本发明采用热键合工艺对微通道热沉进行加工,通过在微通道热沉的各层盖板上放置上下盖板,直接施压,无需添加其他粘结剂,可避免采用钎焊工艺造成通道内部阻塞、电化学腐蚀等问题,提高微通道热沉产品的可靠性。且在焊接前,先将上盖板和下盖板按照微通道结构进行加工,形成镂空结构,然后与微通道热沉对齐堆叠,再施压焊接,不仅实现了对微通道壁的精准、有效施压,还可大大缓解在施压焊接的过程中对微通道热沉结构的压力,减轻微通道热沉冷却液通道部的形变,相比于常规的扩散焊工艺,在同等条件下可对微通道热沉施加更大的压力,提高微通道热沉层间结合力,提高产品稳固性。

提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4),其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22),所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上,所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10),所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

本发明提供的高功率、高亮度固体激光系统能够保持初始光束性能,包括功率水平,并且在至少10000小时的运行时间内不会出现性能或光束质量下降。本发明提供了一种高功率、高亮度固体激光系统,其内部环境中含有氧气且不含硅氧烷。

本发明公开一种覆晶型的电激发光子晶体面射型激光元件,其磊晶结构设有一高台,高台设有多个空气孔洞,形成一光子晶体结构,又磊晶结构设有一凹台,凹台的面向与光子晶体结构的面向呈同一面向；一第一电极金属,位于绝缘层上,并覆盖光子晶体结构上；一第二电极金属,位于凹台上,并凸出于凹槽外,使第一电极金属的面向与第二电极金属的面向呈同一面向,再以第一电极金属接合至第一接合金属与第二电极金属接合至第二接合金属,使光子晶体结构呈覆晶。

本申请公开了一种高调制速率的混合集成半导体激光器,包括压力传感模块、检测板、限位条、连接块、激光器外壳、支撑块、支撑板、安装条、调节杆、侧板、制冷器、散热板、第一激光模块、光纤、第二激光模块、绝缘板、蜂鸣器、电源模块、缓冲块、降温板、支撑架、散热扇、限位板、吸盘、限位管、安装板、连接管和辅助块。检测板可对激光器外壳的受力检测,限位条和连接块利于检测板的安装和拆卸,缓冲块和支撑架可对激光器外壳内部支撑保护；支撑板可多向安装固定,吸盘和侧板可支撑板底部的安装加固,利于装置在不同位置上的固定；制冷器和散热扇可加速激光器外壳内部的散热,限位板可对散热板的安装限位,降温板加速散热板表面的空气流动。

本发明提供一种半导体激光器,该半导体激光器包括至少两级合束器以及多组泵浦源,下一级合束器的输入端通过光纤与多个上一级合束器的输出端连接；其中,第一级合束器的数量为多个,且所述第一级合束器的输入端通过光纤与一组泵浦源的输出端连接,每组泵浦源均包含有多个泵浦源。本发明提供的半导体激光器,可以提升输出功率至万瓦级,且加工效率高、能量分布均匀以及易于集成。

本发明公开了一种超低温激光器防冻液快速制冷的方法,所述方法包括以下步骤；S1：微通道分析→S2：热沉材料选择→S3：微通道表面处理→S4：微通道封装→S56：减小晶体热阻。本发明利用热分析的有限元法,在详细分析准三能级激光器热效应的基础上,结合对LD输出泵浦光的实验测量,考虑多模输出、近高斯分布等多种因素,较为准确地建立了块状激光晶体热传导的有限元模型,模拟了晶体在不同换热边界条件下的温度场、温度梯度场和热应力场分布,提出了改善激光晶体散热性能的有效措施,对微通道热沉的设计、加工和表面处理,通过微通道热沉与普通热沉散热的对比,防冻液通过微通道热沉具有优良的散热性能。

描述了一种可调谐固态激光设备,该可调谐固态激光设备包括基于半导体的增益芯片和具有调谐能力的硅光子滤波器芯片。硅光子滤波器芯片包括输入-输出硅波导、连同硅波导形成的至少两个环形谐振器、与环形谐振器相互接口的一个或多个连接硅波导、与每个环形谐振器相关联的单独加热器、被配置为测量芯片温度的温度传感器、以及连接到温度传感器和单独加热器的并设计有反馈回路以维持滤波器温度从而提供经调谐频率的控制器。一个或多个连接硅波导被配置为将与至少两个环形谐振器中的每一个环形谐振器谐振的光重定向回通过输入-输出硅波导。描述了用于控制激光频率的相应方法。SiPho多滤波器芯片的改进结构涉及Zagnac干涉仪。

一种边缘发射的激光棒(100),所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1),所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外,激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2),所述单个发射器在符合规定的运行中分别发射激光辐射。多个接触元件(20)沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置在接触侧上。每个接触元件与一个单个发射器相关联。每个接触元件经由接触侧的连通的接触区域(12)导电地耦合到半导体层序列上。激光棒在两个相邻的单个发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)。解耦结构包括施加在接触侧上的冷却元件(30),所述冷却元件完全覆盖接触侧的连通的冷却区域(13)。冷却元件沿着冷却区域与半导体层序列电绝缘并且沿着冷却区域热耦合到半导体层序列上。冷却区域具有沿着侧面的横向方向测量的宽度,所述宽度是相邻的接触区域的宽度的至少一半大。

本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种半导体器件及半导体器件的制备方法。半导体器件包括P型衬底,其上表面设置有外延层,外延层的上表面设置有上电极,P型衬底的下表面设置有多个凹槽,凹槽的深度小于P型衬底的厚度,P型衬底的下表面以及凹槽的槽壁和槽底均设置有下电极。通过在P型衬底的下表面设置多个凹槽,且凹槽的深度小于P型衬底的厚度,即凹槽没有贯穿整个P型衬底,能够有效地防止在形成凹槽的过程中破坏外延层,同时,将下电极设置在P型衬底的下表面以及凹槽的槽壁和槽底,能够与上电极相对应,且凹槽为下电极提供了胀缩空间,当下电极与热沉接触时,能够减小下电极与热沉之间的热应力,改善半导体器件整体的散热效果。