防静电荷或放电的保护装置,例如法拉第防护屏
基板及显示面板
本申请公开一种基板及显示面板。所述基板包括衬底、信号线、静电防护器件以及公共电极线。其中,静电防护器件包括多个交替排布的第一半导体和第二半导体,相邻的所述第一半导体和所述第二半导体接触连接,所述第一半导体和所述第二半导体的类型不同。且在所述第一半导体和所述第二半导体交替排布延伸的方向上,所述静电防护器件具有首端和尾端,所述信号与所述首端连接,所述公共电极线与所述尾端连接。本申请提供的静电防护器件的尺寸很小,利于实现显示面板的窄边框。

2021-11-02

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一种半导体绝缘导热器件结构及制备方法
本发明公开了一种半导体绝缘导热器件结构及制备方法,涉及半导体器件技术领域,包括外壳主体,外壳主体为矩形箱状,外壳主体的前后两侧中间位置壁面均固定安装有橡胶圈,橡胶圈为橡胶圈状,且外壳主体的前后两侧中间位置壁面对应橡胶圈的位置均开设有圆形孔洞,外壳主体前后两侧壁面上圆形孔与橡胶圈的大小相互对应,前侧一组橡胶圈的前端设置有接入连接柱,该半导体绝缘导热器件结构,当接入连接主和输出连接柱发生断裂时,通过拆解对应位置的接入主活动套和接入次活动套、输出次活动套和输出主活动套从而使接入连接主和输出连接柱进行拆除,从而达到方便更换安装连接导线的效果,避免了浪费的情况发生。

2021-11-02

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一种新型的面板级封装方法及结构
本发明一种新型的面板级封装方法:步骤1,提供一张载体;步骤2,在载体表面形成一层可剥离层,可剥离层上覆盖第一金属层;步骤3,第一金属层与第二金属层互相电导通,或者第一金属层与第三金属层互相电导通;步骤4,在第一金属层表面形成多个金属基岛,以及金属基岛之间的导电引线,导电引线与四面包围导体实现电互联;步骤5,一部分金属基岛上设置芯片,另一部分金属基岛上设置芯片电极的引出承接盘;步骤6,导电引线的主连接线部分,设置在产品切割道上;步骤7,在第一金属层表面,进行面板级塑封;步骤8,在塑封料表面压上一层第四金属层,第四金属层与四面包围导体电连接,形成静电屏蔽笼,保护芯片的安全。

2021-10-29

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发光二极管元件
一种发光二极管元件,包含:第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘,第一边缘和第三边缘相对,第二边缘和第四边缘相对;基板;半导体叠层,位于基板上,半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及活性层形成在其间;第一电极,形成在第一半导体层上并与第一半导体层电连接,包含第一焊盘电极相邻于第一边缘与第二边缘相交的角落;以及第二电极,形成在第二半导体层上并与第二半导体层电连接,包含第二焊盘电极以及第二指状电极从第二焊盘电极朝向第二边缘延伸;第一边缘和第三边缘比第二边缘和第四边缘长;由上视观之,第二指状电极不平行于第一边缘和第三边缘,第二指状电极与第一边缘之间距随着第二指状电极延伸远离第二焊盘电极而增加。

2021-10-26

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静电放电电路及其控制方法、电源开关电路
本发明的实施例提供一种静电放电电路包括:NMOS晶体管的串接,包括可操作地串接到第二NMOS晶体管的第一NMOS晶体管;第一单栅氧化层静电放电控制电路,耦合到第一NMOS晶体管并配置成在静电放电事件期间导通第一NMOS晶体管,第一单栅氧化层控制电路耦合到第一NMOS晶体管在第一电压处的总线和第二电压的第一节点;第二单栅氧化层静电放电控制电路,其可操作地耦合到第二NMOS晶体管并且被配置为在静电放电事件期间导通第二NMOS晶体管并且在正常操作期间关断第二NMOS;和分压电路,可操作地连接到第一电压的第一总线和接地电压的第二总线。

2021-10-22

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静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法
本申请涉及静电放电保护装置和形成静电放电保护装置的方法,提供一种静电放电(ESD)保护装置,包括具有设置于其中的导电区域的基板,设置在导电区域内的第一终端区域和第二终端区域,以及场分布结构。所述场分布结构可包括设置在位于第一终端区域和第二终端区域之间的导电区域内的中间区域,设置在中间区域上方的隔离元件,设置在隔离元件上方的第一导电板和第二导电板。第一导电板可电性连接第一终端区域,而第二导电板可电性连接第二终端区域。

2021-10-22

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一种新型可替换的TVS的单层金属版图结构
本发明提供一种新型可替换的TVS的单层金属版图结构。在低电容导向二极管型TVS阵列或者多通道多引脚的ESD防护设计中,该版图将各模块合理的排布在相应区域内,利用单层金属连接形成完整的信号通路,达到低成本的单层金属布局结构的同时优化了电流分布,减小了版图面积,同时降低了芯片生产成本,提高了器件鲁棒性。

2021-10-22

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半导体封装件及其制造方法
半导体封装件可以包括:磁性层,所述磁性层包括具有预定的面积的内侧部及位于所述内侧部的外围的外侧部;下部聚合物层,设置于所述磁性层的下侧;以及切割面,通过所述磁性层及所述下部聚合物层的端部形成,沿所述磁性层及所述下部聚合物层的层叠方向延伸。在所述磁性层的所述外侧部的至少一部分中,包括朝向所述层叠方向的下侧倾斜的倾斜面,朝向所述层叠方向的厚度可以大于朝向所述内侧部的所述层叠方向的厚度。

2021-10-22

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显示面板及其制作方法、显示装置
本申请涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板包括:基底,包括显示区域和至少部分围绕所述显示区域的非显示区域;裂纹阻挡结构,设置在所述非显示区域的所述基底上,所述裂纹阻挡结构包括多个彼此间隔布置的阻挡槽,每个所述阻挡槽露出围绕所述显示区域的所述基底;静电释放走线,至少设置在至少一个所述阻挡槽露出的所述基底上,静电释放走线在围绕所述显示区域的方向上均与所述基底直接接触,且所述静电释放走线上的电位在预设范围内,能够将基底积累静电释放。

2021-10-19

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半导体装置
提供一种半导体装置,其具备:半导体基板;温度感测部,其设置于半导体基板的正面;阳极焊盘和阴极焊盘,其与温度感测部电连接;正面电极,其被设定为预先确定的基准电位;以及双向二极管部,其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。双向二极管部在正面可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。

2021-10-01

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