一种放大器系统具有第一和第二交错的半桥级和耦合电感器。所述耦合电感器具有初级绕组和次级绕组,所述初级绕组的第一端在第一节点处耦合至所述第一半桥级,所述初级绕组的第二端耦合至负载,所述次级绕组的第一端耦合至所述负载,所述次级绕组的第二端在第二节点处耦合至所述第二半桥级。电感器电路耦合在所述第一和第二半桥级与负载电路的第一端之间。

本发明公开了一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路,其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构,其中,输入级采用二级级联共栅结构,用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；中间级采用分布式共源放大器结构,用于实现信号的宽带延展与信号放大,输出级采用功率放大器设计结构,用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能。本发明实现了在宽频带500MHz～2.5GHz频率范围内宽带高线性工作,性能良好,实现基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器,可实现后续整个系统的单片集成。