在一个实施例中,一种温度传感器具有：第一感测单元(20),其可操作以提供表示供电单元(19)的第一温度值的第一伪差分单极模拟信号(31)；接口电路(21),其可操作以提供表示受电单元(22)的第二温度值的第二伪差分单极模拟信号(32)；复用器电路(23),其可操作以提供包括第一模拟信号(31)或第二模拟信号(32)的伪差分单极复用模拟信号(33)；以及第一模数转换器(ADC)部件(24),其可操作以根据复用模拟信号(33)来提供第一数字信号(34),该第一数字信号(34)包括第一模拟信号(31)或第二模拟信号(32)的数字表示。其中,第一ADC部件(24)的操作与被设计为用于激活供电单元(19)的控制信号(30)同步。

本申请涉及一种VCSEL激光光源及其发光方法。该VCSEL激光光源包括至少二VCSEL激光投射单元,其中,所述VCSEL激光投射单元之间的间距大于或等于30um。各所述VCSEL激光投射单元所发射的激光都指向所述VCSEL激光光源待照明的位置,以使得各所述VCSEL激光投射单元所发射的激光在待照明位置重叠。这样,所述VCSEL激光光源所发射的激光具有的条纹对比度为单个所述VCSEL激光投射单元所发射的激光具有的条纹对比度的1/6-1/5。

本发明提出一种宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法,其特征在于：在下波导层和上波导层之间设置有应变补偿多量子阱；所述应变补偿多量子阱包括：下部的经第一高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、中部的经第二高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、以及上部的不经高温处理的压应变AlGaInAs量子阱。其可实现超过工业级温度范围单模工作,并实现在单片上的多波长DFB阵列激光光源,同时可实现不同DFB波长的精确调控,产品可应用在5G无线网、数据中兴等应用领域,提高应用端的集成度并降低应用成本。

本发明公开了一种窄脉宽高功率激光器恒流驱动电路的驱动方法,包括：输出恒定电流的步骤：根据激光器所需要的恒定电流值I1,计算第一模拟开关的输出电压值V2,设置电压信号DA1的电压值等于V2的电压值,设置PWM信号为恒定电压信号,使所述第一模拟开关的第二端子连接到输出端子；输出脉冲电流的步骤：根据激光器所需要的脉冲电流值的幅值I1,计算第一模拟开关的输出电压值V2,设置电压信号DA1的电压值等于V2的电压值,设置PWM信号为窄脉宽信号,使第一模拟开关芯片的第一端子和第二端子根据PWM信号分别连接到输出端子。本发明电路通过PWM信号调制第一模拟开关输出脉宽调制电压,使输出电流与PWM波形对应,达到窄脉宽高功率激光器恒流驱动的目的。

提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4),其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22),所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上,所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10),所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

本发明提供一种DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法,形成具有牺牲层的外延结构,在第一刻蚀形成显露牺牲层的刻蚀窗口后,采用第二刻蚀以完全去除牺牲层,并以外力方式去除悬空的钝化层及掩膜层以完全显露接触层,可形成完全覆盖接触层的正面电极；本发明制备的正面电极可完全覆盖接触层,从而能够实现电极窗口最大化,可有效改善DFB激光器的电学和热学特性,提高DFB激光器的性能,且在制备正面电极自对准工艺过程中,沟槽侧壁的钝化层由于未经过刻蚀等工艺,从而下波导层、有源层、上波导层可得到完整保护,避免刻蚀工艺对波导层及有源层的损伤,提高DFB激光器质量。

本发明提供了一种半导体激光器芯片表面保护方法,在电极表面涂覆一层金属Cr膜。之后在金属Cr膜上淀积一层耐磨的保护介质薄膜,如SiO-(2)、SiN和SiON等来增加器件表面的耐磨性,从而保护了电极表面和侧壁。本发明采用的粘附金属去除工艺技术不仅可以克服湿法腐蚀工艺引起的侧壁过腐蚀现象,而且也避免了采用干法刻蚀技术带来的等离子对器件表面的轰击。从而避免了离子轰击造成的影响激光器可靠性的潜在隐患。

本发明涉及一种激光器发光控制系统及方法,准连续激光器。所述系统包括：第一开关,受控端用于获取开关信号,所述输入端用于获取功率信号；控制模块,控制模块的输出端用于输出比较信号,控制模块的第一输入端与第一开关的输出端连接,控制模块的第二输入端用于获取开关信号；第二开关,第二开关的受控端与控制模块的输出端连接,由比较信号控制第二开关的断开与闭合,第二开关的输入端与第一开关的输出端连接,第二开关的输出端用于向驱动模块输出功率信号。本发明根据开关信号的开态时长实时调整第一信号的幅值,开态时长越长、第一信号幅值越小,并在功率信号大于第一信号的幅值时使激光发光器件暂停发光,提高超调保护的可靠性。

本发明公开一种覆晶型的电激发光子晶体面射型激光元件,其磊晶结构设有一高台,高台设有多个空气孔洞,形成一光子晶体结构,又磊晶结构设有一凹台,凹台的面向与光子晶体结构的面向呈同一面向；一第一电极金属,位于绝缘层上,并覆盖光子晶体结构上；一第二电极金属,位于凹台上,并凸出于凹槽外,使第一电极金属的面向与第二电极金属的面向呈同一面向,再以第一电极金属接合至第一接合金属与第二电极金属接合至第二接合金属,使光子晶体结构呈覆晶。

本发明提供一种半导体激光器,该半导体激光器包括至少两级合束器以及多组泵浦源,下一级合束器的输入端通过光纤与多个上一级合束器的输出端连接；其中,第一级合束器的数量为多个,且所述第一级合束器的输入端通过光纤与一组泵浦源的输出端连接,每组泵浦源均包含有多个泵浦源。本发明提供的半导体激光器,可以提升输出功率至万瓦级,且加工效率高、能量分布均匀以及易于集成。