本发明提供一种制造半导体器件的方法,该方法包括：在基板上形成三维(3D)结构；形成吸附控制层以覆盖3D结构的上部分；以及在吸附控制层上和在3D结构的没有被吸附控制层覆盖的下部分上形成材料层,其中在吸附控制层上的材料层的最小厚度小于在3D结构的下部分上的材料层的最大厚度。