本发明涉及制备单畴铁电材料薄层的方法。所述方法包括：在铁电供体基板的第一面中注入轻物质,以便形成脆弱平面并限定位于该脆弱平面与基板的第一面之间的第一层；借助于介电组装层将供体基板的第一面与支承基板组装在一起；以及在脆弱平面处使供体基板断裂。介电组装层(7b)包括氧化物,该氧化物的氢浓度低于第一层(3)的氢浓度或防止氢扩散到第一层,或者介电组装层(7b)包括阻挡件,该阻挡件防止氢扩散到第一层。所述制备方法还包括：对第一层的自由面进行热处理,以便使第一层中包含的氢扩散,并引起该第一层的表面部分的多畴转变,然后对第一层进行减薄,以便至少去除该表面部分。