本发明提供一种镍掺杂KNbO-(3)压电陶瓷、其制法及高纯制氢。该陶瓷材料包括KNbO-(3)压电陶瓷基体以及均匀分布于KNbO-(3)压电陶瓷基体中的Ni原子,所述Ni原子的质量分数为1wt％～10wt,所述KNbO-(3)压电陶瓷基体的孔径为0.1nm～1.0nm。本发明提供的一种镍掺杂KNbO-(3)压电陶瓷材料具有较高的催化活性,降低了贵金属的使用,从而大大降低了生产成本,且制备方法简单易行、绿色环保,不排放对环境有害物质,作为氢燃料电池提供高纯氢,不含有一氧化碳、硫化氢、磷化氢、氯离子等使燃料电池中毒的气体。

本发明涉及一种高稳定的无铅压电陶瓷,所述无铅压电陶瓷的化学式如下：(1-x-y)(0.50KNbO-(3)-0.50NaNbO-(3))-xMgTiO-(3)-yBa(Zr-(0.5)Ti-(0.5))O-(3)+zSm-(2)O-(3)；其中,x＝0.03～0.07,y＝0.04～0.08,z＝0.008～0.02。该无铅压电陶瓷采用一种工艺简单、高效率、低能耗、成本低廉且很具实用性的无铅压电陶瓷的制备方法,制得的KNN-MT-BZT无铅压电陶瓷烧后的晶粒为菱形,而且晶粒平均晶粒为3微米,取代之前的KNN体系的烧后的四方形晶粒,密度更高,性质稳定、致密、性能良好。

本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基板和氧化锌薄膜。本发明通过生长氧化锌薄膜,降低了氮化铝薄膜与基板之间的晶格失配。采用PLD沉积法,沉积温度低,降低了薄膜制备过程由于热效应造成的缺陷,从而提高了氮化铝薄膜的晶体质量。本发明制备的氮化铝薄膜上方有一层氮化铝薄膜,其可以继续生长氮化铝薄膜,从而控制氮化铝薄膜的厚度。