本发明公开一种单平衡吸收式限幅器。该限幅器包括：lange耦合器、第一级对管、第二级对管、第三级对管、第四级对管、第五级对管、第六级对管、输入端口、隔离输出端口、耦合输出端口和直通输出端口；其中,输入端口通过微带线连接lange耦合器的输入端口；lange耦合器的隔离端口通过微带线连接隔离输出端口；lange耦合器的耦合端口通过微带线连接第一级对管；第一级对管通过微带线连接第二级对管；第二级对管通过微带线连接第三级对管；第三级对管通过微带线连接耦合输出端口；lange耦合器的直通端口通过微带线连接第四级对管；第四级对管通过微带线连接第五级对管；第五级对管通过微带线连接第六级对管；第六级对管通过微带线连接直通输出端口。

本发明公开了一种大功率波导限幅器,其包括波导盒体,集成在波导盒体内的矩形波导以及与矩形波导相接的耦合检波装置和减高波导；减高波导上阶梯依次搭设有PIN开关二极管组件、一级PIN限幅二极管组件和二级PIN限幅二极管组件,且一级PIN限幅二极管组件和二级PIN限幅二极管组件中的PIN限幅二极管的设置方向相反。该大功率波导限幅器既提高了限幅器的功率容量,又降低了尖峰泄漏,还加快了限幅器的恢复时间,具有较小的限幅电平和较快的恢复时间。

描述了许多单片二极管限制器半导体结构。二极管限制器可以包括具有不同本征区的二极管的混合排列,所有二极管都形成在相同的半导体衬底上方。在一个示例中,二极管限制器半导体结构中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区,而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许单独优化薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管二者。薄本征区PIN二极管可以针对低电平导通和平坦泄漏进行优化,而厚本征区PIN二极管可以针对低电容、良好的隔离和高入射功率水平进行优化。这种配置不限于两级解决方案,因为额外的级可以用于更高的入射功率处理。