提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4),其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22),所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上,所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10),所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

该发光装置具备：第一发光元件阵列,其包含以第一间隔配置的多个第一发光元件；第二发光元件阵列,其包含以比第一间隔宽的第二间隔配置的多个第二发光元件,构成为输出比第一发光元件阵列的光输出高的光输出,并构成为独立于第一发光元件阵列而被驱动；以及光扩散部件,其设置在第二发光元件阵列的射出路径上。

本申请公开了一种光发射器、深度模组和终端。光发射器包括第一衬底、发光模块和驱动模块。所述第一衬底包括相背的第一侧和第二侧；所述发光模块设置在所述第一侧,所述发光模块包括多个发光单元；及所述驱动模块设置在所述第二侧,所述驱动模块与所述发光模块电连接,以驱动所述发光单元发光。本申请实施方式的光发射器、深度模组和终端中,发光模块和驱动模块分别设置在第一衬底的两侧,相较于驱动模块、发光模块和两者的走线部分均设置在第一衬底同一侧,占用面积较大而言,驱动模块和发光模块设置在第一衬底的两侧时,驱动模块和发光模块占据第一衬底的面积较少,有利于深度模组的小型化。

本申请涉及一种窄脉宽的脉冲激光器,该脉冲激光器包括电路基板、激光芯片、电容和场效应管,场效应管、电容和激光芯片均电连接于电路基板上,电容在场效应管与激光芯片之间,沿场效应管与激光芯片之间的间隙的延伸方向排列。根据本申请实施例的技术方案,对脉冲激光器中的结构部件的布局进行优化,减小场效应管与激光芯片之间的距离,从而使其中的结构部件的布局更加紧凑,有利于降低脉冲激光器的环路电感,进而使脉冲激光器的放电速度较快,脉冲激光器工作时输出的脉冲脉宽得到压缩,即实现了一种窄脉宽的脉冲激光器。进一步地,将其应用到激光雷达中时,可实现较大的点云密度、较高的测距精度、较好的重复性以及较大的极限测距距离。

本发明公开了一种VCSEL和PD集成芯片、制作方法和电子器件,VCSEL和PD集成芯片包括：一衬底；第一N型缓冲层,形成于所述衬底上,所述第一N型缓冲层背离所述衬底的表面形成有第一外延区和第二外延区；VCSEL外延结构,包括依次生长于所述第一外延区的N型DBR、量子阱发光区、P型DBR和第一P型欧姆接触层；PD外延结构,包括依次生长于所述第二外延区的第二N型缓冲层、吸光区和第二P型欧姆接触层。本发明利用一套制作VCSEL芯片的标准工艺,通过巧妙设计,把VCSEL和PD芯片集成在一起,不仅节约了制作成本,简化了芯片的封装工艺,同时还可以大大减小模块的尺寸。

一种边缘发射的激光棒(100),所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1),所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外,激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2),所述单个发射器在符合规定的运行中分别发射激光辐射。多个接触元件(20)沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置在接触侧上。每个接触元件与一个单个发射器相关联。每个接触元件经由接触侧的连通的接触区域(12)导电地耦合到半导体层序列上。激光棒在两个相邻的单个发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)。解耦结构包括施加在接触侧上的冷却元件(30),所述冷却元件完全覆盖接触侧的连通的冷却区域(13)。冷却元件沿着冷却区域与半导体层序列电绝缘并且沿着冷却区域热耦合到半导体层序列上。冷却区域具有沿着侧面的横向方向测量的宽度,所述宽度是相邻的接触区域的宽度的至少一半大。

本发明涉及一种用于C-mount激光器焊线的激光器固定装置及固定方法,该激光器固定装置包括固定条、压片和档条；固定条中间设有固定槽,压片位于固定条上端,压片中间设有缺口,缺口与固定槽相对应,压片两侧设有呈对称结构的侧边,压片通过侧边与固定条连接；档条位于固定条前端,可遮挡固定槽。本发明用于C-mount激光器焊线的激光器器固定装置结构简单,成本低廉,操作方便可靠。本发明装置体积小,结构简单维护维修方便,本装置一次固定5只C-mount激光器,可以实现C-mount激光器连续焊线工作,较之前单只激光器固定焊线,激光器焊线生产效率提高了十几倍。

本发明公开了一种夹心式边发射激光器封装结构,包括半导体激光器芯片、光电探测芯片、热沉、载板线路板、盖板线路板、夹层线路板,其特征在于,所述载板线路板、夹层线路板、盖板线路板由上至下围成一个中空腔体,所述中空腔体内设置所述半导体激光器芯片、光电探测芯片、热沉,所述夹层线路板上设有正对所述半导体激光器芯片的夹层线路板出光孔,所述光电探测芯片贴装于所述盖板线路板上,所述半导体激光器芯片设置在所述热沉上,所述热沉设置在所述载板线路板上,所述光电探测芯片正对所述半导体激光器芯片背光面。本发明解决了现有技术中平面封装边发射半导体激光器难以实现背光检测的问题。

本发明公开了一种基于光谱合束的多管蓝光半导体倍频方法及装置,属于半导体激光技术领域。该方法具体为S1：激发蓝光二极管阵列发出多个光束,并入射至同一区域；S2：对入射到同一区域的多束光束以相同的衍射角衍射,使其成为合束光；S3：将合束光一部分反射回到蓝光二极管阵列形成反馈,用于压缩线宽,另一部分透射输出窄线宽光束；S4：对透射输出的窄线宽光束形成振荡,同时进行倍频后输出；S5：将倍频后的输出光先分光再聚焦,输出深紫外光。还提出了一种基于光谱合束的多管蓝光半导体倍频装置。本发明的方法及装置是一种新型的脉冲电源泵浦多管蓝光二极管阵列倍频系统,可以提高输入蓝光的倍频效率及输出深紫外光的功率。

本发明的目的在于,提供一种光学特性的设计的自由度高且降低了过量损耗的光功能元件。光功能元件具备：多模干涉波导型的第1以及第2光耦合器,其具有多模干涉波导部、两个第1输入输出端口、以及两个第2输入输出端口,其中,该多模干涉波导部具有在长边方向上对置的第1端部以及第2端部；第1圆弧状波导,其将第1光耦合器的第1输入输出端口的一个和第2光耦合器的第1输入输出端口的一个光学连接；以及第2圆弧状波导,其将第1光耦合器的第2输入输出端口的一个和第2光耦合器的第2输入输出端口的一个光学连接,第1光耦合器、第2光耦合器、第1圆弧状波导以及第2圆弧状波导构成环形谐振器,第1光耦合器以及第2光耦合器的多模干涉波导部分别具有长边方向上的平均宽度比第1端部或第2端部处的宽度窄的窄宽度部。