发光元件

本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

2021-11-02

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一种抑制SRH非辐射复合的Micro LED器件及制备方法

本发明为一种抑制SRH非辐射复合的MicroLED器件及制备方法。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、第一N-型半导体材料层和第二N-型半导体材料层；第二N-型半导体材料层上依次覆盖有多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体材料传输层；每个P-型半导体材料传输层的中心覆盖有P-型重掺杂半导体材料传输层；P-型半导体材料传输层上的非P-型重掺杂半导体材料传输层区域,覆盖有绝缘限制层,绝缘限制层和半导体材料传输层的上表面,为电流扩展层。本发明可实现更好的电流限制作用,降低MicroLED器件侧壁缺陷引起的SRH非辐射复合,提高器件的空穴注入效率和外量子效率(EQE)。

2021-11-02

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降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法

本公开提供了一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管技术领域。在p型AlGaN层与氧化铟锡层之间增加p型复合接触层,p型复合接触层包括依次层叠在p型AlGaN层上的Mg接触子层、MgN子层、p型GaN子层与p型InGaN子层。Mg接触子层降低电阻,提高空穴浓度。MgN子层中具有较高的空穴浓度而整体电阻较低。MgN子层过渡到p型GaN子层与p型InGaN子层,电阻降低。使发光二极管外延片整体的体电阻降低,进而降低最终得到的紫外发光二极管芯片的工作电压,提高紫外发光二极管芯片的使用寿命。

2021-11-02

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红黄光发光二极管芯片及其制备方法

本公开提供了一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法。该红黄光发光二极管芯片中n型层、多量子阱层、p型层和第一透明导电层依次层叠设置在衬底上,第一透明导电层的边缘具有露出n型层的凹槽,n型电极位于n型层表面,且位于凹槽的底部；钝化层覆盖在第一透明导电层和凹槽的表面,钝化层位于第一透明导电层上的区域设有开口；第二透明导电层层叠于钝化层和第一透明导电层上,且部分位于凹槽中,第二透明导电层通过开口与第一透明导电层电连接,p型电极设置在第二透明导电层上,且p型电极位于凹槽内。本公开实施例能够缩减p型层中载流子的流动路径,提高红黄光发光二极管芯片的注入效率,且改善发光二极管的发光效率。

2021-11-02

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一种LED芯片及其制备方法

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括叠层结构,该叠层结构包括：层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层；其中,多量子阱有源层包括沿背离第一型半导体层的方向交替排布的势阱层和势垒层,势阱层为Al-(a)Ga-(1-a)As层,势垒层为Al-(b)Ga-(1-b)As层,且0＜a＜b＜1。本申请实施例所提供的LED芯片,由于其多量子阱有源层中势阱层和势垒层的长晶材料相同,因此,在多量子阱有源层的生长过程中,势阱层和势垒层的生长界面可以清晰地切换,从而提高多量子阱有源层的长晶质量,减少由于多量子阱有源层的长晶缺陷而造成的非辐射复合,进而提高该LED芯片的亮度和工作寿命。

2021-11-02

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深紫外LED芯片及其制造方法

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：外延结构,具有相对的第一表面和第二表面,外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层,P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔,自外延结构的第一表面向第二表面延伸,多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层,位于相应接触孔中,金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔,并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应,同时利用P型硅纳米层提供空穴,提升深紫外LED芯片的内量子效率。

2021-11-02

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深紫外LED芯片及其制造方法

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：外延结构,具有相对的第一表面和第二表面,外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层,P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；以及P型半导体层的空穴补偿层,位于外延结构的第一表面。该深紫外LED芯片利用P型半导体层的空穴补偿层保证了P型半导体层获得较高的空穴浓度的同时,减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

2021-11-02

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深紫外LED芯片及其制造方法

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：衬底；外延结构,位于衬底上,从下到上依次包括N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；以及金属纳米线层,位于P型半导体层上,其中,金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层。该深紫外LED芯片利用金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层,从而减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

2021-11-02

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一种多单元式的发光二极管及其制作方法

本发明提供了多单元式的发光二极管,包括基板,以及设置在基板同侧表面上的n个单元的外延叠层；所述外延叠层自下而上依次包括第二半导体层、发光层和第一半导体层；且每个单元皆包括露出第一半导体层表面的第一平台和露出第二半导体层表面的第二平台；透明导电层,形成于所述每个单元的第一平台之上；导电配线层,与所述第一半导体层形成电性连接；保护层,设置在所述导电配线层下方；所述保护层形成于每个单元的第一平台和第二平台之上,并分别在每个单元的透明导电层和第二平台之上设置至少一个以上的保护层通孔,露出所述每个单元的透明导电层和第二平台。

2021-10-29

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AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法

本公开提供了一种AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型欧姆接触层；所述p型欧姆接触层包括依次交替层叠的多个p型GaN层和多个六方氮化硼层,沿所述外延片生长的方向,各个所述p型GaN层的掺杂浓度逐层增加。本公开实施例能够提高p型层的导电性能,且缓解AlGaN层和p型GaN层之间的晶格失配的问题,以改善p型层的晶体质量。

2021-10-29

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