本发明实施例提供了一种共面波导结构的制备方法、装置、设备及超导器件。方法包括：获取待刻蚀结构,待刻蚀结构包括位于衬底结构上的铝薄膜和位于铝薄膜上端、用于覆盖铝薄膜的部分区域的光刻胶结构；利用酸性溶液对位于衬底结构上的铝薄膜进行第一次刻蚀操作,获得第一刻蚀后结构；对第一刻蚀后结构进行冲洗,获得中间结构；利用碱性溶液对中间结构进行第二次刻蚀操作,获得第二刻蚀后结构；对第二刻蚀后结构进行冲洗,获得目标结构,目标结构包括位于衬底结构上的铝薄膜和位于铝薄膜上端的光刻胶结构,光刻胶结构覆盖铝薄膜的所有区域。本实施例提供的技术方案,提高了铝基微波波导器件的边缘平整度,保证了超导量子器件生成的质量和效果。

本发明实施例提供了一种约瑟夫森结、约瑟夫森结的制备方法、装置及超导电路。约瑟夫森结包括：第一电极层,用于实现信号传输；第二电极层,用于实现信号传输；绝缘层,设置于第一电极层和第二电极层之间,以形成约瑟夫森结；第一电极层和第二电极层由预设材料构成,绝缘层由与预设材料相对应的化合物构成,预设材料包括非铝的超导材料,以延长超导量子比特的相干时间。本实施例有效地实现了通过非铝的超导材料来制备约瑟夫森结,由于上述材料具有晶格结构稳定的特征,有效地避免了因晶格结构存在缺陷而消耗能量,并且上述材料能够延长超导量子比特的相干时间,有利于提高超导量子比特计算的准确性,同时提高了所制备的约瑟夫森结的质量和效率。

本发明提供一种亚微米堆栈结构约瑟夫森结器件及其制备方法。制备方法包括步骤：提供衬底,于衬底上形成约瑟夫森结堆栈结构；形成初始绝缘层覆盖衬底及约瑟夫森结堆栈结构；对位于约瑟夫森结堆栈结构正上方的初始绝缘层进行第一次光刻刻蚀,以形成第一绝缘环；对剩余的绝缘层进行第二次光刻刻蚀,以形成第二绝缘环；进行化学机械抛光；于剩余的绝缘层中形成接触孔；形成顶电极引出层和底电极引出层。本发明可以有效降低寄生电感以及避免在结区正上方开孔带来的漏电流和对结区尺寸的限制,为制备亚微米尺寸堆栈SNS约瑟夫森结器件提供了技术支持,还能够减小结电容,避免外部磁场噪声带来的影响,有助于提高制备良率和降低制备成本。

提供一种SQUID芯片的封装结构装置与封装方法,包括SQUID芯片(1)与冷指(2),冷指(2)与杜瓦连接,还包括粘贴在导热性金属垫片(3)上的FPC柔性电路板(4),所述SQUID芯片(1)粘贴在FPC柔性电路板(4)上,所述FPC柔性电路板(4)及金属垫片(3)代替传统的PCB板电路板作为SQUID芯片(1)的底部封装；所述金属垫片(3)粘贴在冷指(2)上面,并与冷指(2)贴合；SQUID芯片(1)更换方便；FPC柔性电路板(4)厚度薄,制冷效果好。

一种量子装置包括形成在衬底(302,302A)上的第一组突出部(304)以及形成在量子位芯片(310)上的第二组突出部。量子装置还包括形成在中介件(306)上的一组凸块(308),该组凸块由在室温范围具有高于阈值延展性的材料形成,其中,该组凸块中的第一子组被配置为冷焊接至第一组突出部,并且该组凸块中的第二子组被配置为冷焊接至第二组突出部。