本发明提出一种宽温度工作单片多波长高速DFB激光光源外延层结构、芯片及其制备方法,其特征在于：在下波导层和上波导层之间设置有应变补偿多量子阱；所述应变补偿多量子阱包括：下部的经第一高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、中部的经第二高温处理的压应变AlGaInAs量子阱、以及上部的不经高温处理的压应变AlGaInAs量子阱。其可实现超过工业级温度范围单模工作,并实现在单片上的多波长DFB阵列激光光源,同时可实现不同DFB波长的精确调控,产品可应用在5G无线网、数据中兴等应用领域,提高应用端的集成度并降低应用成本。

本发明涉及一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器,包括衬底、位于衬底上方的键合金属层,键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向排布且彼此相连的种子激光区和总线波导,总线波导的一侧设有沿激光器的长度方向排布且彼此间隔开的谐振环和过渡电极,谐振环和过渡电极之间架设有金属空气桥,并且种子激光区的端部以及总线波导的端部设有吸收边界。本发明还提供一种太赫兹矢量涡旋量子级联激光器的制备方法,本发明能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹矢量涡旋激光,可以实现中空的环状远场光斑,所发射的矢量涡旋光可以分解成携带轨道角动量的左旋和右旋圆偏振光,偏振特性为角向偏振,具有稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高的优点。

本发明涉及一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器,包括一衬底以及位于该衬底上方的键合金属层,所述键合金属层的上方设有沿激光器的长度方向依次排布的种子激光区、渐变放大区、绝缘区、发射区,种子激光区的与渐变放大区相对的一侧设有第一吸收区,发射区的周侧设有第二吸收区；渐变放大区的宽度从种子激光区向绝缘区渐张,绝缘区的宽度从渐变放大区向发射区渐张。本发明还提供一种太赫兹标量涡旋量子级联激光器的制备方法,本发明能够直接发射有较高模式纯度的太赫兹标量涡旋激光,可以实现中空的环状远场光斑,相位呈螺旋形携带轨道角动量,可以实现特定的拓扑荷数,偏振特性为线性,稳定性高、激发效率高、线宽窄、边模抑制比高。

本发明涉及半导体技术领域,公开了一种边发射半导体激光器,包括依次设置的衬底、缓冲层、N型下限制层、N型下模式扩展层、N型下低折射率层、N型下波导层、第一势垒层、量子阱层、第二势垒层、P型上波导层、P型上低折射率层、P型上模式扩展层、P型上限制层和盖层；量子阱层采用InGaAs材料,第一势垒层和第二势垒层采用GaInP材料；N型下低折射率层和P型上低折射率层均采用Al-(0.5)GaAs材料,N型下模式扩展层和P型上模式扩展层均采用Al-(0.35)GaAs材料。本发明在传统的InGaAs/GaAs量子阱结构基础上,引入GaInP材料作为势垒,起到限制电子和应变缓冲的作用；并采用模式扩展层和低折射率层来降低垂直发散角和阈值电流,避免阈值电流随垂直发散角的降低而急速上升。

一实施例的垂直腔面发射激光器件,包括：下镜；上镜,布置于所述下镜上方；活性区域,布置于所述下镜和所述上镜之间；下n型覆层,布置于所述活性区域和所述下镜之间；上n型覆层,布置于所述活性区域和所述上镜之间；高浓度掺杂的p型半导体层,布置于所述活性区域和所述上n型覆层之间；以及高浓度掺杂的n型半导体层,布置于所述高浓度掺杂的p型半导体层和所述上n型覆层之间而与所述高浓度掺杂的p型半导体层形成隧道接合。

提供能够抑制噪声的光学装置。光学装置具备：发光模块,具有第一半导体层、芯层及第二半导体层依次层叠而成的发光元件；及光学系统,供从所述发光模块出射的光入射,所述第一半导体层、所述芯层及所述第二半导体层的层叠方向相对于与所述光学系统的光轴垂直的方向倾斜。

本发明公开了一种全无机半导体量子点激光器的制备方法,所述全无机量子点是以无机ZnO溶胶为表面配体修饰的CdSe/CdS@ZnO量子点,该量子点薄膜经高温退火处理后作为量子点微型激光器的光增益介质层,然后在室温环境下利用电子束热蒸发法沉积高质量的上高反镜,最终制得全无机半导体量子点微型激光器。本发明的全无机量子点激光器,可以有效解决传统量子点因表面有机配体导致的量子点光学性能及器件性能不稳定性的问题,进而增强量子点激光器的发射性能及其稳定性。本发明提出的全无机量子点激光器的制备方有利于促进量子点微型激光器件走向实际应用。

在一个实施方式中,边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。

一种发光元件包括：层压结构体20,其中层压有第一化合物半导体层21、活性层23和第二化合物半导体层22；第一电极31,电连接到第一化合物半导体层21；以及第二电极32和第二光反射层42,形成在第二化合物半导体层22上。在第一化合物半导体层21的第一表面上形成突出部43,至少在突出部43上形成平滑层44,突出部43和平滑层44构成凹面镜部分,在平滑层44的至少部分上形成第一光反射层41,并且第二光反射层42具有平坦形状。

带有AlP载流子阻挡层的Ge/SiGe衬底黄光半导体激光器,并给定了其每层材料相应的组分范围,包括从上至下依次设置的P面电极,P型势垒层,SiN介质层,P型上限制层,载流子阻挡层,上波导层,量子阱,下波导层,N型下限制层,N型变掺杂缓冲层,Si-(1-x)Ge-(x)基体层,Ge衬底,N面电极；本发明的带有AlP载流子阻挡层的Ge/SiGe衬底黄光半导体激光器,在实现黄光激射的同时通过载流子阻挡层抑制载流子泄露,减小了阈值电流,使输出光功率与转换效率得到提升。