在一个实施例中,一种温度传感器具有：第一感测单元(20),其可操作以提供表示供电单元(19)的第一温度值的第一伪差分单极模拟信号(31)；接口电路(21),其可操作以提供表示受电单元(22)的第二温度值的第二伪差分单极模拟信号(32)；复用器电路(23),其可操作以提供包括第一模拟信号(31)或第二模拟信号(32)的伪差分单极复用模拟信号(33)；以及第一模数转换器(ADC)部件(24),其可操作以根据复用模拟信号(33)来提供第一数字信号(34),该第一数字信号(34)包括第一模拟信号(31)或第二模拟信号(32)的数字表示。其中,第一ADC部件(24)的操作与被设计为用于激活供电单元(19)的控制信号(30)同步。

本发明涉及一种辐射发射器及其制备方法,包括的步骤如下,制备堆叠层,其包括第一反射器有源区、可氧化层和第二反射器；和局部移除所述堆叠层,从而形成至少一个台面,其中至少一个台面包括第一反射器、有源区、可氧化层和第二反射器,其特征在于在局部移除堆叠层并形成至少一个台面之前或之后,执行以下步骤：在堆叠层内部,每个辐射发射器垂直蚀刻至少三个盲孔,其中所述盲孔至少垂直延伸至可氧化层,并暴露所述氧化层；然后通过盲孔的侧壁横向氧化可氧化层,其中氧化面从每个孔径向外移动,并且在整个可氧化层被氧化前停止刻蚀,从而每个辐射发射器形成至少一个被至少三个氧化面限制的孔径。

本发明涉及半导体技术领域,公开了一种边发射半导体激光器,包括依次设置的衬底、缓冲层、N型下限制层、N型下模式扩展层、N型下低折射率层、N型下波导层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、P型上波导层、P型上低折射率层、P型上模式扩展层、P型上限制层和盖层；量子阱层采用InGaAs材料,第一势垒层和第二势垒层采用GaInP材料；N型下低折射率层和P型上低折射率层均采用Al-(0.5)GaAs材料,N型下模式扩展层和P型上模式扩展层均采用Al-(0.35)GaAs材料。本发明在传统的InGaAs/GaAs量子阱结构基础上,引入GaInP材料作为势垒,起到限制电子和应变缓冲的作用；并采用模式扩展层和低折射率层来降低垂直发散角和阈值电流,避免阈值电流随垂直发散角的降低而急速上升。

一种用于制造发射器阵列的方法可以包括为第一通道的第一组发射器提供第一金属化层,其中第一金属化层包括位于第一组发射器和第二通道的第二组发射器之间的第一通道间部分。该方法可以包括在第一金属化层的第一通道间部分上沉积介电层。该方法可以包括为第二组发射器提供第二金属化层,其中第二金属化层包括位于第一组发射器和第二组发射器之间的第二通道间部分,并且其中第二金属化层的第二通道间部分至少部分地与第一金属化层的第一通道间部分重叠。

一种窄线宽的半导体器件及其制备方法,其中,窄线宽的半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的增益结构；位于部分所述增益结构背向所述衬底层一侧的线宽调制层；所述线宽调制层包括：透射单元,所述透射单元包括第一周期复合膜、以及位于所述第一周期复合膜背向所述增益结构一侧表面的第二周期复合膜；位于所述透射单元背向所述增益结构一侧的缺陷层；位于所述缺陷层背向所述增益结构一侧的第三周期复合膜；所述第二周期复合膜、缺陷层和所述第三周期复合膜形成谐振腔。所述窄线宽的半导体器件出射的光的线宽有效的变窄、且结构简单、集成度较高。

本发明公开了一种半导体光电芯片的保护层及其半导体的制备工艺,光电芯片的保护层从下至上依次为第一氮化硅层、Al-(2)O-(3)/SiO-(2)层以及第二氮化硅层,呈现一种三明治结构。制备具有上述保护层的半导体器件,其工艺包括以下步骤：芯片加工；清洗晶圆；在晶圆表面沉积第一氮化硅层；在第一氮化硅层上沉积Al-(2)O-(3)/SiO-(2)层；在Al-(2)O-(3)/SiO-(2)层上沉积第二氮化硅层；再通过光刻工艺、干法刻蚀工艺以及去除光刻胶,制备得到所需半导体。具有三明治夹层结构的保护层,充分利用不同薄膜层的特性以实现对水汽的长效阻挡,提升器件的耐久性,对半导体器件的电性能不产生影响,且可通过调节保护层的结构以及膜厚来调节对光的反射性质,制备工艺简单、成本低、效能好,具有良好的应用前景。

本发明涉及半导体芯片生产技术领域,公开了一种VCSEL芯片经过ICP蚀刻后的光刻胶去除方法,步骤为：将晶圆清洗、干燥后,先使用氧气等离子体去胶机在带下电极等离子体轰击的条件下去胶,然后使用有机溶剂清洗,并先后在酮类和醇类溶液中浸泡,再在氧气等离子体去胶机内,在不带带下电极轰击的条件下去胶,最后得到清洁的VCSEL芯片。本发明能够高效的将VCSEL芯片经过ICP刻蚀后的光刻胶去除干净,避免光刻胶残留对后续氧化工艺产生影响。

一实施例的垂直腔面发射激光器件,包括：下镜；上镜,布置于所述下镜上方；活性区域,布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层,布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层,布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层,布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层,布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。

该发光装置具备：第一发光元件阵列,其包含以第一间隔配置的多个第一发光元件；第二发光元件阵列,其包含以比第一间隔宽的第二间隔配置的多个第二发光元件,构成为输出比第一发光元件阵列的光输出高的光输出,并构成为独立于第一发光元件阵列而被驱动；以及光扩散部件,其设置在第二发光元件阵列的射出路径上。

本申请公开了一种光发射器、深度模组和终端。光发射器包括第一衬底、发光模块和驱动模块。所述第一衬底包括相背的第一侧和第二侧；所述发光模块设置在所述第一侧,所述发光模块包括多个发光单元；及所述驱动模块设置在所述第二侧,所述驱动模块与所述发光模块电连接,以驱动所述发光单元发光。本申请实施方式的光发射器、深度模组和终端中,发光模块和驱动模块分别设置在第一衬底的两侧,相较于驱动模块、发光模块和两者的走线部分均设置在第一衬底同一侧,占用面积较大而言,驱动模块和发光模块设置在第一衬底的两侧时,驱动模块和发光模块占据第一衬底的面积较少,有利于深度模组的小型化。