新型微型LED封装结构及其封装方法

本发明提供了一种新型微型LED封装结构及其封装方法,其中,LED封装结构包括：倒装LED芯片；围设于倒装LED芯片四周发光侧表面的第一芯片保护层；于倒装LED芯片电极相对的发光侧设置于第一芯片保护层和倒装LED芯片发光侧表面的荧光胶层；于倒装LED芯片电极侧分别设置于芯片电极及电极对应一侧第一芯片保护层表面的刚性支撑层,刚性支撑层由芯片电极向其对应一侧第一芯片保护层的方向延伸；及设置于刚性支撑层表面的焊接金属层。有效解决现有微型LED邦定作业中易出现的芯片偏移、翻转等不良问题。

2021-11-02

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一种LED及其制备方法

本发明提供了一种LED及其制备方法,以镂空区和边缘镂空区处填充的光刻胶层为保护结构,以在外延片上蒸镀金属反射层和保护层,而后去除光刻胶层。本发明提供的技术方案,仅需要一次光刻工艺即可得到最终的金属反射层和保护层,使得LED制备方法的流程简单。

2021-11-02

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一种抑制SRH非辐射复合的Micro LED器件及制备方法

本发明为一种抑制SRH非辐射复合的MicroLED器件及制备方法。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、第一N-型半导体材料层和第二N-型半导体材料层；第二N-型半导体材料层上依次覆盖有多量子阱层、P-型电流阻挡层、P-型半导体材料传输层；每个P-型半导体材料传输层的中心覆盖有P-型重掺杂半导体材料传输层；P-型半导体材料传输层上的非P-型重掺杂半导体材料传输层区域,覆盖有绝缘限制层,绝缘限制层和半导体材料传输层的上表面,为电流扩展层。本发明可实现更好的电流限制作用,降低MicroLED器件侧壁缺陷引起的SRH非辐射复合,提高器件的空穴注入效率和外量子效率(EQE)。

2021-11-02

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发光二极管及其制备方法

本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及提供一种发光二极管及其制备方法,该发光二极管至少包括：衬底；外延层,设置在衬底的一侧,外延层包括层叠设置的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；叠层增透膜层,包括第一钝化层和透明导电层,第一钝化层设置在第二半导体层背离衬底的一侧,且第一钝化层上设置有外露第二半导体层的开口区域,透明导电层设置在第一钝化层背离第二半导体层的一侧并延伸至开口区域内,透明导电层与第二半导体层电性连接。通过上述方式,本申请能够提高发光二极管的出光效率。

2021-11-02

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一种发光二极管、发光模块及显示装置

本发明涉及LED技术领域,提供一种发光二极管、发光模块及显示装置,其中一种发光二极管,包括：衬底、衬底上的外延结构、接触电极、绝缘层,且设置有贯穿绝缘层的绝缘通孔；绝缘通孔内自底部设置有接触电极,接触电极在水平面上的投影为类矩形,且该类矩形至少具有两条相对设置的弧形边。本发明的技术方案将接触电极设计成上述类矩形,可以使接触电极尽可能避免产生尖角或尖端部位,从而减少因电流在尖端处聚集而产生的尖端效应,降低电极失效风险,此外,采用该形状的接触电极的发光二极管无需再设置条状电极,从根本上解决电流在条状电极末端聚集而导致的失效问题。

2021-11-02

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具有复合衬底的发光二极管外延片及其制备方法

本公开提供了具有复合衬底的发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。衬底主体的第一表面层叠有接触层,接触层用于放置在外延生长设备的托盘的圆形凹槽内。接触层包括的凸起与圆形凹槽的底面直接点接触,相邻的两个凸起之间则存在有较大的空间。衬底主体及外延层的实际受热主要来自衬底主体和圆形凹槽的底面之间的空隙内的气体,传热方式较为均匀。并且凸起的结构上宽下窄,凸起的形变幅度较小,则凸起传递的形变较小,可以降低形变导致的外延片的翘曲的程度,最终得到的外延片的翘曲程度减小,出光波长均匀度得到提高。

2021-11-02

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高亮度发光二极管芯片及其制造方法

本公开提供了一种高亮度发光二极管芯片及其制造方法,属于半导体技术领域。高亮度发光二极管芯片：所述衬底的第二表面具有开口槽,所述开口槽从所述第二表面延伸至所述衬底的内部,且所述开口槽围绕所述第二表面的外周壁布置；所述高亮度发光二极管芯片还包括设置在所述开口槽内的填充层,所述填充层为掺有金刚石颗粒的氧化硅层。采用该芯片可以使得LED芯片划裂后的各个LED单元的横截面呈现矩形,提高各个LED单元的出光对称性。

2021-11-02

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红黄光发光二极管芯片及其制备方法

本公开提供了一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法。该红黄光发光二极管芯片中n型层、多量子阱层、p型层和第一透明导电层依次层叠设置在衬底上,第一透明导电层的边缘具有露出n型层的凹槽,n型电极位于n型层表面,且位于凹槽的底部；钝化层覆盖在第一透明导电层和凹槽的表面,钝化层位于第一透明导电层上的区域设有开口；第二透明导电层层叠于钝化层和第一透明导电层上,且部分位于凹槽中,第二透明导电层通过开口与第一透明导电层电连接,p型电极设置在第二透明导电层上,且p型电极位于凹槽内。本公开实施例能够缩减p型层中载流子的流动路径,提高红黄光发光二极管芯片的注入效率,且改善发光二极管的发光效率。

2021-11-02

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深紫外LED芯片及其制造方法

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：衬底；外延结构,位于衬底上,从下到上依次包括N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；以及金属纳米线层,位于P型半导体层上,其中,金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层。该深紫外LED芯片利用金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层,从而减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

2021-11-02

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一种微型半导体发光器件及其制造方法

本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种微型半导体发光器件及其制造方法。该微型半导体发光器件包括：转移衬底；第一功能层,包括顺序连接的第一子部、第二子部和第三子部；第二功能层,包括顺序连接的第四子部、第五子部和第六子部；发光二极管；其中,第一子部与第四子部组成支撑部,二者依次层叠设置在转移衬底的一侧；第二子部与第五子部组成悬空薄壁部,二者依次层叠设置且与转移衬底无接触；第三子部、第六子部以及发光二极管组成悬空发光部且与转移衬底无接触；其中,支撑部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度,且悬空薄壁部的顶部高度小于或等于悬空发光部的底部高度。通过上述方式,能够提高悬空发光部转移的成功率。

2021-11-02

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