本发明涉及半导体照明领域,公开了一种LED外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法,LED外延结构包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及p型接触层,p型接触层从下至上依次设置的p型GaN层、p型In-(a)Ga-(1-a)N层、p型Al-(b)In-(c)Ga-(1-b-c)N层和MgN层；其中,0<a<1,0<1-a<1,0<b<1,0<c<1,0<1-b-c<1。本发明中的LED外延结构中的p型接触层可以提升与p电极的欧姆接触效果,降低欧姆接触电阻,有利于多量子阱发光层的光子溢出,从而提升发光二极管的光电特性；有利于电流扩散,提升发光二极管的抗静电能力。

本发明涉及光电半导体领域,特别涉及一种基于局域表面等离激元耦合增强的MIS结构的超快micro-LED及其制备方法。所述micro-LED自下而上依次包括衬底、缓冲层、氮化镓层、p型有源层、绝缘层、电流扩展层以及金属纳米颗粒结构；金属纳米颗粒结构表面设有延伸至p型有源层表面的开口,以使p型有源层表面形成外露区域,外露区域表面设有p型欧姆接触电极,金属纳米颗粒结构的表面设有n型欧姆接触电极。本发明提供的micro-LED能够有效提高器件的载流子复合速率和复合效率,且有效载流子寿命减小,使该器件的调制带宽大大增加,这将扩展该micro-LED在光通信中的应用。

本发明涉及一种发光二极管、外延结构及其制作方法。该发光二极管外延结构,通过设置量子阱准备层,且量子阱准备层包括第一交替生长层和第二交替生长层,均通过氮化镓和氮化铟镓交替生长,从而有效的改善了高铟组分下氮化铟镓量子阱的晶体质量,提升了发光效率,并进一步改善了光分布的均匀性。

本发明涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种超晶格结构、LED外延结构、显示装置及其生产方法,该超晶格结构包括：至少两个依次层叠生长的超晶格单元；每个超晶格单元均包括依次层叠生长的第一n型GaN层、第二n型GaN层、第一n型GaInN层以及第二n型GaInN层；其中,第一n型GaN层沿生长方向的掺杂浓度固定,第二n型GaN层沿生长方向的掺杂浓度逐渐增大,第一n型GaInN层沿生长方向的掺杂浓度逐渐减小,第二n型GaInN层沿生长方向的掺杂浓度固定；本发明外延结构中的应力能在生产过程中得到有效地释放,故其能减少因应力的作用而导致n型GaN层与衬底之间的位错,有效地保证了LED的发光性能。

本发明涉及一种可寻址纳米LED发光显示阵列结构及其制备方法,该结构包括纳米LED发光像元阵列以及像元与像元独立部分之间的隔离区域,所述纳米LED发光像元包括纳米LED发光像元阵列共用的衬底、n型半导体层和公共n接触电极,以及各个纳米LED发光像元独立的多量子阱、p型半导体层和p接触电极,所述多量子阱、p型半导体层和p接触电极自下而上依次层叠在n型半导体层上,所述公共n接触电极从n型半导体层引出,所述像元与像元独立部分之间的隔离区域包括为使其不能发光而被破坏的多量子阱结构,以及具有高电阻率的p型半导体层。该结构及其制备方法简化了制备工艺流程,可以减少刻蚀工艺中可能会产生的边缘效应和尺寸效应。

本发明提供一种磊晶结构及微型发光元件。磊晶结构包括量子井结构、第一型半导体层以及第二型半导体层。量子井结构具有彼此相对的上表面与下表面,且包括交替堆叠的至少一量子井层与至少一量子阻障层。量子井层中包括至少一图案化层,且图案化层包括多个几何图案。第一型半导体层配置于量子井结构的下表面上。第二型半导体层配置于量子井结构的上表面上。本发明的磊晶结构具有较佳的良率与品质,而本发明的微型发光元件,其包括上述的磊晶结构,可具有良好的光电特性及可靠度。

本发明涉及一种倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法,LED芯片包括LED外延片以及p电极(101)和n电极(102),LED外延片包括依次叠加的n型半导体层(204)、发光层(205)、电子阻挡层(206)和p型半导体层(207),p型半导体层(207)具有不在同一水平面上的p第一结构表面(311)、p第二结构表面(312)和p第三结构表面(313),p第一结构表面(311)、p第二结构表面(312)和p第三结构表面(313)上均设置有由n型半导体材料制成的隧穿结(601)。其通过优化p型半导体层结构,能减少p型高铝组分氮化物对紫外光的吸收,提升亮度；通过加入隧穿结,能降低工作电压。

本发明提供了一种紫外半导体发光元件,从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、老化漏电控制层、量子阱层以及p型半导体层,其中所述老化漏电控制层为第一结构层与第二结构层组成的超晶格结构。本发明通过在n型半导体层和量子阱层之间增加具有超晶格结构的老化漏电控制层,能够改善紫外半导体发光元件的老化漏电性能。