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用AⅡBⅥ族化合物材料的，例如ZnCdSe-激光器
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技术分类
在5/02至5/30各组中不包括的放大器结构
面发射激光器的排列
在H01S5/02至H01S5/30各组中不包含的两个或两个以上半导体激光器装置
包含有机材料的
用AⅡBⅥ族化合物材料的，例如ZnCdSe-激光器
用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器
含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器、多量子阱激光器，缓变折射率分别限制异质结构激光器
用AⅡBⅥ族化合物材料的，例如ZnCdSe-激光器
用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器
含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构
激活区的结构或形状；用于激活区的材料
具有槽结构的，例如V-槽结构的
埋入的台面结构
埋入的条状结构
具有脊状或条状结构的
用于控制光波导的半导体的结构或形状
用布拉格反射器的
...仅有水平腔，如：水平腔面发射激光器
具有垂直腔的,只有垂直腔的，如垂直腔面发射激光器
..面发射激光器，如：包括水平和垂直腔的
窗型激光器，即带有在激活区和反射面之间有不吸收材料区的
外腔谐振器激光器
分布布喇格反射器激光器
具有周期性结构的谐振腔，例如在分布反馈激光器
..包括光子带隙结构的
.光学谐振腔的结构或形状
稳定激光器频率的
通过监测光输出参数的
激光器输出参数的稳定
模式锁定；模式抑制；模式选择
在多节激光器里
通过变化电极电位的
控制激光器输出参数的装置，例如控制激活介质
电激励
激励的方法或装置，例如泵激励
涂层
单块集成组件，例如波导，监测光探测器或者激励器
..热管理装置
...电气或光学元件的组合
.....以激光为基准的
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