本发明公开了一种半导体光电芯片的保护层及其半导体的制备工艺,光电芯片的保护层从下至上依次为第一氮化硅层、Al-(2)O-(3)/SiO-(2)层以及第二氮化硅层,呈现一种三明治结构。制备具有上述保护层的半导体器件,其工艺包括以下步骤：芯片加工；清洗晶圆；在晶圆表面沉积第一氮化硅层；在第一氮化硅层上沉积Al-(2)O-(3)/SiO-(2)层；在Al-(2)O-(3)/SiO-(2)层上沉积第二氮化硅层；再通过光刻工艺、干法刻蚀工艺以及去除光刻胶,制备得到所需半导体。具有三明治夹层结构的保护层,充分利用不同薄膜层的特性以实现对水汽的长效阻挡,提升器件的耐久性,对半导体器件的电性能不产生影响,且可通过调节保护层的结构以及膜厚来调节对光的反射性质,制备工艺简单、成本低、效能好,具有良好的应用前景。

本发明公开了一种780nm分布反馈布拉格半导体激光器腔面膜结构,包括780nm分布反馈布拉格半导体激光bar条(1)、前腔面膜(2)和后腔面膜(3)。前腔面膜(2)包括第一层膜10.00 nm Si(4)、第二层膜229.88 nm Al-(2)O-(3)(5)、第三层膜64.44 nm TiO-(2)(6)和第四层膜82.59 nm Al-(2)O-(3)(7)；后腔面膜(3)包括第五层膜10.00 nm Si(8)、第六层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(9)、第七层膜57.35 nm Si(10)、第八层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(11)、第九层膜57.35 nm Si(12)、第十层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(13)、第十一层膜57.35 nm Si(14)、第十二层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(15)、第十三层膜57.35 nm Si(16)。

在一个实施方式中,边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。

一种半环形对称电极结构垂直腔面发射激光器,下层DBR、有源区、氧化限制层、上层DBR和P型金属欧姆接触层共刻出圆柱形垂直腔面发射激光器的谐振腔；垂直腔面发射激光器的左侧镀有P型电极,垂直腔面发射激光器的谐振腔右侧设有N型电极,N型电极镀在N型金属欧姆接触层的上方；垂直腔面发射激光器的谐振腔由BCB层包覆,BCB层利用RIE刻蚀开电极窗口,BCB层通过磁控溅射生长GSG-Pad电极以实现共面电极结构。本发明利用半圆环对称电极结构,对垂直腔面发射激光器注入非均匀电流,利用电子和空穴迁移速率不同,在谐振腔中引入非均匀损耗,使得激光器输出模式的增益各向异性,有助于实现偏振态稳定,提高了激光器的性能。

本发明提供降低了激光振荡的阈值电流密度的二极管作为经由使用蚀刻技术形成谐振器端面的工序得到的法布里-珀罗型的半导体激光二极管。一种半导体激光二极管的制造方法,包含在基板上形成多个半导体激光二极管后按各半导体激光二极管分割基板的工序,该制造方法具有在基板上形成层叠体的工序；对层叠体蚀刻而分成成为谐振区域的部分和除此以外的部分的工序；使成为第二电极的层在层叠体的第二半导体层之上形成到谐振区域的谐振器端面与分割的工序中进行分割的位置之间的电极层形成工序；以及在电极层形成工序后同时或连续进行成为第二电极的层的在比谐振器端面靠外侧的位置形成的部分的去除和谐振器端面的形成的蚀刻工序。

本发明涉及一种边缘发射的激光二极管,其包括半导体层堆叠,所述半导体层堆叠的生长方向确定垂直方向,并且其中,半导体层堆叠包括有源层和波导层。热应力元件布置成与半导体层堆叠至少间接接触,其中,热应力元件设置成用于在波导层中产生热诱导的机械应力,所述机械应力抵消热透镜的形成。

本发明提供了一种半导体结构钝化方法及设备,涉及半导体解理的技术领域,所述半导体结构钝化方法包括步骤：将半导体结构置入到腔室内；利用氩等离子体轰击半导体结构的腔面；利用氢等离子体轰击半导体结构的腔面；向腔室内通入氮等离子体,以使氮等离子体能够在半导体结构腔面上形成氮化物层；在氮等离子体的环境下,向腔室输入铝源,用于在氮化物层的腔面形成氮化铝过渡层；在氮等离子体的环境下,向腔室输入镓源和砷源进行原子沉积,用于在氮化铝过渡层的表面形成铝镓砷钝化层。清除掉半导体结构腔面吸附的残渣颗粒和氧化物并进行表面钝化,可以极大降低腔面复合中心的存在,从而提高半导体结构的输出性能与寿命。

本发明涉及通信芯片半导体技术领域,提供了一种通信激光器半导体芯片的制作方法,包括如下步骤：S1,将待端面镀膜的晶圆进行解条夹条得到Bar条,并进行处理；S2,处理完后在待镀Bar条的出光腔面依次镀三层高透过膜系,三层所述高透过膜系分别为第一Si膜、第一SiO膜以及第一SiO-2：H膜；S3,在完成出光腔面的镀膜后,接着对待镀Bar条的背光腔面依次镀四层高反射膜系,三层高反射膜系分别为第二SIO膜、第二Si膜、第二SiO-2：H膜以及第三Si膜。还提供一种通信激光器半导体芯片,由上述的通信激光器半导体芯片的制作方法制得。本发明端面膜系采用纯Si系多层膜能有效提升膜层间的晶格匹配度,减少因晶格失配比高造成的激子、缺陷和晶格振动进而影响光吸收系数。