反熔丝阵列的版图结构

本申请实施例提供一种反熔丝阵列的版图结构,所述反熔丝阵列的版图结构至少包括：阵列电路区和功能电路区；所述阵列电路区与所述功能电路区电连接；所述功能电路区位于所述阵列电路区的至少一侧,且所述阵列电路区的至少一侧位于所述版图结构的边缘；所述阵列电路区包括由反熔丝单元构成的反熔丝阵列,所述阵列电路区用于向所述功能电路区提供不同列地址下的反熔丝单元；所述功能电路区用于对所述不同列地址下的反熔丝单元执行熔断操作。

2021-10-29

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熔断开关、熔断控制结构以及熔断系统

本申请涉及一种熔断开关、熔断控制结构以及熔断系统,熔断开关包括顶层导体层、底层导体层、至少一层中间导体层以及多个导体线；各层中间导体层均夹设于顶层导体层和底层导体层之间；与顶层导体层最近邻的中间导体层与顶层导体层之间形成有间隙；各层中间导体层之间形成有间隙；与底层导体层最近邻的中间导体层与底层导体层之间形成有间隙；各层中间导体层上开设有通槽；各间隙内设置有至少一个导体线,导体线用于连通间隙两侧的导体层,通过本申请的熔断开关的多层结构可以使得熔断开关因电流或电压发热时容纳更多的应力,中间导体层上开设的通槽可缓冲应力,靠近底层导体层不易产生应力,避免熔断开关在熔断时产生的应力破坏半导体元器件。

2021-10-22

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集成电路及其制造方法

揭露一种集成电路及其制造方法。集成电路包含晶体管、第一熔丝元件及第二熔丝元件。晶体管形成于第一导电层中。第一熔丝元件形成于设置于第一导电层上方的第二导电层中。第二熔丝元件形成于第二导电层中且耦接至第一熔丝元件。晶体管经由第一熔丝元件耦接至用于接收第一数据信号的第一数据线,且晶体管经由第二熔丝元件耦接至用于接收第二数据信号的第二数据线。

2021-10-22

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半导体装置及其制造方法

本发明提供一种半导体装置及其制造方法,在进行修调时修调元件的周边受到损伤的情况下,能够在制造工序中的试验中进行排除,从而能够提高质量。包括以下工序：在半导体基板(1)的内部或者上方形成熔断电阻(3)；在熔断电阻(3)上形成绝缘膜(4)；在绝缘膜(4)上形成经由贯通绝缘膜(4)的第一接触区(5a)来与熔断电阻(3)的一端连接的第一布线(6a)；在绝缘膜(4)上形成经由贯通绝缘膜(4)的第二接触区(5b)来与熔断电阻(3)的另一端连接的第二布线(6b)；对熔断电阻(3)进行修调；以及在进行修调的工序之后,进行半导体基板(1)与第一布线(6a)或者第二布线(6b)之间的绝缘状态的试验。

2021-10-22

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反熔丝单元及反熔丝阵列

本发明涉及一种反熔丝单元及反熔丝阵列,反熔丝单元包括反熔丝器件和二极管；反熔丝器件的正极与位线电连接,反熔丝器件的负极与二极管的正极电连接,二极管的负极与字线电连接。通过上述技术方案,去除了反熔丝单元中晶体管的部分,使得在考虑编程效率时不需要再考虑选择晶体管宽度与尺寸小型化之间的矛盾,二极管的使用使得反熔丝单元的结构变得简单,且尺寸能够达到更小的程度,反熔丝阵列紧凑的排布也能够令反熔丝阵列进一步的小型化。

2021-10-12

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反熔丝单元及反熔丝阵列

本发明涉及一种反熔丝单元,包括：反熔丝器件；第一选择晶体管,与反熔丝器件电连接；第二选择晶体管,第二选择晶体管与第一选择晶体管电连接；反熔丝器件、第一选择晶体管、第二选择晶体管具有相同厚度的栅极氧化层和栅极导电层。在进行反熔丝测试时第一选择晶体管和第二选择晶体管可以分压,因此第一选择晶体管和第二选择晶体管内部的栅极氧化层能够做的薄一些,与反熔丝器件内的栅极氧化层厚度一致,因此三者的栅极氧化层可以在同一步骤中同步生成,同理三者的栅极导电层也能够在同一步工艺中生成,避免了因为栅极氧化层厚度不一样导致的工艺复杂化,在满足反熔丝单元承受较高击穿电压的同时简化了工艺步骤提高了生产效率。

2021-10-12

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反熔丝器件及反熔丝单元

本发明涉及一种反熔丝器件,反熔丝器件包括：衬底；反熔丝栅极,反熔丝栅极部分嵌入衬底内,反熔丝栅极嵌入衬底内的部分具有尖角；反熔丝栅氧化层,反熔丝栅氧化层位于反熔丝栅极与衬底之间。令反熔丝栅极和反熔丝栅氧化层在衬底内部均具有尖角,使得反熔丝器件有了多个尖端放电点,更加容易被击穿,有了多个击穿点使得同一批次生产的反熔丝器件的均匀性更好,提高了一批次产品性能的一致性,弯折的反熔丝栅氧化层有效面积更大,因此使得反熔丝器件能够以更小的尺寸获得更大的反熔丝栅氧化层面积,有利于反熔丝器件的小型化。

2021-10-12

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反熔丝单元结构及反熔丝阵列

本发明涉及一种反熔丝单元结构及反熔丝阵列。所述反熔丝单元结构包括基底、反熔丝器件和选择晶体管。其中所述反熔丝器件形成于所述基底中,包括第一栅极结构、第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区,其中所述第一栅极结构与所述第一漏极掺杂区电连接。所述选择晶体管形成于所述基底中,与所述反熔丝器件匹配设置,包括第二栅极结构、第二源极掺杂区和第二漏极掺杂区,其中所述第二漏极掺杂区与所述第一源极掺杂区电连接。

2021-10-12

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一种具有失效分断功能的TVS防护器件

本发明公开一种具有失效分断功能的TVS防护器件,包括封装外壳,封装外壳的中心封装有包括双向芯片组,双向芯片组包括位于第一TVS芯片以及第二TVS芯片,第一TVS芯片焊接有第一基岛,第一基岛通过第一熔断接线连接第一引线架,第二TVS芯片焊接有第二基岛,第二基岛通过第二熔断接线连接第二引线架,第一熔断接线连接第一基岛与第一接线架,第二熔断接线连接第二基岛与第二接线架,第一熔断接线与第二熔断接线的最大通过容量略小于TVS芯片的烧毁能量,在通过TVS芯片的能量超出TVS芯片的承受力之前熔断断开电路,保证了本器件既不会出现短路失效模式也不会出现炸裂等危险情况,可靠性高,安全性好。

2021-10-08

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电熔丝结构及其形成方法

一种电熔丝结构及其形成方法,所述电熔丝结构包括一种电熔丝结构,所述电熔丝结构包括：熔丝链,包括熔断区和沿熔断区延伸方向位于熔断区两侧的电极区；分别与所述电极区连接的多个分立的插塞,各插塞在熔断区的宽度方向上的尺寸大于所述电极区在熔断区的宽度方向上的尺寸。上述的方案,可以提升电熔丝结构的性能。

2021-09-28

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