本发明公开了一种C/TiC/TiN/TiAlN复合涂层制备装置及其方法。本发明提出的装置主要包括弧光放电等离子体装置、射频等离子体装置和磁过滤筛选装置三部分,充分组合利用三部分的技术优势,从而达到制备优质涂层的目的。本发明提供的复合涂层的制备方法,包括以下步骤：将固态源进行弧光放电后得到弧光放电等离子体；将气态源进行射频处理后得到射频等离子体；将所述两种等离子体经过磁过滤去除较大颗粒后共沉积在基底表面,从而得到复合涂层。本发明提供的制备方法为制备不同成分的复合涂层提供了新的合成思路,且制备得到的复合涂层材料具有高均匀性,高致密性以及优异的机械性能。

本发明涉及一种在大长径比(L/D)或小直径金属筒(或管)内壁沉积类金刚石薄膜的设备,设备采用一个用金属丝网制作的筒(或管)状阳极,把金属筒(或管)的内壁作为阴极,在丝网阳极和金属筒(或管)内壁之间构成等离子电场,丝网阳极的中心区域构成反应气体流通通道,丝网阳极上的网孔则成为反应气体均匀分布的通道,在等离子电场中施加高电压,电场中高能电子轰击丝网阳极并产生电流。高能电子的轰击和电流使丝网阳极产生高温,对被镀金属筒内壁辐射加热。丝网阳极能够增大反应气体的通量,提高在小的电极间距下薄膜沉积的均匀性。该设备内设置了热电偶和温度显示器,调整丝网阳极的网格密度(网格尺寸)和丝线线径,使丝网阳极温度达到类金刚石薄膜材料沉积所需的温度。该技术有效解决在具有大的长径比或小直径筒(或管)中,狭窄极间距的封闭空间内反应气体流动受阻而导致放电困难,从而使薄膜沉积不均和难以成膜的问题。

一镀膜装置包括一具有一反应腔的腔室体,一支撑架,一单体释放源以及一等离子激发源。所述单体释放源具有至少一释放进口用于引入膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔。所述等离子激发源被配置于所述腔室体的所述反应腔以激发所述膜层形成材料。所述支撑架被设置以支撑一基材,其中所述支撑架被操作地在所述反应腔内移动,以引导所述基材交替地移动靠近所述单体释放源和所述等离子激发源,以避免所述膜层形成材料过度分解。

本发明涉及一种在III-V衬底上沉积高粘附性薄膜的方法,该方法结合低温薄膜沉积和中高温退火两种工艺,解决了后续在器件切割时无法通过蓝膜工序的问题。粘附性较差的氧化硅、氮化硅等薄膜会在蓝膜工序中粘在蓝膜后会被从器件表面中撕下来。同时,也解决了在金属溅射以后的退火过程之前减少了薄膜中的氢含量,避免了金属层鼓泡问题。