一实施例的垂直腔面发射激光器件,包括：下镜；上镜,布置于所述下镜上方；活性区域,布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层,布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层,布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层,布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层,布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。

描述了一种可调谐固态激光设备,该可调谐固态激光设备包括基于半导体的增益芯片和具有调谐能力的硅光子滤波器芯片。硅光子滤波器芯片包括输入-输出硅波导、连同硅波导形成的至少两个环形谐振器、与环形谐振器相互接口的一个或多个连接硅波导、与每个环形谐振器相关联的单独加热器、被配置为测量芯片温度的温度传感器、以及连接到温度传感器和单独加热器的并设计有反馈回路以维持滤波器温度从而提供经调谐频率的控制器。一个或多个连接硅波导被配置为将与至少两个环形谐振器中的每一个环形谐振器谐振的光重定向回通过输入-输出硅波导。描述了用于控制激光频率的相应方法。SiPho多滤波器芯片的改进结构涉及Zagnac干涉仪。

在一个实施方式中,边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。

本发明是一种有机激光器件及其制备方法,该有机激光器件包括衬底、栅极、介电层、有源层、源极和漏极,衬底、栅极和介电层为透明材料,介电层具备光学谐振腔。该有机激光器件的制备方法包含如下步骤：(1)在栅极上制备介电层；(2)在介电层上制备光学谐振腔及有源层；(3)在有源层上制备源极和漏极。本发明的制备方法可更方便引入谐振腔,简单易行、成本低廉,适用于构筑柔性有机激光器件,通过本方法制备的有机激光器件不仅可实现场效应载流子传输,此外可同时实现激光出射,在电泵浦有机激光器件方面具有重要应用前景。

本公开提供了一种AlGaN薄膜的制备方法,包括：对衬底进行热处理,以使所述衬底的生长面转变为岛状起伏结构；在所述生长面上生长多孔AlN薄膜；在所述多孔AlN薄膜上生长表面合并的AlGaN薄膜。该方法不仅可以提高外延层的晶体质量,而且可以通过多孔结构有效缓解外延层应力,进而制备高质量的AlGaN薄膜。

提供发光装置以及投影仪,能够提高光封闭系数。发光装置包含具有多个柱状部的层叠体,所述层叠体具有：第1半导体层；第2半导体层,其导电类型与所述第1半导体层不同；发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；以及第3半导体层,所述第1半导体层和所述发光层构成所述柱状部,所述第2半导体层设置在所述发光层与所述第3半导体层之间,所述第2半导体层具有多个凹部,由所述第2半导体层的规定所述凹部的面和所述第3半导体层的靠所述第2半导体层侧的面形成空隙。