氧化物;氢氧化物
一种提取钨的方法及其应用
本发明公开了一种提取钨的方法及其应用,该提取钨的方法包括:将钨原料与pH为4.5-9.0的钨酸盐溶液混合后,加热反应将钨溶出,随后固液分离,再将滤液进行后处理,即得钨产品;后处理具体为,将滤液分为两部分,一部分通过蒸发结晶法、离子交换法、溶剂萃取法和与酸反应中的至少一种,制备得到钨产品,另一部分则加入碱调节pH后返回,与钨原料反应。本发明所提供的提取钨的方法利用钨酸根的自配位能力从粗钨酸中溶解钨,其溶解钨的能力很强,且溶解试剂为钨冶炼流程中产生的钨酸盐溶液;该提取钨的方法工艺简单,条件温和可控,经济性和环保性好,适用于包括白钨矿、黑钨矿和含钨废弃物在内的钨原料中钨的提取,实际应用前景广阔。

2021-11-02

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一种钨、镧双掺杂共包覆的三元正极前驱体及其制备方法
本发明公开了一种钨、镧双掺杂共包覆的三元正极材料前驱体,包括基体和包覆于基体表面的包覆层,基体的分子式为Ni-(x)Co-(y)Mn-(z)W-(p)La-(q)(OH)-(2),包覆层为WO-(3)与La-(2)O-(3)的复合物包覆层。W和La掺杂有利于提高前驱体的稳定性;同时,前驱体外层区域高温煅烧过程中形成的与前驱体内部相同元素掺杂构成的WO-(3)和La-(2)O-(3)混合包覆层结构可以使外层的氧化物和内部的前驱体结构结合的更为紧密,显著减少纳米氧化物层的脱落问题,使得钨、镧双掺杂共包覆方法发挥协同效应,综合提升锂离子电池三元前驱体的结构稳定性。还提供一种该前驱体材料的制备方法,该制备方法工艺简单、成本低、流程短、操作简单,适用于工业化生产。

2021-10-29

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一种从废钒钛基SCR催化剂中回收钒钨钛的方法
本发明涉及催化剂回收技术领域,公开了一种从废钒钛基SCR催化剂中回收钒钨钛的方法。该方法包括以下步骤:(1)将第一部分废钒钛基SCR催化剂与第一酸溶液进行第一酸浸反应,得到第一浸出液和第一浸出渣;(2)将第一浸出液与第二部分废钒钛基SCR催化剂进行第二酸浸反应,得到第二浸出液和第二浸出渣;以及将第一部分第一浸出渣与碱性溶剂I进行第一碱浸反应,得到第三浸出液和第三浸出渣;(3)将第三浸出液与第二部分第一浸出渣进行第二碱浸反应,得到第四浸出液和第四浸出渣;以及将第三浸出渣与碱性溶剂II进行第一接触反应。本发明提供的方法能够显著提高钒元素、钨元素的回收率和二氧化钛的纯度。

2021-10-22

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一种富含氧空位三氧化钨的制备方法及其在光催化反应中的应用
本发明公开了一种富含氧空位三氧化钨的制备方法及其在光催化反应中的应用,其以富含氧空位三氧化钨为催化剂,苯为原料,氧气为氧化剂,在一定条件下进行取代苯的羟基化反应。开发了制备富含氧空位三氧化钨光催化剂的一种简便方法,将光生载流子分离和氧气分子的光催化活化过程高效耦合,促进氧气分子吸附活化,从而提高绿色制备苯酚的效率。该发明操作简单,反应条件温和,可重复性高,反应周期短,循环稳定性较高,不需要复杂昂贵的设备,具有一定的工业应用前景。

2021-10-22

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一种锂离子电池正极材料及其制备方法
本发明涉及锂离子电池正极材料技术领域,尤其涉及一种锂离子电池正极材料及其制备方法。本发明提供了锂离子电池正极材料,所述锂离子电池正极材料包括LiCoO-(2)和包覆在所述LiCoO-(2)表面的铌钨氧化物;所述LiCoO-(2)中掺杂有Al、Nb和W三种元素。所述锂离子电池正极材料在高倍率充放电条件下具有较高的循环稳定性。

2021-10-19

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WO-(3)纳米片及其制备方法和气敏传感器
本发明涉及气敏材料领域,公开了一种WO-(3)纳米片及其制备方法和气敏传感器。本发明的WO-(3)纳米片的制备方法包括:1)在碳原子数为6-10的有机烷烃溶剂存在下,使碳原子数为7-10的有机胺和钨酸进行第一接触反应,得到第一接触反应后的产物;2)使步骤1)得到的第一接触反应后的产物与无机酸进行第二接触反应,得到H-(2)WO-(4)纳米片;3)将所述H-(2)WO-(4)纳米片进行煅烧,得到WO-(3)纳米片。该方法制备得到的WO-(3)纳米片用作气敏材料时,其抗湿性能十分优异,并且该方法简单,能够实现宏量制备WO-(3)纳米片。

2021-10-19

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WO-(3)纳米线及其制备方法和气敏传感器
本发明涉及气敏材料领域,公开了一种WO-(3)纳米线及其制备方法和气敏传感器。本发明的微波合成WO-(3)纳米线的方法包括:1)在微波下,使钨卤化物盐与碳原子数为1-4的醇进行热处理,得到热处理后的产物的步骤;2)将步骤1)得到的热处理后的产物进行固液分离,并将固液分离得到的固相进行煅烧的步骤。通过本发明的微波合成WO-(3)纳米线的方法,其极大缩短了合成时间,而且合成的纳米线分布均匀,气敏性能更好。

2021-10-19

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掺杂WO-(3)纳米线及其制备方法和气敏传感器
本发明涉及气敏材料领域,公开了一种掺杂WO-(3)纳米线及其制备方法和应用,以及使用该掺杂WO-(3)纳米线的气敏传感器。本发明的掺杂WO-(3)纳米线包括WO-(3)纳米线以及掺杂在所述WO-(3)纳米线中的金属和/或金属氧化物,所述金属为Au、Ag、Pt和Pd中的一种或多种,所述金属氧化物为SnO-(2)、Fe-(2)O-(3)、TiO-(2)、CuO和ZnO中的一种或多种。根据本发明的掺杂WO-(3)纳米线,其长径比高、气敏性能优异。

2021-10-19

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自加热气体传感器、气敏材料及其制备方法和应用
本发明涉及材料领域,公开一种气敏材料及其制备方法和应用,以及使用了该气敏材料的基于焦耳原理的自加热气体传感器。所述气敏材料为碳材料和金属氧化物复合而成的碳材料金属氧化物复合纳米材料,所述碳材料金属氧化物复合纳米材料中的碳材料的含量为0.5-20重量%,金属氧化物的含量为80-99.5重量%。本发明的气敏材料的电阻较低,可以在较低的工作温度下对多种气体发生响应,同时不需要外部加热,仅仅靠测量电路的焦耳热实现自加热,并且功耗更低。

2021-10-19

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氧化钨粉末和氧化钨粉末的制造方法
一种氧化钨粉末,其长径的平均粒径是10μm以下,平均纵横比是10以下,在一次粒子的短径方向的表面或断面中,晶体缺陷在每单位面积9nm~(2)中是0个以上且4个以下。另外,优选沿着长径具有六边形隧道结构。另外,优选氧化钨粉末具有氧缺损。由此,能够使嵌入性能提高。

2021-10-01

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