发光元件

本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

2021-11-02

访问量：63

深紫外LED芯片及其制造方法

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：外延结构,具有相对的第一表面和第二表面,外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层,P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；多个接触孔,自外延结构的第一表面向第二表面延伸,多个接触孔的底部位于P型半导体层中；以及多个金属纳米层,位于相应接触孔中,金属纳米层与P型半导体层接触。该深紫外LED芯片在接近量子阱层的P型半导体层中设计多个接触孔,并在其中制备金属纳米层实现局域表面等离子激元效应,同时利用P型硅纳米层提供空穴,提升深紫外LED芯片的内量子效率。

2021-11-02

访问量：33

深紫外LED芯片及其制造方法

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：外延结构,具有相对的第一表面和第二表面,外延结构包括P型半导体层、N型半导体层以及P型半导体层与N型半导体层所夹的多量子阱层,P型半导体层暴露于外延结构的第一表面；以及P型半导体层的空穴补偿层,位于外延结构的第一表面。该深紫外LED芯片利用P型半导体层的空穴补偿层保证了P型半导体层获得较高的空穴浓度的同时,减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

2021-11-02

访问量：33

深紫外LED芯片及其制造方法

本申请公开了一种深紫外LED芯片及其制造方法,该深紫外LED芯片包括：衬底；外延结构,位于衬底上,从下到上依次包括N型半导体层、多量子阱层以及P型半导体层；以及金属纳米线层,位于P型半导体层上,其中,金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层。该深紫外LED芯片利用金属纳米线层作为P型半导体层的欧姆接触层,从而减少了深紫外LED芯片内部结构对深紫外光的吸收。

2021-11-02

访问量：50

一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片

本发明提供了一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片,包括：透明衬底；设置在所述透明衬底一侧的外延层,所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层,所述第一方向垂直于所述透明衬底且由所述透明衬底指向所述外延层；设置在所述外延层侧壁的第一电极和第二电极,所述第一电极与所述N型半导体连接,所述第二电极与所述P型半导体连接。该LED芯片通过采用设置在外延层侧壁上的第一电极和第二电极,替换掉常规LED芯片的表面电极结构,进而极大程度的提高了LED芯片的发光区面积,并且,采用透明衬底实现了LED芯片的双面透明出光,以此提高LED芯片的出光效率。

2021-10-26

访问量：39

发光元件及该发光元件的制造方法

发光元件包括：基板；多个突出图案,从所述基板突出；第一半导体层,设置于所述基板上；活性层,设置于所述第一半导体层上；及第二半导体层,设置于活性层上,其中,各突出图案包括：第一层,与所述基板形成为不分离的一体,并且从所述基板的上表面突出；及第二层,设置于所述第一层上,利用与所述第一层不同的材料构成。

2021-10-26

访问量：32

发光元件及该发光元件的制造方法

发光元件包括：基板；多个突出图案,从所述基板突出；第一半导体层,设置于所述基板上；活性层,设置于所述第一半导体层上；及第二半导体层,设置于活性层上,其中,各突出图案包括：第一层,与所述基板形成为不分离的一体,并且从所述基板的上表面突出；及第二层,设置于所述第一层上,利用与所述第一层不同的材料构成。

2021-10-26

访问量：31

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法,属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层以及P型接触层；复合P型层包括依次层叠在有源层上的第一复合层和第二复合层,第一复合层为氮化镓层,第二复合层为P型氮化镓层,有源层的与第一复合层接触的一面上具有多个凸起,且多个凸起穿过第一复合层,位于第二复合层内,多个凸起为氧化镓材料。该发光二极管外延片可以减少Mg的掺杂,改善小电流下空穴的扩展和有效注入,提高外延片的发光效率。

2021-10-19

访问量：49

发光装置以及制造发光装置的方法

本发明涉及发光装置以及制造发光装置的方法。用于发射UVC辐射的发光装置。该装置包括基底和图案化层。图案化层包括在基底上的多个掩模区。基底的暴露部分设置在掩模区之间。多个纳米结构设置在基底的暴露部分上和掩模区之上,多个纳米结构是单晶半导体并包括核芯尖端。有源层设置在多个纳米结构之上。有源层为量子阱结构,并包括选自AlN、AlGaN和GaN中的至少一种材料。p掺杂层设置在有源层之上。有源层和p掺杂层两者都与多个纳米结构共形,以便在核芯尖端之上形成发射器尖端。

2021-10-12

访问量：45

发光元件和包括其的显示装置

一种发光元件可以包括发射堆叠图案,发射堆叠图案包括在一个方向上堆叠的第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层。这里,活性层可以包括在发射堆叠图案的纵向方向上与第一导电半导体层接触的第一表面以及与第二导电半导体层接触并同时与第一表面相对的第二表面。第一导电半导体层可以包括至少一个n型半导体层,并且第二导电半导体层可以包括至少一个p型半导体层。此外,第一活性层的第一表面在发射堆叠图案内在发射堆叠图案的纵向方向上可以位于与发射堆叠图案的总长度的一半的-20％至+20％对应的点处。

2021-09-28

访问量：38