本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

本公开提供了一种具有双极性AlN模板层的深紫外发光二极管的外延片,属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；所述AlN模板层远离所述衬底的表面具有多个第一极性区域和多个第二极性区域,所述第一极性区域和所述第二极性区域沿同一方向交替分布,所述第一极性区域呈铝极性,所述第二极性区域呈氮极性。本公开实施例能够促进载流子的辐射复合,极大地提升了深紫外发光二极管的发光效率。

本发明公开了一种深紫外光发光二极体的结构及其制备方法,该结构及方法旨在改善现今深紫外光发光二极体的电激发光频谱特性,特别是降低频谱的半高宽,不仅提升光的纯度也提高了其发光效率,从而促进在杀菌及光疗的应用上的有效性。该发光二极体至少包括：衬底、位于所述衬底一侧表面的AlN层、位于所述AlN层表面的N型Al-(a)Ga-(1-a)N欧姆接触层、位于所述N型Al-(a)Ga-(1-a)N欧姆接触层表面的Al-(b)Ga-(1-b)N/AlN/Al-(c)Ga-(1-c)N介面平坦化多层结构、位于所述Al-(b)Ga-(1-b)N/AlN/Al-(c)Ga-(1-c)N介面平坦化多层结构表面的Al-(x)Ga-(1-x)N第一量子垒层、位于所述Al-(x)Ga-(1-x)N第一量子垒层表面的Al-(y)Ga-(1-y)N/Al-(x)Ga-(1-x)N多量子阱有源层、位于所述Al-(y)Ga-(1-y)N/Al-(x)Ga-(1-x)N多量子阱有源层表面的Al-(z)Ga-(1-z)N最后量子垒层、位于所述Al-(z)Ga-(1-z)N最后量子垒层表面的P型Al-(d)Ga-(1-d)N电子阻挡层、位于所述P型Al-(d)Ga-(1-d)N电子阻挡层表面的P型Al-(e)Ga-(1-e)N欧姆接触层。

本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的第一AlN层、第二AlN层、氮原子层、第三AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层,所述第二AlN层的表面粗糙度大于所述第一AlN层的表面粗糙度,所述氮原子层为通过等离子体处理形成于所述第二AlN层上的膜层。本公开实施例能够减少多层AlN薄膜中,因AlN的晶体原子排列不整齐,而导致AlN薄膜的晶体质量差的问题,改善外延片的晶体质量,提高深紫外发光二极管的发光效率。

本公开提供了一种AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的AlN层、n型AlGaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型欧姆接触层；所述p型欧姆接触层包括依次交替层叠的多个p型GaN层和多个六方氮化硼层,沿所述外延片生长的方向,各个所述p型GaN层的掺杂浓度逐层增加。本公开实施例能够提高p型层的导电性能,且缓解AlGaN层和p型GaN层之间的晶格失配的问题,以改善p型层的晶体质量。

本公开提供了一种改善欧姆接触的发光二极管外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型波导层、多量子阱层、P型波导层和电极接触层,所述电极接触层包括依次层叠在所述P型波导层上的第一子层、第二子层和第三子层,所述第一子层为P型InGaN层,所述第二子层为AlInGaN层或AlGaN层,所述第三子层为N型InGaN层。该外延片可以减少接触层表面的接触电阻,保证GaN基LED器件的热稳定性和输出功率。

本发明涉及半导体材料领域,公开了一种发光二极管结构,其中p型半导体层为含铝氮化物层的厚度占其整体厚度95%以上的多层结构,多层结构从下至上至少包括第一至第六子层；第三子层中的铝浓度≥第一子层＞第二子层＞第四子层＞第六子层；第一子层的厚度＜第六子层＜第五子层＜第二子层≤第三子层＜第四子层；第四子层为厚度为50Å～800Å的高温P型Al-(z4)In-(x4)Ga-(y4)N,其中,0≤x4<1,0<y4<1,0<z4<1,且x4+y4+z4=1；Al浓度为1E19～1E20 Atom/cm～(3)。本申请通过增加P型半导体层通Al厚度的占比并优化各层间Al含量的比例,提升光取出效率,该发光二极管结构具有较佳的出光效率。

本公开提供了一种高发光效率的发光二极管外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。所述制造方法包括提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长N型波导层,所述N型波导层包括多个周期交替生长的第一子层和第二子层,所述第一子层为N型InGaN层,所述第二子层为N型GaN层；在每次生长完所述第一子层后,向反应室内通入氨气和氢气,对所述第一子层进行表面处理；在所述N型波导层上依次生长多量子阱层、P型波导层和电极接触层。采用该制造方法可以减少底层应力和缺陷延伸至多量子阱层,保证多量子阱层的晶体质量,进而提高发光二极管的发光效率。

一种发光二极管元件,包含：第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘,第一边缘和第三边缘相对,第二边缘和第四边缘相对；基板；半导体叠层,位于基板上,半导体叠层包含第一半导体层、第二半导体层以及活性层形成在其间；第一电极,形成在第一半导体层上并与第一半导体层电连接,包含第一焊盘电极相邻于第一边缘与第二边缘相交的角落；以及第二电极,形成在第二半导体层上并与第二半导体层电连接,包含第二焊盘电极以及第二指状电极从第二焊盘电极朝向第二边缘延伸；第一边缘和第三边缘比第二边缘和第四边缘长；由上视观之,第二指状电极不平行于第一边缘和第三边缘,第二指状电极与第一边缘之间距随着第二指状电极延伸远离第二焊盘电极而增加。

本发明提供一种UVLED外延结构及其制备方法、UVLED芯片,其中,本发明提供的一种UVLED外延结构,包括依次层叠设置的：衬底、缓冲层、非掺层、N型导电层、应力释放层、有源层、电子阻挡层、P型导电层和金属接触层,所述有源层包括T个周期依次层叠设置的第一阱层、第二阱层、第三阱层和垒层,其中,3≤T≤12。本发明提供的UVLED外延结构及其制备方法、UVLED芯片,用以至少提高UVALED的发光效率。