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引线位于绝缘衬底上的
陶瓷铜电路基板及使用了其的半导体装置
本发明的陶瓷铜电路基板,其特征在于,其是具备陶瓷基板和设置于上述陶瓷基板上的铜电路部的陶瓷铜电路,其中,在与从上述陶瓷基板朝向上述铜电路部的第1方向平行的上述铜电路部的截面中,与上述第1方向平行的任意的线与多个铜晶粒交叉,与上述第1方向垂直的第2方向上的各个上述铜晶粒的端与上述线之间的上述第2方向上的多个距离的平均为300μm以下。
2021-11-02
访问量:39
一种射频收发前端封装结构及系统
本发明的一个实施例公开了一种射频收发前端封装结构及系统,该封装结构包括:外壳,其中,所述外壳底部设置有金属热沉;设置于所述金属热沉上的散热垫片和基板,其中,所述散热垫片在所述金属热沉上的正投影与所述基板在所述金属热沉上的正投影不重叠;设置于所述散热垫片上的第一芯片,所述散热垫片用于对所述第一芯片进行散热;设置于所述基板上的第二芯片,所述基板用于实现所述外壳、所述第一芯片及所述第二芯片之间的电连接;与所述外壳对盒的盖板,所述外壳与所述盖板形成密闭腔体。
2021-11-02
访问量:35
一种存储芯片封装结构及其加工工艺方法
本发明涉及存储芯片封装技术领域,尤其是指一种存储芯片封装结构及其加工工艺方法,该存储芯片封装结构,包括封装基板,及设于所述封装基板上的SMD元件;所述封装基板的上表面设有存储器和控制器,所述封装基板的下表面设有若干个锡球;所述封装基板位于所述SMD元件的位置设有通孔,所述SMD元件嵌设于所述通孔内、且SMD元件的下端突出于所述通孔。本发明通过将传统SMD元件的上表面焊接优化成下沉式焊接,将部分SMD元件本体嵌入并焊接到封装基板内部,从而将内部功能器件最高点位置由SMD元件最高点转移到金线的最高点,从而达到存储芯片整体封装厚度减薄的目的。
2021-11-02
访问量:27
半导体封装及其制造方法
本发明提供了一种半导体封装及其制造方法,包括:基板,包括围绕芯片安装区的多个阻挡结构;芯片,倒装焊接在芯片安装区上;第一密封剂,在芯片安装区上包覆芯片;第二密封剂,在基板上包覆第一密封剂。依照本发明的半导体封装及其制造方法,在基板上每个芯片周围采用阻挡结构防止湿气渗透、增强粘合力并同时防止密封剂溢流,从而有效地提高了封装的可靠性。
2021-11-02
访问量:28
半导体封装装置及其制造方法
本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括第一线路层和第二线路层;第一线路层设置有导电垫,第二线路层设置有导电孔,导电垫和导电孔接合,导电孔在与导电垫的接合处具有外扩部分。该半导体封装装置利用导电垫对激光或者等离子体的反射作用,在导电孔和导电垫的接合处形成外扩部分,扩大了导电孔底部的直径,增大了孔底部与导电垫的接触面积,提高了孔底部的结构强度,能够有效避免断裂发生,有利于提高产品良率。
2021-11-02
访问量:20
半导体封装装置及其制造方法
本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括:基板,具有第一表面;线路层,设置于第一表面,具有远离第一表面的第二表面;通孔,连通第一表面和第二表面,在第二表面具有开口,通孔的侧壁设置有第一种子层,第二表面延开口设置有第二种子层,第一种子层和第二种子层在开口处接合,第一种子层的厚度大于第二种子层的厚度。可降低通孔开口处种子层的肩凸高度,进而改善镀铜制程产生空洞现象的问题。
2021-11-02
访问量:22
半导体封装装置及其制造方法
本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括:第一线路层;第二线路层;电容器,位于第一线路层和第二线路层之间并且与第一线路层和第二线路层电连接,电容器的杨氏模量大于第二线路层的杨氏模量。该半导体封装装置有利于提高半导体封装装置的抗翘曲能力,减小半导体封装装置受热时出现的翘曲程度,进而提高产品良率。
2021-11-02
访问量:21
半导体封装装置及其制造方法
本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括:基板,具有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面和所述第二表面之间具有至少两个导电层,所述至少两个导电层中相邻两个导电层之间具有第一绝缘层,其中一导电层对应设置有一开口;导孔,穿过所述开口,所述导孔的外壁与所述开口的边缘之间设置有绝缘层。通过在导孔的外壁与开口的边缘之间设置绝缘层,减少导孔在实际制程中因对位误差导致与导电层发生电连接的问题。
2021-11-02
访问量:22
一种均衡端子电流分配的功率模块
本发明涉及功率模块领域,公开了一种均衡端子电流分配的功率模块,其技术方案要点是对应装配连接的壳体、覆铜基板、铜底板以及功能功率端子,所述功能功率端子包括正极功率端子、负极功率端子、交流功率端子,所述功能功率端子包括对应连接的端子体部、若干端子头部和若干端脚,根据电阻计算方法,设置每一个端脚到对应端子头部的距离,同时设置对应于端脚的端子体部的区域的厚度,使得流入所述端子头部的电流均等的从每个所述端脚流出,均流后的功能功率端子增加了功率模块的输出能力,提高了功率模块的工作稳定性。
2021-11-02
访问量:25
半导体设备封装和其制造方法
提供了一种半导体设备封装和用于制造所述半导体设备封装的方法。所述半导体设备封装包含第一衬底、第二衬底和互连件。所述第二衬底布置在所述第一衬底上方并且具有开口。所述互连件穿过所述开口并且连接到所述第一衬底和所述第二衬底。
2021-11-02
访问量:28
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技术分类
专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备
材料选择
器件的零部件
专门适用于光发射的,如有机发光二极管或聚合物发光器件
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器件的零部件
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材料的选择
器件的零部件
专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
薄膜或厚膜器件
不包含在H01L27/00至H01L47/00和H01L51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
耿氏效应器件
体负阻效应器件,例如耿氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
固态行波器件
无电位跃变势垒或表面势垒的,专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件,例如介电三极管;奥氏效应器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
用于霍尔效应器件的
专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
材料的选择
磁场控制的电阻器
霍尔效应器件
霍尔效应器件的
零部件
应用电—磁或者类似磁效应的器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
专门适用于组装、制造或处理磁致伸缩器件或其部件的方法或设备
有机材料
通过烧结
通过熔融
无机材料
复合材料
形成压电或电致伸缩材料
通过冲压
通过切割或划线
通过抛光或磨削
通过机械加工
通过模制或挤压
通过刻蚀,例如光刻
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