本发明涉及一种辐射发射器及其制备方法,包括的步骤如下,制备堆叠层,其包括第一反射器有源区、可氧化层和第二反射器；和局部移除所述堆叠层,从而形成至少一个台面,其中至少一个台面包括第一反射器、有源区、可氧化层和第二反射器,其特征在于在局部移除堆叠层并形成至少一个台面之前或之后,执行以下步骤：在堆叠层内部,每个辐射发射器垂直蚀刻至少三个盲孔,其中所述盲孔至少垂直延伸至可氧化层,并暴露所述氧化层；然后通过盲孔的侧壁横向氧化可氧化层,其中氧化面从每个孔径向外移动,并且在整个可氧化层被氧化前停止刻蚀,从而每个辐射发射器形成至少一个被至少三个氧化面限制的孔径。

一种窄线宽的半导体器件及其制备方法,其中,窄线宽的半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的增益结构；位于部分所述增益结构背向所述衬底层一侧的线宽调制层；所述线宽调制层包括：透射单元,所述透射单元包括第一周期复合膜、以及位于所述第一周期复合膜背向所述增益结构一侧表面的第二周期复合膜；位于所述透射单元背向所述增益结构一侧的缺陷层；位于所述缺陷层背向所述增益结构一侧的第三周期复合膜；所述第二周期复合膜、缺陷层和所述第三周期复合膜形成谐振腔。所述窄线宽的半导体器件出射的光的线宽有效的变窄、且结构简单、集成度较高。

本发明公开了一种780nm分布反馈布拉格半导体激光器腔面膜结构,包括780nm分布反馈布拉格半导体激光bar条(1)、前腔面膜(2)和后腔面膜(3)。前腔面膜(2)包括第一层膜10.00 nm Si(4)、第二层膜229.88 nm Al-(2)O-(3)(5)、第三层膜64.44 nm TiO-(2)(6)和第四层膜82.59 nm Al-(2)O-(3)(7)；后腔面膜(3)包括第五层膜10.00 nm Si(8)、第六层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(9)、第七层膜57.35 nm Si(10)、第八层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(11)、第九层膜57.35 nm Si(12)、第十层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(13)、第十一层膜57.35 nm Si(14)、第十二层膜120.71 nm Al-(2)O-(3)(15)、第十三层膜57.35 nm Si(16)。

本发明公开一种基于角锥阵列外腔反射镜的法拉第激光器及其实现方法,属于半导体激光技术领域,通过将两片永磁铁放在填充有旋光原子的原子气室的两侧,原子气室处在轴向磁场中,调整永磁铁和原子气室的距离来调整磁场的大小,旋光原子蒸汽在磁场的作用下发生塞曼分裂,并对入射激光的偏振方向发生偏转,通过对特定波长的光进行旋转,可以透过所需要的波长范围内的激光,再利用角锥阵列外腔反射镜对激光进行反射和透射,使反射光沿原光路返回形成窄线宽激光。该角锥阵列外腔反射镜利用其不同锥面对激光进行原路反射,突破了现有技术中由于固体胶老化及外界机械震动的影响造成法拉第激光器的频率稳定度难以提升的瓶颈。

本发明提供一种高功率单模低发散角半导体器件及其制备方法,高功率单模低发散角半导体器件包括：衬底层；位于衬底层一侧的第一布拉格部分反射层；位于第一布拉格部分反射层背向衬底层一侧的有源层；位于有源层背向衬底层一侧的第二布拉格反射层；位于衬底层背向有源层一侧的反射结构,反射结构的反射率大于第一布拉格部分反射层的反射率且小于第二布拉格反射层的反射率；第二布拉格反射层和第一布拉格部分反射层形成谐振腔,第一布拉格部分反射层和反射结构形成调制反馈腔,所述调制反馈腔使高阶模式的光被损耗。通过调制反馈腔的反馈调控,实现了高集成度的高功率单模低发散角半导体器件的高功率单模光输出。

本公开提供了一种可实现两级啁啾补偿的可调谐激光器、电子设备及制备方法,其中,该可调谐激光器包括衬底、DBR结构和电吸收结构。其中,DBR结构包括增益区和相位区,增益区用于产生和输出光信号,并接收第一射频信号；相位区用于对光信号进行微调谐,并在增益区接收第一射频信号的同时,接收第二射频信号,以对DBR结构的正向啁啾光信号进行第一级啁啾补偿,以生成第一级输出正向啁啾信号；电吸收结构与DBR在水平方向上相邻并设置于衬底上,其中,电吸收结构用于接收第三射频信号,以对接收的第一级输出正向啁啾信号进行第二级啁啾补偿。因此,实现了DBR结构和电吸收结构在功能上的相互支持,实现两级啁啾补偿,增大消光比和传输距离。

本发明提供了一种增益器件,包括：顶保护层、窗口层、有源层和双波长分布式布拉格反射区,双波长分布式布拉格反射区包括第一分布式布拉格反射区和第二分布式布拉格反射区；窗口层设置在有源层上；有源层设置在第一分布式布拉格反射区或第二分布式布拉格反射区上,用于吸收通过窗口层的泵浦光的能量并发射激光；第一分布式布拉格反射区用于改变经过有源层后的泵浦光的传播方向,并将传播方向改变后的泵浦光反射至有源层,第二分布式布拉格反射区用于改变依次经过窗口层和有源层后的第一反射激光的传播方向,并将传播方向改变后的第一反射激光反射至有源层。本发明还提供了一种半导体激光器和半导体激光器的制作方法。

本发明的目的在于,提供一种能够抑制来自半导体光放大器等正向偏置光元件的漏电流向反射镜的流入,并防止谱线宽度的宽大化的半导体光集成元件。半导体光集成元件是在半导体基板的上表面单片集成有正向偏置光元件和半导体激光器的半导体光集成元件,具备：无源波导部,其配置于所述正向偏置光元件与所述半导体激光器之间；以及接地电极,其配置于所述半导体基板的下表面,所述半导体激光器在所述正向偏置光元件侧具有具有长度的反射镜,所述正向偏置光元件在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有正向偏置光元件电极,所述无源波导部在与所述半导体基板相接的一侧的相反侧具有无源波导电极,所述无源波导电极与所述接地电极电连接。