提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4),其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22),所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上,所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10),所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

在一个实施方式中,边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。

一种边缘发射的激光棒(100),所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1),所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外,激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2),所述单个发射器在符合规定的运行中分别发射激光辐射。多个接触元件(20)沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置在接触侧上。每个接触元件与一个单个发射器相关联。每个接触元件经由接触侧的连通的接触区域(12)导电地耦合到半导体层序列上。激光棒在两个相邻的单个发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)。解耦结构包括施加在接触侧上的冷却元件(30),所述冷却元件完全覆盖接触侧的连通的冷却区域(13)。冷却元件沿着冷却区域与半导体层序列电绝缘并且沿着冷却区域热耦合到半导体层序列上。冷却区域具有沿着侧面的横向方向测量的宽度,所述宽度是相邻的接触区域的宽度的至少一半大。

本发明提供一种激光二极管条及其制造方法和波长光束耦合系统。用于波长光束耦合系统的激光二极管条的制造方法包括：准备氮化物半导体基板(10)的工序,该氮化物半导体基板具有从(0001)面向m轴或a轴的至少一个轴被赋予了大于0°的偏离角的基板面；在氮化物半导体基板(10)上形成层叠构造体的工序,该层叠构造体包含第1导电型包层(21)、活性层(22)及第2导电型包层(23)；以氮化物半导体基板(10)具有的偏离角的主轴方向和发射极(13)的波导方向一致的方式,在层叠构造体形成呈条带状排列的多个发射极(13)的工序；从氮化物半导体基板(10)切出具有多个发射极(13)的激光二极管条(20)的工序。

提出一种用于发射辐射的半导体器件(10)的生长结构(1),其包括：-包含基于砷化物化合物半导体的材料的半导体衬底(2),-设置在所述半导体衬底(2)上且包含基于砷化物化合物半导体的材料的缓冲结构(3),以及-具有至少一个n掺杂层(5)的缓冲层(4),其中所述n掺杂层(5)包含氧。此外,提出一种具有生长结构(1)的发射辐射的半导体器件(10)。

本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法,通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面,来缓解AlGaN厚膜的应力,显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小,后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并,形成原子级平整表面,进而生长得到高质量的紫外激光器结构。

本申请提出一种多结分布反馈半导体激光器,包含衬底及在衬底表面上生长的激光器DFB-LD功能层；所述DFB-LD功能层中包含多个半导体PN结和光栅；所述多个半导体PN结之间上下分布并且相互电连接,且每个PN结的结区均有发光区；所述光栅位于所述任意一个半导体PN结或半导体PN结之间的连接层。该DFB-LD可以增加激光器的有效发光面积,改善波导截面横向光场分布的对称性,降低激光器的寄生电容参数,从而兼具高功率、高调制速率、高光纤耦合效率的优点。