片堆叠件包括堆叠设置的第一芯片和第二芯片、以及位于第一芯片和第二芯片之间的散热层;将芯片堆叠件设置在引线框的第一开口中,芯片堆叠件的散热层接合至引线框。本发明的目的在于提供一种内埋晶片结构及其形成方法,以提高内埋晶片结构的散热性。
2021-10-29
访问量:28
一种背面先蚀的封装结构的封装工艺
本发明涉及一种背面先蚀的封装结构的封装工艺,先在金属基板的背面蚀刻出产品要求的外形尺寸,在背面蚀刻区域刷绝缘材料,直接在引线框制造时完成产品的外观制作,再在金属基板的正面时进行化学蚀刻,可以让封装单位直接省略背面蚀刻工序,为不能做金属蚀刻和没有条件刷绝缘材料的封装单位提供支持,符合当地的环保排放,保护环境的同时节省能源,拓展了封装单位的区域限制,促进了行业发展。
2021-10-26
访问量:24
一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板
本发明公开了一种应用在双面电极芯片的重布线方法及一种芯板,对铜支架进行双面蚀刻,形成通孔,将所述双面电极芯片安装在所述通孔处,第一绝缘层压合在所述双面电极芯片的上方,所述铜支架进行单边蚀刻,形成铜柱,第二绝缘层压合在所述双面电极芯片的下方,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相连接以形成第三绝缘层,对所述第三绝缘层进行双面蚀刻,形成设置在所述铜柱处的铜柱盲孔部和设置在所述双面电极芯片的芯片盲孔部,对所述铜支架盲孔部和所述芯片盲孔部进行电镀填孔,形成第一重布线层和第二重布线层,所述第一重布线层通过所述铜柱与所述第二重布线层连通,可以降低通孔的深度,来降低电镀填孔的难度,进而保证产品生产质量。
2021-10-26
访问量:31
半导体模块及其制造方法
本发明提供一种半导体模块及其制造方法,所述半导体模块包括一电路基板、至少一半导体晶片、数个插脚、数条导线以及封装结构。电路基板的表面具有一电路图案,半导体晶片位于所述电路基板的所述表面上,且上述插脚位于电路基板的所述表面上,每个插脚包括上插脚与下插脚,上插脚经由下插脚电性连接电路图案。导线分别连接半导体晶片与电路图案,封装结构则包封半导体晶片、导线、电路图案以及每个插脚的下插脚,其中封装结构的材料包括环氧树脂模塑料(EMC)。
2021-10-22
访问量:24
封装后的用于表面安装的可堆叠电子功率器件和电路装置
本公开涉及一种封装后的用于表面安装的可堆叠电子功率器件和电路装置。用于表面安装的功率器件具有引线框架,引线框架包括管芯附接支撑件以及至少一个第一引线和一个第二引线。半导体材料的管芯被键合到管芯附接支撑件,并且绝缘材料和平行六面体形状的封装件包围管芯并且至少部分地包围管芯附接支撑件并且具有封装件高度。第一引线和第二引线具有在封装件外部、从封装件的两个相对侧表面延伸的外部部分。引线的外部部分具有大于封装件高度的引线高度,贯穿封装件高度延伸并且具有从第一基部突出的相应部分。
2021-10-22
访问量:23
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使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
薄膜或厚膜器件
不包含在H01L27/00至H01L47/00和H01L51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
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体负阻效应器件,例如耿氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
固态行波器件
无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
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专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
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磁场控制的电阻器
霍尔效应器件
霍尔效应器件的
零部件
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
专门适用于组装、制造或处理磁致伸缩器件或其部件的方法或设备
有机材料
通过烧结
通过熔融
无机材料
复合材料
形成压电或电致伸缩材料
通过冲压
通过切割或划线
通过抛光或磨削
通过机械加工
通过模制或挤压
通过刻蚀,例如光刻
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