一种ABO-(3)型柔性可拉伸单晶薄膜及其制备方法

本发明公开了一种ABO-(3)型柔性可拉伸单晶薄膜及其制备方法,通过对柔性衬底进行相互垂直的两个方向的预拉伸,将无机衬底上生长的ABO-(3)型单晶薄膜转移到柔性衬底上并形成人字形的褶皱结构,获得具有柔性并且可以双向拉伸的ABO-(3)型单晶薄膜。本发明可以通过简单的步骤获得性能优良的柔性可拉伸ABO-(3)型单晶薄膜,可以应用于日益发展的可穿戴设备。

2021-11-02

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铁电氧化物与MAxFA-(1)-xPbI-(3)0-3复合的薄膜材料

本发明提供了一种铁电氧化物与MA-(x)FA-(1-)-(x)PbI-(3) 0-3复合的薄膜材料,以平均粒径12～18 nm的0维铁电材料,将该0维铁电材料均匀分布于MA-(x)FA-(1-x)PbI-(3)形成的3维连通的骨架之中,得到所述的薄膜材料。与现有卤素钙钛矿薄膜相比,铁电氧化物与MA-(x)FA-(1-x)PbI-(3)0-3复合的薄膜材料内部具有大量纳米铁电畴,能有效降低光生电子-空穴对的复合,提高材料的光伏性能,形成了一类全新的MA-(x)FA-(1-x)PbI-(3)铁电半导体材料。

2021-11-02

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一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法

本发明涉及一种YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法,所述YIG/SnTe异质结单晶外延薄膜的制备方法为：提供GGG基底,并将该GGG基底置于真空系统中；利用脉冲激光沉积生长一YIG薄膜于该GGG基底表面；再利用分子束外延技术生长一SnTe薄膜于作为基底的YIG薄膜表面。利用本发明方法可制备出高质量的单晶外延铁磁/拓扑绝缘体异质结,可在300K时观察到反常霍尔效应。

2021-11-02

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选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构

本发明提供一种选通管材料、选通管单元及制备方法、存储器结构,其中,选通管材料包括Te、Se及S中的至少一种,也就是说,选通管材料选用Te、Se和S单质或者其中任意元素构成的化合物,进一步,可通过掺入O、N、Ga、In、As等元素、氧化物、氮化物以及碳化物等介质材料提高性能,本发明的选通管材料用于选通管单元时具有开通电流大、材料简单、开关速度快、重复性好以及低毒性等优点,有助于实现高密度的三维信息存储。

2021-10-29

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一种反常霍尔元件及其制备方法

本发明提供了一种反常霍尔元件及其制备方法,以在单晶MgO(100)上外延生长的Fe、Cr共掺杂的单晶Ni薄膜作为活性层材料,活性层形状为“十”字形,薄膜厚度为2nm～30 nm,采用离子束沉积法生长。本发明的微型反常霍尔元件具有较小的体积,较大的反常霍尔电阻率,较小的电阻率和功耗,较宽的工作温度范围,在磁电信号转换等领域有广泛的应用。

2021-10-29

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一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法

本发明公开了一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法,涉及隧穿磁电阻领域,步骤包括：构建所述磁性随机存储器的底部层级结构；构建混合式重金属层；构建剩余隧穿磁隧道结膜层结构；构建加工隧穿磁隧道结。所述方法通过在底层衬底结构上表面构建混合式重金属层,在不同材质金属层上表面溅射生成完整磁隧道结,针对重金属层通入电流,利用不同材质的自旋霍尔角角度和大小不同的性质,使所述重金属层在通入电流时实现多模态翻转动作。结合其磁性随机存储器本身良好的存储性能,可实现计算机的“逻辑存储一体化”,从而实现对计算机运算速度的提升。

2021-10-26

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一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法

本发明涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法,方法包括：清洗衬底层,所述衬底层包括n～(+)SiC衬底层和位于所述n～(+)SiC衬底层上的n-SiC衬底层；将石墨烯转移到所述衬底层上；在所述石墨烯和所述衬底层上制备若干霍尔电极；对所述衬底层、所述石墨烯和所述霍尔电极进行退火处理,以得到SiC基石墨烯器件。本发明所提供的SiC基石墨烯器件的制备方法工艺简单,价格低廉,非常适用于商用化应用,并且所获得的石墨烯保持着比较完美的晶体结构,缺陷含量比较低。

2021-10-26

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基于自旋轨道转矩无磁场翻转的钴铂钌钴铂磁存储器件

本发明公开了一种基于自旋轨道转矩无磁场翻转的钴铂钌钴铂磁存储器件。结构从下到上依次为：衬底层、缓冲层、导电层、薄膜层、保护层；所述的薄膜层由CoPtRuCoPt五层构成。当所述导电层Pt将通入的电荷流转换为自旋流,通过Pt的强自旋轨道耦合将自旋流注入到铁磁层中,从而对铁磁层施加转矩。改变直角梯形Ru的厚度,可打破空间反演对称性,并调控双层钴铂之间的层间交换耦合,从而实现无磁场的磁化翻转。当接入脉冲电流且没有面内辅助磁场时,每增加一次脉冲电流的大小,就记录一次霍尔电阻的值,当霍尔电阻的值随着脉冲电流增大而跳变进而形成回路时,即可理解为磁存储状态的切换,进而实现无磁场的磁存储操作。

2021-10-22

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一种应变传感器及其制作方法

本发明公开了一种应变传感器,包括柔性衬底及依序层叠设置于柔性衬底上的第一电极层、磁隧道结器件和第二电极层；其中,磁隧道结器件的电阻随着应变传感器所受应变的变化而改变。本发明还公开了上述应变传感器的制作方法。本发明解决了现有的应变传感器电阻变化率较小、并且随着使用时间传感性能变差,最终导致无法正常工作的问题。

2021-10-22

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一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器及其制备方法

一种基于铁电拓扑态畴壁超磁阻效应的传感器,包括顶电极、铁酸铋(BFO)纳米岛和底电极,所述BFO纳米岛设于顶电极和底电极之间,且其可在外加直流偏压下由初始之字型畴结构转变为涡旋畴结构；当BFO纳米岛处于涡旋畴结构时,其涡心为一维的拓扑缺陷且具有明显高于畴区的类金属导电性；当外加磁场为0时,涡心处形成的一维导电通道可导电；当具有外加磁场时,电流在涡心处发生偏转,涡旋畴结构导电性下降,呈现出超磁阻效应。本发明还提供一种上述传感器的制备方法。相比于现有技术,该传感器具有高密度、高有序性,且在室温下具有明显的磁阻特性,同时制备工艺简单、稳定性高。

2021-10-19

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