本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法,以在单晶MgO(100)上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料,活性层形状为“十”字形,薄膜厚度为2nm～30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积,较大的反常霍尔电阻率,较小的电阻率和功耗,较宽的工作温度范围,在磁电信号转换等领域有广泛的应用。

本发明公开了一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法,涉及隧穿磁电阻领域,步骤包括：构建所述磁性随机存储器的底部层级结构；构建混合式重金属层；构建剩余隧穿磁隧道结膜层结构；构建加工隧穿磁隧道结。所述方法通过在底层衬底结构上表面构建混合式重金属层,在不同材质金属层上表面溅射生成完整磁隧道结,针对重金属层通入电流,利用不同材质的自旋霍尔角角度和大小不同的性质,使所述重金属层在通入电流时实现多模态翻转动作。结合其磁性随机存储器本身良好的存储性能,可实现计算机的“逻辑存储一体化”,从而实现对计算机运算速度的提升。

本发明涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法,方法包括：清洗衬底层,所述衬底层包括n～(+)SiC衬底层和位于所述n～(+)SiC衬底层上的n-SiC衬底层；将石墨烯转移到所述衬底层上；在所述石墨烯和所述衬底层上制备若干霍尔电极；对所述衬底层、所述石墨烯和所述霍尔电极进行退火处理,以得到SiC基石墨烯器件。本发明所提供的SiC基石墨烯器件的制备方法工艺简单,价格低廉,非常适用于商用化应用,并且所获得的石墨烯保持着比较完美的晶体结构,缺陷含量比较低。

本发明公开了一种基于斯格明子的自旋忆阻突触器件,其包括：两端口存在自旋霍尔角的重金属层；位于重金属层上的磁性自由层,所述磁性自由层被划分为隧道结区和斯格明子存储区域,所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间设置有阻碍斯格明子自由移动的阻隔件；依次设置于隧道结区上的绝缘势垒层、磁性钉扎层和金属顶电极；其中,所述金属顶电极被配置为连接初始化电流以在所述隧道结区产生斯格明子,所述重金属层被配置为连接写入电流以驱动斯格明子在所述隧道结区和所述斯格明子存储区之间移动,所述金属顶电极还被配置为连接读出电流以读取所述隧道结区的电导。本发明提供的自旋忆阻突触器件具有读写能耗低、稳定性高、电导态数目相对多的优点。

本发明提供了一种引线框架及半导体芯片,所述引线框架包括用于承载霍尔芯片的承载部以及原边框架：所述承载部为U型导体；所述原边框架包含输入引脚与输出引脚,所述输入引脚与输出引脚分别与承载部的两端连接,用于导入检测电流。通过引线框架结构设计优化,将引脚相互连接且加厚,代替传统的电流导线,有效降低导线的阻抗,使框架内部结构可以通过100安培的电流,实现降低霍尔电流传感器体积,降低功耗的技术效果。