在一个实施例中,一种温度传感器具有：第一感测单元(20),其可操作以提供表示供电单元(19)的第一温度值的第一伪差分单极模拟信号(31)；接口电路(21),其可操作以提供表示受电单元(22)的第二温度值的第二伪差分单极模拟信号(32)；复用器电路(23),其可操作以提供包括第一模拟信号(31)或第二模拟信号(32)的伪差分单极复用模拟信号(33)；以及第一模数转换器(ADC)部件(24),其可操作以根据复用模拟信号(33)来提供第一数字信号(34),该第一数字信号(34)包括第一模拟信号(31)或第二模拟信号(32)的数字表示。其中,第一ADC部件(24)的操作与被设计为用于激活供电单元(19)的控制信号(30)同步。

注入锁定校正方法及其装置,所述方法包括：改变所述从激光器的注入电流的大小,控制所述从激光器的注入锁定状态在失锁状态和锁定状态之间连续变化；对所述从激光器输出的激光信号进行延迟耦合及拍频处理,获得拍频信号；基于所述拍频信号,确定所述从激光器处于锁定状态时对应的注入电流范围,以所述注入电流范围的中心值作为校正电流值；将所述从激光器的注入电流的大小调整为所述校正电流值。采用上述方案,能够提高注入锁定的稳定性,使从激光器长期处于被锁定状态。

本发明公开了一种用于将多个辐射点投影到对象表面(3)上的设备以及方法,设备具有：至少一个辐射源(1),辐射源具有多个用于发射电磁辐射的发射器(2)；具有至少一个射线路径(4),经由其使得至少暂时由发射器(2)发射的辐射在到对象表面(3)上的方向上被偏转；并且具有控制器(5),其为了改变发射的辐射的至少一个属性而根据在对象表面(3)上待产生的光对象驱控辐射源(1)。控制器(5)实施为,使得为了改变发射的辐射的至少一个属性而根据待产生的光对象分别单独驱控辐射源(1)的多个发射器(2)中的至少两个,并且在射线路径(4)中布置至少一个光学元件(6)以用于成形、偏转和/或转换电磁辐射。

提出一种半导体激光二极管(100),所述半导体激光二极管具有：沿竖直方向生长的半导体层序列(2),所述半导体层序列具有有源层(3),所述有源层设计和设置成在运行中在沿纵向方向(93)延伸的至少一个有源区域(5)中产生光(8)；以及所述半导体层序列上的透明导电的覆盖层(4),其中所述半导体层序列在竖直方向(92)上以上侧(20)终止并且所述上侧具有在竖直方向上设置在所述有源区域上方的接触区域(21)和垂直于竖直方向和纵向方向的横向方向(91)上直接连接于接触区域的至少一个覆盖区域(22),所述覆盖层连续地在所述上侧上施加在所述接触区域和所述至少一个覆盖区域上,所述覆盖层至少在所述至少一个覆盖区域中直接施加在所述半导体层序列的所述上侧上并且存在限定所述至少一个有源区域的至少一个元件(10),所述至少一个元件由所述覆盖层遮盖。还提出一种用于制造半导体激光二极管的方法。

本发明提供相位调制和受激布里渊散射的光频率梳产生方法及装置,涉及激光技术领域。该级联的基于受激布里渊散射光频率梳产生装置,包括：可控间隔双波长产生模块、SBS光频率梳产生模块A、SBS光频率梳产生模块B和合束模块,本发明还提供了基于受激布里渊散射的光频率梳产生方法,包括：S1、DFB激光器产生单频激光,该单频激光经过相位调制器,受到正弦信号的相位调制后,形成梳状光谱,基于光频率梳A的最后一个激光波长即是光频率梳B的泵浦光波长,光频率梳A和光频率梳B能进行无缝衔接,构建组合的光频率梳。构建可无缝衔接的光频率梳组,并进行组合,获得了平坦且宽带的光频率梳,大幅增加光频率梳梳齿个数。

在一个实施方式中,边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2),所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。

本发明涉及激光合束装置及其组合式阶梯反射镜和填充率计算方法,所述激光合束装置包括二维发光阵列和所述组合式阶梯反射镜,所述组合式阶梯反射镜用于反射由所述二维发光阵列发射的多个激光束,所述组合式阶梯反射镜由长度相同但宽度逐渐增大的多个反射镜依次叠合组成,其中经所述组合式阶梯反射镜反射后的激光束的中心距离比入射前的中心距离小,以此能够提高所述二维发光阵列发射的激光束的填充率；本发明还提供了所述激光合束装置的填充率计算方法,根据激光芯片的光斑宽度,预设反射镜的厚度,从而求得组合式阶梯反射镜的阶梯宽度,最终计算得出激光束的填充率,提供了工程应用的计算方法。

本发明涉及一种多激光器构造、尤其RGB激光器模块,包括：具有壳体盖的壳体,在壳体盖中形成有用于使电磁辐射的通过的至少一个开口,该开口具有与其配设的透明元件,包括底板,其中在该壳体内布置有在可见光谱的红色光谱范围内发射的第一激光器、在可见光谱的绿色光谱范围内发射的第二激光器以及在可见光谱的蓝色光谱范围内发射的第三激光器,其中馈电线穿过壳体被引导到各个激光器,并且在激光器运行时,由激光器发射的光的主要部分穿过透明元件,其中每个激光器分别a)在基座上,b)与底板的底面相间隔地布置,并且c)激光器分别彼此对准,其中激光器发射的主方向基本上平行于壳体的底板。

本发明提供了一种多波长集成单模激光种子源,包括：一个集成温控的旋转平台；多个激光器管芯,每个激光器管芯分别具有不同的增益谱峰值；一个光纤分束器,包括：输入端的一支输入光纤和输出端的多支光纤光栅,其中,输入光纤固定于与激光器管芯耦合的最佳位置处,多支光纤光栅同时接收与输入光纤耦合的激光器管芯输出的激光；其中,每支光纤光栅分别具有与每个激光器管芯增益谱峰值对应的光栅反射谱,能够对相应的激光器管芯进行选模,从而实现特定波长的单模激光输出。

一种边缘发射的激光棒(100),所述激光棒包括基于AlInGaN的半导体层序列(1),所述半导体层序列具有接触侧(10)和用于产生激光辐射的有源层(11)。此外,激光棒包括多个沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置的单个发射器(2),所述单个发射器在符合规定的运行中分别发射激光辐射。多个接触元件(20)沿侧面的横向方向并排地并且彼此间隔开地设置在接触侧上。每个接触元件与一个单个发射器相关联。每个接触元件经由接触侧的连通的接触区域(12)导电地耦合到半导体层序列上。激光棒在两个相邻的单个发射器(2)之间的区域中具有热解耦结构(3)。解耦结构包括施加在接触侧上的冷却元件(30),所述冷却元件完全覆盖接触侧的连通的冷却区域(13)。冷却元件沿着冷却区域与半导体层序列电绝缘并且沿着冷却区域热耦合到半导体层序列上。冷却区域具有沿着侧面的横向方向测量的宽度,所述宽度是相邻的接触区域的宽度的至少一半大。