VCSEL激光光源及其发光方法

本申请涉及一种VCSEL激光光源及其发光方法。该VCSEL激光光源包括至少二VCSEL激光投射单元,其中,所述VCSEL激光投射单元之间的间距大于或等于30um。各所述VCSEL激光投射单元所发射的激光都指向所述VCSEL激光光源待照明的位置,以使得各所述VCSEL激光投射单元所发射的激光在待照明位置重叠。这样,所述VCSEL激光光源所发射的激光具有的条纹对比度为单个所述VCSEL激光投射单元所发射的激光具有的条纹对比度的1/6-1/5。

2021-11-02

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多通道发射器阵列的多层金属化

一种用于制造发射器阵列的方法可以包括为第一通道的第一组发射器提供第一金属化层,其中第一金属化层包括位于第一组发射器和第二通道的第二组发射器之间的第一通道间部分。该方法可以包括在第一金属化层的第一通道间部分上沉积介电层。该方法可以包括为第二组发射器提供第二金属化层,其中第二金属化层包括位于第一组发射器和第二组发射器之间的第二通道间部分,并且其中第二金属化层的第二通道间部分至少部分地与第一金属化层的第一通道间部分重叠。

2021-11-02

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发光装置、光学装置以及信息处理装置

该发光装置具备：第一发光元件阵列,其包含以第一间隔配置的多个第一发光元件；第二发光元件阵列,其包含以比第一间隔宽的第二间隔配置的多个第二发光元件,构成为输出比第一发光元件阵列的光输出高的光输出,并构成为独立于第一发光元件阵列而被驱动；以及光扩散部件,其设置在第二发光元件阵列的射出路径上。

2021-10-29

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激光元件

本发明公开一种激光元件,其包括：基板；形成于基板上的第一发光单元与第二发光单元。第一发光单元具有两个发光区,第二发光单元具有数目不同于第一发光单元的发光区。第二发光单元包含：外延叠层,形成于基板上,且包含半导体结构、第一凹槽区及邻近于第一凹槽区的第二凹槽区：以及形成于半导体结构中并位于第一凹槽区和第二凹槽区之间的第一导通孔。自通过第一凹槽区和第二凹槽区的剖视图观之,第一导通孔与第一凹槽区和第二凹槽区分别相隔第一距离和第二距离,第二距离大于第一距离。第一发光单元的每一发光区具有的活性结构是彼此相连。

2021-10-29

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具有一体式微透镜的竖直发射器

本发明公开了一种光电设备(20),该光电设备包括具有第一面和第二面的半导体基板(22)。发射器的第一阵列(24,26)形成在该半导体基板的第一面上,并被配置为发射穿过该基板的辐射的相应光束(28)。耦接电连接件(36,38)以选择性地致动第一阵列中的第一组发射器和第二组发射器。微透镜的第二阵列(30,76,78)形成在半导体基板的第二面上,该微透镜的第二阵列与该第一组发射器和该第二组发射器中的至少一组发射器中的发射器相应地对准,并被配置为聚焦从该第一组发射器和该第二组发射器中的该至少一组发射器中的发射器发射的光束,使得该光束以不同的相应第一聚焦属性和第二聚焦属性从该第二面透射。

2021-10-26

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具有集成定向光束漫射器的底部发射垂直腔面发射激光器阵列

一种底部发射垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片可以包括包含多个VCSEL的VCSEL阵列和包含多个透镜段的集成光学元件。集成光学元件可以将由多个VCSEL提供的光束引导到特定的角度范围,以使用由多个VCSEL提供的光束创建扩散图案。第一透镜段的表面可以倾斜,以使来自第一VCSEL的光束以第一角度被引导,第二(相邻)透镜段的表面可以倾斜,以使来自第二VCSEL的光束以第二角度被引导。第二角度相对于VCSEL阵列表面的方向可以与第一角度相对于VCSEL阵列表面的方向相反。

2021-10-26

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一种垂直腔面发射激光器

本发明实施例公开了一种垂直腔面发射激光器,包括：衬底的表面包括m行n列阵列排布的发光区和非发光区,m和n的乘积大于或等于2；发光单元包括第一反射镜、有源层和第二反射镜,第一反射镜至少位于发光区,有源层和第二反射镜位于发光区；第一欧姆金属层,位于第一反射镜远离衬底的表面,且位于非发光区,第一欧姆金属层在衬底的投影与第一连线在衬底的投影以及第二连线在衬底的投影均无交叠；第一连线为任意同一行的发光单元的中心相连的连线所在的直线,第二连线为任意同一列的发光单元的中心相连的连线所在的直线。本发明实施例提供的技术方案降低了垂直腔面发射激光器中发光单元之间的尺寸。

2021-10-22

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发光装置、光学装置、测量装置以及信息处理装置

本发明提供一种发光装置、光学装置、测量装置以及信息处理装置,与通过多个驱动部来分别驱动多个激光元件阵列的情况相比较,缩短发光的上升时间。发光装置包括：多个驱动部；多个激光元件阵列,分别连接于多个所述驱动部；以及连接配线,在多个所述激光元件阵列间,将所述激光元件阵列的连接于所述驱动部的端子予以连接。

2021-10-15

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钙钛矿光子晶体面发射激光器及其制备方法

本发明提供一种钙钛矿光子晶体面发射激光器及其制备方法,所述激光器包括：光子晶体微腔、单晶钙钛矿和亚波长光栅；所述激光器是由一块片状结构的单晶钙钛矿刻蚀而成；所述光子晶体微腔为所述单晶钙钛矿的第一表面；所述亚波长光栅为所述单晶钙钛矿的第二表面；所述第一表面和所述第二表面为相对面；其中,所述激光器的增益介质为所述单晶钙钛矿,所述单晶钙钛矿为有机-无机杂化单晶钙钛矿,所述激光器的谐振腔包括所述光子晶体微腔和所述亚波长光栅。本发明将有机和无机杂化单晶钙钛矿、光子晶体微腔和亚波长光栅三者有机结合,在横向和纵向上实现对光子的局域和调控,实现一种具有高Q值、低阈值、垂直面发射以及波长可调谐的激光器。

2021-10-08

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发光元件阵列芯片、发光装置、光学装置和信息处理装置

一种发光元件阵列芯片,其具备：低功率用发光元件阵列,该低功率用发光元件阵列具有第一基板,形成在所述第一基板上的发光元件层,以及与所述发光元件层电连接的第一阴极电极；以及高功率用发光元件阵列,该高功率用发光元件阵列具有第二基板,形成在所述第二基板上的非p型下部反射镜,以及与所述非p型下部反射镜电连接的第二阴极电极,其中,所述低功率用发光元件阵列设置在所述高功率用发光元件阵列的射出面侧。

2021-09-28

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