本发明提出一种宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法,其特征在于：在下波导层和上波导层之间设置有应变补偿多量子阱；所述应变补偿多量子阱包括：下部的经第一高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、中部的经第二高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、以及上部的不经高温处理的压应变AlGaInAs量子阱。其可实现超过工业级温度范围单模工作,并实现在单片上的多波长DFB阵列激光光源,同时可实现不同DFB波长的精确调控,产品可应用在5G无线网、数据中兴等应用领域,提高应用端的集成度并降低应用成本。

本发明涉及一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器,包括衬底、位于衬底上方的键合金属层,键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向排布且彼此相连的种子激光区和总线波导,总线波导的一侧设有沿激光器的长度方向排布且彼此间隔开的谐振环和过渡电极,谐振环和过渡电极之间架设有金属空气桥,并且种子激光区的端部以及总线波导的端部设有吸收边界。本发明还提供一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器的制备方法,本发明能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹矢量涡旋激光,可以实现中空的环状远场光斑,所发射的矢量涡旋光可以分解成携带轨道角动量的左旋和右旋圆偏振光,偏振特性为角向偏振,具有稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高的优点。

本发明涉及一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器,包括一衬底以及位于该衬底上方的键合金属层,所述键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向依次排布的种子激光区、渐变放大区、绝缘区、发射区,种子激光区的与渐变放大区相对的一侧设有第一吸收区,发射区的周侧设有第二吸收区；渐变放大区的宽度从种子激光区向绝缘区渐张,绝缘区的宽度从渐变放大区向发射区渐张。本发明还提供一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器的制备方法,本发明能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹标量涡旋激光,可以实现中空的环状远场光斑,相位呈螺旋形携带轨道角动量,可以实现特定的拓扑荷数,偏振特性为线性,稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高。

本发明涉及一种辐射发射器及其制备方法,包括的步骤如下,制备堆叠层,其包括第一反射器有源区、可氧化层和第二反射器；和局部移除所述堆叠层,从而形成至少一个台面,其中至少一个台面包括第一反射器、有源区、可氧化层和第二反射器,其特征在于在局部移除堆叠层并形成至少一个台面之前或之后,执行以下步骤：在堆叠层内部,每个辐射发射器垂直蚀刻至少三个盲孔,其中所述盲孔至少垂直延伸至可氧化层,并暴露所述氧化层；然后通过盲孔的侧壁横向氧化可氧化层,其中氧化面从每个孔径向外移动,并且在整个可氧化层被氧化前停止刻蚀,从而每个辐射发射器形成至少一个被至少三个氧化面限制的孔径。

一种窄线宽的半导体器件及其制备方法,其中,窄线宽的半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的增益结构；位于部分所述增益结构背向所述衬底层一侧的线宽调制层；所述线宽调制层包括：透射单元,所述透射单元包括第一周期复合膜、以及位于所述第一周期复合膜背向所述增益结构一侧表面的第二周期复合膜；位于所述透射单元背向所述增益结构一侧的缺陷层；位于所述缺陷层背向所述增益结构一侧的第三周期复合膜；所述第二周期复合膜、缺陷层和所述第三周期复合膜形成谐振腔。所述窄线宽的半导体器件出射的光的线宽有效的变窄、且结构简单、集成度较高。

本发明提供一种DFB激光器正面电极窗口自对准制备方法,形成具有牺牲层的外延结构,在第一刻蚀形成显露牺牲层的刻蚀窗口后,采用第二刻蚀以完全去除牺牲层,并以外力方式去除悬空的钝化层及掩膜层以完全显露接触层,可形成完全覆盖接触层的正面电极；本发明制备的正面电极可完全覆盖接触层,从而能够实现电极窗口最大化,可有效改善DFB激光器的电学和热学特性,提高DFB激光器的性能,且在制备正面电极自对准工艺过程中,沟槽侧壁的钝化层由于未经过刻蚀等工艺,从而下波导层、有源层、上波导层可得到完整保护,避免刻蚀工艺对波导层及有源层的损伤,提高DFB激光器质量。

本发明提供相位调制和受激布里渊散射的光频率梳产生方法及装置,涉及激光技术领域。该级联的基于受激布里渊散射光频率梳产生装置,包括：可控间隔双波长产生模块、SBS光频率梳产生模块A、SBS光频率梳产生模块B和合束模块,本发明还提供了基于受激布里渊散射的光频率梳产生方法,包括：S1、DFB激光器产生单频激光,该单频激光经过相位调制器,受到正弦信号的相位调制后,形成梳状光谱,基于光频率梳A的最后一个激光波长即是光频率梳B的泵浦光波长,光频率梳A和光频率梳B能进行无缝衔接,构建组合的光频率梳。构建可无缝衔接的光频率梳组,并进行组合,获得了平坦且宽带的光频率梳,大幅增加光频率梳梳齿个数。

本发明公开了一种780nm分布反馈布拉格半导体激光器腔面膜结构,包括780nm分布反馈布拉格半导体激光bar条(1)、前腔面膜(2)和后腔面膜(3)。前腔面膜(2)包括第一层膜10.00 nm Si(4)、第二层膜229.88 nm Al-(2)O-(3)(5)、第三层膜64.44 nm TiO-(2)(6)和第四层膜82.59 nm Al-(2)O-(3)(7)；后腔面膜(3)包括第五层膜10.00 nm Si(8)、第六层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(9)、第七层膜57.35 nm Si(10)、第八层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(11)、第九层膜57.35 nm Si(12)、第十层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(13)、第十一层膜57.35 nm Si(14)、第十二层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(15)、第十三层膜57.35 nm Si(16)。

本发明公开一种基于角锥阵列外腔反射镜的法拉第激光器及其实现方法,属于半导体激光技术领域,通过将两片永磁铁放在填充有旋光原子的原子气室的两侧,原子气室处在轴向磁场中,调整永磁铁和原子气室的距离来调整磁场的大小,旋光原子蒸汽在磁场的作用下发生塞曼分裂,并对入射激光的偏振方向发生偏转,通过对特定波长的光进行旋转,可以透过所需要的波长范围内的激光,再利用角锥阵列外腔反射镜对激光进行反射和透射,使反射光沿原光路返回形成窄线宽激光。该角锥阵列外腔反射镜利用其不同锥面对激光进行原路反射,突破了现有技术中由于固体胶老化及外界机械震动的影响造成法拉第激光器的频率稳定度难以提升的瓶颈。

本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法,该方法包括获得激光器下结构体,激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层,形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层,并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层,并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层,得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层,可避免引入缺陷；不需制备光栅,实现纯增益耦合,制作流程非常简单。