本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

本公开提供了一种具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片,属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；所述AlN模板层远离所述衬底的表面具有多个第一极性区域和多个第二极性区域,所述第一极性区域和所述第二极性区域沿同一方向交替分布,所述第一极性区域呈铝极性,所述第二极性区域呈氮极性。本公开实施例能够促进载流子的辐射复合,极大地提升了深紫外发光二极管的发光效率。

本发明公开了一种深紫外光发光二极体的结构及其制备方法,该结构及方法旨在改善现今深紫外光发光二极体的电激发光频谱特性,特别是降低频谱的半高宽,不仅提升光的纯度也提高了其发光效率,从而促进在杀菌及光疗的应用上的有效性。该发光二极体至少包括：衬底、位于所述衬底一侧表面的AlN层、位于所述AlN层表面的N型Al-(a)Ga-(1-a)N欧姆接触层、位于所述N型Al-(a)Ga-(1-a)N欧姆接触层表面的Al-(b)Ga-(1-b)N/AlN/Al-(c)Ga-(1-c)N介面平坦化多层结构、位于所述Al-(b)Ga-(1-b)N/AlN/Al-(c)Ga-(1-c)N介面平坦化多层结构表面的Al-(x)Ga-(1-x)N第一量子垒层、位于所述Al-(x)Ga-(1-x)N第一量子垒层表面的Al-(y)Ga-(1-y)N/Al-(x)Ga-(1-x)N多量子阱有源层、位于所述Al-(y)Ga-(1-y)N/Al-(x)Ga-(1-x)N多量子阱有源层表面的Al-(z)Ga-(1-z)N最后量子垒层、位于所述Al-(z)Ga-(1-z)N最后量子垒层表面的P型Al-(d)Ga-(1-d)N电子阻挡层、位于所述P型Al-(d)Ga-(1-d)N电子阻挡层表面的P型Al-(e)Ga-(1-e)N欧姆接触层。

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括叠层结构,该叠层结构包括：层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层；其中,多量子阱有源层包括沿背离第一型半导体层的方向交替排布的势阱层和势垒层,势阱层为Al-(a)Ga-(1-a)As层,势垒层为Al-(b)Ga-(1-b)As层,且0＜a＜b＜1。本申请实施例所提供的LED芯片,由于其多量子阱有源层中势阱层和势垒层的长晶材料相同,因此,在多量子阱有源层的生长过程中,势阱层和势垒层的生长界面可以清晰地切换,从而提高多量子阱有源层的长晶质量,减少由于多量子阱有源层的长晶缺陷而造成的非辐射复合,进而提高该LED芯片的亮度和工作寿命。

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：外延结构,具有相对的第一表面和第二表面,外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层,P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔,自外延结构的第一表面向第二表面延伸,多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层,位于相应接触孔中,金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔,并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应,同时利用P型硅纳米层提供空穴,提升深紫外LED芯片的内量子效率。

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：外延结构,具有相对的第一表面和第二表面,外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层,P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；以及P型半导体层的空穴补偿层,位于外延结构的第一表面。该深紫外LED芯片利用P型半导体层的空穴补偿层保证了P型半导体层获得较高的空穴浓度的同时,减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：衬底；外延结构,位于衬底上,从下到上依次包括N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；以及金属纳米线层,位于P型半导体层上,其中,金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层。该深紫外LED芯片利用金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层,从而减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

一种用于制造InGaN半导体模板的方法,其包括在半导体衬底上生长具有倾斜小面的InGaN棱锥；通过去除半导体材料来加工所述棱锥以形成具有第一上表面的截棱锥；在所述第一上表面上方生长InGaN,以形成具有形成顶表面的c平面晶体小面的InGaN模板层。所述InGaN半导体模板适合用于进一步制造半导体装置,例如被配置成发射红光、绿光或蓝光的微型LED。

本公开提供了一种AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型欧姆接触层；所述p型欧姆接触层包括依次交替层叠的多个p型GaN层和多个六方氮化硼层,沿所述外延片生长的方向,各个所述p型GaN层的掺杂浓度逐层增加。本公开实施例能够提高p型层的导电性能,且缓解AlGaN层和p型GaN层之间的晶格失配的问题,以改善p型层的晶体质量。

本公开提供了一种改善欧姆接触的发光二极管外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型波导层、多量子阱层、P型波导层和电极接触层,所述电极接触层包括依次层叠在所述P型波导层上的第一子层、第二子层和第三子层,所述第一子层为P型InGaN层,所述第二子层为AlInGaN层或AlGaN层,所述第三子层为N型InGaN层。该外延片可以减少接触层表面的接触电阻,保证GaN基LED器件的热稳定性和输出功率。