本发明涉及一种半导体结构、电子设备和方法,包括：布线层,所述布线层包括金属布线；位于所述布线层上的屏蔽层,所述屏蔽层包括一个或多个屏蔽区域,各屏蔽区域覆盖其下方与其对应的金属布线,所述屏蔽区域经由通孔电连接金属布线。通过在布线层上沉积形成屏蔽层,并将最终布线层与接地焊盘相连,能够最大化遮蔽效果,最小化α粒子产生的软错误率,提高产品的稳定性和性能,不用再次执行系统或信号处理,减少消除软错误所需的时间。