半导体结构及其形成方法

方法包括形成第一介电层；形成包括延伸至第一介电层中的第一通孔的第一再分布线,以及位于第一介电层上方的第一迹线；形成覆盖第一再分布线的第二介电层；以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括在第二介电层中形成第二通孔,并且在第二通孔上方形成接触第二通孔的导电焊盘；以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块,并且导电焊盘的第一中心从导电凸块的第二中心偏离。第二通孔从导电凸块的第二中心偏离更远。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

2021-11-02

访问量：19

半导体结构及其形成方法

方法包括形成第一介电层,形成第一再分布线,第一再分布线包括延伸至第一介电层中的第一通孔和位于第一介电层上方的第一迹线,形成覆盖第一再分布线的第二介电层,以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括将导电材料沉积至通孔开口中以在第二介电层中形成第二通孔,以及在第二通孔上方并接触第二通孔的导电焊盘,以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块,并且第二通孔从导电凸块的中心线偏离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

2021-11-02

访问量：16

多芯片封装件及其制造方法

本发明公开一种多芯片封装件及其制造方法。多芯片封装件包括：中介层,包括介电主体、被所述介电主体隔开的多个半导体主体、贯穿所述介电主体的贯穿通路以及位于所述多个半导体主体中的每一者中的布线结构；多个半导体芯片,并排地位于所述中介层的第一表面上且电连接至所述布线结构；包封体,位于所述中介层的所述第一表面上且包封所述多个半导体芯片的至少部分；以及重配置线路结构,位于所述中介层的第二表面上,所述中介层的所述第二表面与所述中介层的所述第一表面相对,所述重配置线路结构通过所述贯穿通路电连接至所述多个半导体芯片。

2021-10-29

访问量：35

互连结构和包括该互连结构的半导体封装件

提供互连结构和包括该互连结构的半导体封装件。互连结构包括介电层和介电层中的布线图案。布线图案包括过孔主体、与过孔主体竖直地重叠的第一焊盘主体以及从第一焊盘主体延伸的线主体。过孔主体、第一焊盘主体和线主体彼此一体地连接,并且第一焊盘主体的底表面的水平低于线主体的底表面的水平。

2021-10-29

访问量：31

电子装置及其制作方法

本揭露提供一种电子装置及其制作方法。电子装置包括电路结构层、封装结构、电子元件以及多个功能元件。电路结构层具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧。封装结构设置于电路结构层的第一侧上。电子元件嵌入或被包覆于封装结构中。多个功能元件设置于电路结构层的第二侧上。多个功能元件通过电路结构层与电子元件电性连接。本揭露提供的电子装置,其可为无边框设计或具有较大的功能区。

2021-10-29

访问量：41

用于三维存储器的接触结构

公开了3D存储结构以及用于形成3D存储结构的方法的实施例。所述制作方法包括在衬底上布置交替的电介质堆叠,其中,所述交替的电介质堆叠具有在彼此顶部交替地堆叠的第一电介质层和第二电介质层。接下来,可以在交替的电介质堆叠中形成多个接触开口,以便可以在所述多个接触开口中的至少一个接触开口内部露出电介质层对。所述方法还包括：通过利用导电层代替第二电介质层来形成具有交替的导电层和电介质层的膜堆叠；以及形成接触结构,以接触在具有交替的导电层和电介质层的膜堆叠中的导电层。

2021-10-29

访问量：18

半导体结构及其制造方法

一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一第一阶梯状结构、一第二阶梯状结构、一导电柱与一接触柱。第一阶梯状结构包括多个导电阶梯层。导电柱穿过第二阶梯状结构。导电柱具有相对的一上导电柱端部与一下导电柱端部。接触柱电性连接在多个导电阶梯层的一导电阶梯层上。接触柱具有相对的一上接触端部与一下接触端部。上接触端部与下接触端部分别电性连接至导电柱的上导电柱端部与该一导电阶梯层。利用本发明,能提升装置的操作效率。

2021-10-26

访问量：27

半导体存储器元件及其制备方法

提供一种半导体存储器元件及其制备方法。半导体存储器元件具有一基底、一绝缘组件、一栅极结构、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一位元线、一气隙、一电容栓塞以及一着陆垫；绝缘组件界定出一主动区在基底中,绝缘组件具有一第一P型离子浓度；栅极结构设置在基底中；第一掺杂区位在主动区中的栅极结构的一第一侧处；第二掺杂区位在主动区中的栅极结构的一第二侧处；位元线位在第一掺杂区上；气隙位在邻近位元线处；电容栓塞设置在第二掺杂区上,且一阻障层位在电容栓塞的一侧壁上；着陆垫位在电容栓塞的一突出部上；着陆垫包括一第一硅化物层以及一第二硅化物层,第一硅化物层设置在电容栓塞的一突出部上,第二硅化物层设置在阻障层的一侧壁上。

2021-10-26

访问量：40

集成电路芯片及其形成方法

本发明的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片,包括倒置并覆盖在凹入半导体衬底顶部的介电区上的半导体器件。互连结构覆盖在半导体衬底和介电区上,还包括金属间介电(IMD)层。IMD层接合到半导体衬底顶部并容纳焊盘。半导体层覆盖在互连结构上,并且半导体器件在半导体层中并位于半导体层与互连结构之间。半导体器件包括第一源极/漏极电极,第一源极/漏极电极覆盖在介电区上,并且进一步覆盖在焊盘上并电耦合到焊盘。介电区可减小衬底电容以降低衬底功率损耗,例如,介电区可以是腔或介电层。接触件穿过半导体层延伸至焊盘。本发明的各种实施例还涉及形成集成电路芯片的方法。

2021-10-26

访问量：49

封装结构及其制造方法

提供一种封装结构和一种用于制造封装结构的方法。所述封装结构包含第一导电结构和第二导电结构。所述第一导电结构包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层。所述第二导电结构接合到所述第一导电结构。所述第二导电结构包含至少一个电介质层和与所述电介质层接触的至少一个电路层。所述第一导电结构的所述电路层的分布密度大于所述第二导电结构的所述电路层的分布密度。所述第二导电结构的大小小于所述第一导电结构的大小。

2021-10-26

访问量：23