本发明提出一种宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法,其特征在于：在下波导层和上波导层之间设置有应变补偿多量子阱；所述应变补偿多量子阱包括：下部的经第一高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、中部的经第二高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、以及上部的不经高温处理的压应变AlGaInAs量子阱。其可实现超过工业级温度范围单模工作,并实现在单片上的多波长DFB阵列激光光源,同时可实现不同DFB波长的精确调控,产品可应用在5G无线网、数据中兴等应用领域,提高应用端的集成度并降低应用成本。

提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4),其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22),所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上,所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10),所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

本申请提供了一种无源段脊波导结构及其制造方法、激光器,包括第一波导、第二波导和扩展波导；第一波导包括进光端和出光端,第二波导位于第一波导靠近出光端的一侧,以使部分从进光端进入的光束依次经过出光端和第二波导传播至无源段脊波导结构外；扩展波导设置在第二波导的外周侧,第一波导沿朝向第二波导的方向截面递减,以使部分从进光端进入的光束经过第二波导传播至无源段脊波导结构外。制造方法包括制作掩膜,将掩膜盖在基材上,通过干法刻蚀与湿法腐蚀在基材上刻蚀出第一波导、第二波导和至少一个扩展波导,本申请提供的一种无源段脊波导结构及其制造方法、激光器,能够减小输出光束的发散角,实现光场耦合。

本发明公开了一种紧凑型激光光源,包括依次相互配合的激光器(1)、第二微透镜阵列(2)和汇聚透镜(3)；所述激光器(1)包括壳体(101),壳体(101)上设有一组矩形阵列均匀分布且相互独立的垂直安装腔(102),垂直安装腔(102)内设有半导体激光器(4)；所述半导体激光器(4)包括依次分布的P-DBRs层(401)、AlAs层(402)、第一氧化限制层(403)、P面电极(404)、电流引导层(405)、第二氧化限制层(406)、有源区(407)、N-DBRs(408)、衬底层(409)和N面电极(410),所述衬底层(408)底部还设有光束发散角准直球面镜(5)。本发明具有装调工艺步骤简单以及体积较小的特点。

QCL具备半导体基板和设置于半导体基板上的活性层。活性层具有级联结构,该级联结构层叠多级包括使光产生的发光层和电子从发光层被输送的注入层的单位层叠体而成。发光层及注入层分别具有量子阱层及势垒层交替层叠的量子阱结构。在单位层叠体中的发光层和注入层之间设置有分离层,该分离层包括具有比发光层中所含的量子阱层的平均层厚小且比注入层中所含的量子阱层的平均层厚小的层厚的分离量子阱层。

本发明提供一种边发射激光器,包括波导,波导与空气的交界处形成交界面,在波导的激光输出端形成沿光轴对称的劈尖,劈尖用于减小波导中激光在交界面处的入射角,使激光从交界面入射到空气中。本发明相比传统的边发射激光器,本发明通过在波导的激光输出端形成劈尖,减小激光在波导与空气交界处的入射角,降低激光在该交界处的反射。波导整体为直线型且劈尖沿光轴对称,使光学谐振腔的整个光路沿光轴对称,降低调节光学谐振腔的难度,使激光形成稳定的振荡。

本发明涉及一种边缘发射的激光二极管,其包括半导体层堆叠,所述半导体层堆叠的生长方向确定垂直方向,并且其中,半导体层堆叠包括有源层和波导层。热应力元件布置成与半导体层堆叠至少间接接触,其中,热应力元件设置成用于在波导层中产生热诱导的机械应力,所述机械应力抵消热透镜的形成。

一种具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器,包括：下波导层；多量子阱层,形成于所述下波导层上；以及阶梯状上波导层,形成于所述多量子阱层上；其中,所述阶梯状上波导层包括：In-xGa-(1-x)N层和In-yGa-(l-y)N层；In-xGa-(1-x)N层,形成于所述多量子阱层上,In-yGa-(l-y)N层,形成于所述In-xGa-(l-x)N层上；x、y分别满足：0.01≤x≤0.1,0≤y≤0.015,并且x≠y。本发明通过调控具有阶梯状上波导的InGaN/GaN量子阱激光器的能带可有效的增加激光器的空穴注入效率,同时降低了光学损耗,从而改善了InGaN/GaN量子阱激光器的斜率效率和功率转换效率。

本发明提出一种激光器及其制造方法与应用,包括：衬底；至少两个发光阵列,设置在所述衬底上,所述发光阵列包括至少两个发光单元,至少两个所述发光单元之间串联连接；隔离结构,设置所述衬底上,位于至少两个所述发光阵列之间,所述隔离结构用于电隔离至少两个所述发光阵列；其中,所述发光阵列包括：第一反射层,设置在所述衬底上,所述第一反射层包括至少一层第一半导体层,所述第一半导体层与所述衬底接触,所述第一半导体层的离子掺杂类型与所述衬底的离子掺杂类型相反,所述第一半导体层用于电隔离所述发光阵列和所述衬底。本发明可以提高激光器的质量和可靠性。

提供发光装置以及投影仪,能够提高光封闭系数。发光装置包含具有多个柱状部的层叠体,所述层叠体具有：第1半导体层；第2半导体层,其导电类型与所述第1半导体层不同；发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及第3半导体层,所述第1半导体层和所述发光层构成所述柱状部,所述第2半导体层设置在所述发光层与所述第3半导体层之间,所述第2半导体层具有多个凹部,由所述第2半导体层的规定所述凹部的面和所述第3半导体层的靠所述第2半导体层侧的面形成空隙。