本申请人提供一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板由底至顶依次包括高声阻衬底层(1)、低声阻层(2)、缓冲层(3)和单晶压电层(4),其中,所述低声阻层(2)孔隙率为8×10～(19)～1×10～(22)H atoms/cm～(3),常温下对水的扩散大于3×10～(-17)cm～(2)/s,从而使键合所生成的水能够被所述低声阻层(2)吸收,或者,沿所述低声阻层(2)的疏松结构逸出所述复合单晶压电基板,从而减少甚至消除在高声阻衬底层(1)与低声阻层(2)之间的界面形成空洞等缺陷,所述方法能够方便地制备获得具有预设结构的复合单晶压电基板。

本申请公开一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板包括硅衬底层(1)、二氧化硅层(2)和单晶压电层(3),其中,所述硅衬底层(1)的表面被损伤形成损伤层(4),所述损伤层(4)与所述二氧化硅层(2)接触,本申请提供的方法将高温工艺步骤设置于损伤层(4)形成之前,并透过所述二氧化硅层(2)“远程隔空”制备损伤层(4),使得所述二氧化硅层(2)的厚度均匀性好,损伤层(4)中用于捕获载流子的缺陷密度大,所述复合单晶压电基板的结构稳定,能够有效捕获由于硅衬底层(1)与二氧化硅层(2)界面上不可避免的缺陷而生成的载流子,从而提高基于所述复合单晶压电基板制得器件的性能。

本发明公开了一种压电复合薄膜及其制备方法,压电复合薄膜具体包括依次叠加的衬底层、低声阻层以及压电层,其中,低声阻层中掺有一定含量的氯离子,氯离子均匀分布在低声阻层之中或者位于低声阻层中的局部区域。本发明的技术方案中,加入氯离子能够有效地捕获低声阻层中的可移动的碱金属离子,形成中性的氯化物,避免低声阻层中的碱金属离子对声表面波滤波器激发的电磁场造成影响,保证声表面波滤波器的稳定性。