本公开提供了一种芯片验证方法及装置、存储介质,其中,所述方法包括：通过工具链对软件开发工具包SDK插件对应的神经网络模型进行编译,得到第一可执行文件；运行所述SDK插件对应的环境模型,得到第一金数据；通过所述SDK插件对应的参考模型运行所述第一可执行文件,得到第一执行结果,所述参考模型用于模拟所述待测芯片对应的仿真模拟器的硬件可执行程序；基于所述第一金数据和所述第一执行结果,对所述SDK插件对应的所述参考模型进行验证。

本发明属于集成电路三维封装领域,具体涉及一种TSV电镀填充添加剂本构模型的构建方法及系统。该方法包括：对电极进行预处理；配置电镀基础液和待测试添加剂,并将稀释后的电镀基础液注入五口电解池；连接电解池电路,在不同电势作用下采用计时安培法测量添加剂加入前后电镀基础液的电流-时间曲线；根据所述电流-时间曲线对电流密度进行归一化处理,获得所述添加剂的覆盖率；拟合不同电势下添加剂覆盖率随添加剂浓度的变化规律,并根据添加剂的吸附动力学构建本构方程,本发明实验步骤简单,成本低,且获得的本构模型可靠性高。