本发明公开一种发光元件,其包含半导体结构,包含第一半导体层、第二半导体层位于第一半导体层上、及活性层位于第一半导体层和第二半导体层之间,且第二半导体层包含第一边缘；第一绝缘结构,位于第二半导体层上接触第一边缘,且包含开孔于第二半导体层上；反射结构,位于第一绝缘结构上并通过开孔电连接第二半导体层,且包含外侧边；以及第二绝缘结构,位于第一绝缘结构及反射结构上,且包含第一绝缘开口暴露第一半导体层,以及第二绝缘开口暴露反射结构,其中,反射结构覆盖于第一绝缘结构的一部分,且位于第一绝缘结构和第二绝缘结构之间。

本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种反射电极、显示装置及反射电极制备工艺。所述反射电极包括：第一导电层；第二导电层,位于所述第一导电层一侧；以及,导电反射层,为可变形结构,所述导电反射层形成于所述第一导电层和所述第二导电层之间,所述第一导电层和所述第二导电层可受控地驱动所述导电反射层形变,以此改变所述反射电极的反射角度；所述显示装置包括衬底以及上述的反射电极；上述反射电极的制备工艺包括：在第一导电层上形成可变形的导电反射层；在导电反射层背离第一导电层的一侧形成第二导电层。上述反射电极的导电反射层为可控的变形结构,因而在白天或者夜晚时,可以具有不同的反射角度,从而实现可变形的2D-3D显示。

本发明提供一种电极共面LED基板及其制备方法,该电极共面LED基板包括：绝缘衬底；贯穿所述绝缘衬底的P型引出电极和N型引出电极；以及位于所述绝缘衬底一侧的导电粘结层。制备方法包括以下步骤：在所述绝缘衬底上制备贯穿所述绝缘衬底的电极通道；在所述电极通道内形成P型引出电极一和N型引出电极一；在所述绝缘衬底一侧形成粘结层。本发明可实现LED芯片电极制备于同侧,避免了以往制作电极而损失一部分发光面积,有效提升了芯片的光输出功率。

本公开提供了提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法,属于发光二极管技术领域。p焊点所连通的一次p电极位于氧化硅键合层上,且一次p电极远离衬底的表面与氧化硅键合层远离衬底的表面齐平,绝缘的氧化硅键合层本身支撑外延结构以及一次p电极。p电极与氧化硅键合层上的外延结构可以保持较为完整的状态,不易损坏。再增加与一次p电极连通的p焊点,与一次n电极连通的n焊点,金属材料构成的电极与焊点具有较好的抵抗应力的能力且难以被破坏,保证外延结构与电极、焊点之间的稳定连接,提高电极粘连质量以提高得到的红光二极管芯片的制备良率。

本公开提供了一种降低工作电压的紫外发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管技术领域。在p型AlGaN层与氧化铟锡层之间增加p型复合接触层,p型复合接触层包括依次层叠在p型AlGaN层上的Mg接触子层、MgN子层、p型GaN子层与p型InGaN子层。Mg接触子层降低电阻,提高空穴浓度。MgN子层中具有较高的空穴浓度而整体电阻较低。MgN子层过渡到p型GaN子层与p型InGaN子层,电阻降低。使发光二极管外延片整体的体电阻降低,进而降低最终得到的紫外发光二极管芯片的工作电压,提高紫外发光二极管芯片的使用寿命。

本发明提供一种发光二极管,包括：发光结构、透明导电层、第一绝缘层、第一电极层；第一电极层包括形成在所述第一绝缘层上和所述第一开口内,且经由所述第一开口与所述第一半导体层电性连接,所述第一电极层包括第一金属反射层和应力调整层,在所述第一开口内所述第一金属反射层和所述第一半导体层接触,所述第一金属反射层位于所述第一半导体层和所述应力调整层之间；其中,所述第一金属反射层和所述应力调整层含有同一种金属元素,所述同一种金属元素在所述第一金属反射层的含量大于所述应力调整层的含量。

本发明涉及半导体照明领域,公开了一种LED外延结构及其应用以及包含该结构的发光二极管及其制备方法,LED外延结构包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及p型接触层,p型接触层从下至上依次设置的p型GaN层、p型In-(a)Ga-(1-a)N层、p型Al-(b)In-(c)Ga-(1-b-c)N层和MgN层；其中,0<a<1,0<1-a<1,0<b<1,0<c<1,0<1-b-c<1。本发明中的LED外延结构中的p型接触层可以提升与p电极的欧姆接触效果,降低欧姆接触电阻,有利于多量子阱发光层的光子溢出,从而提升发光二极管的光电特性；有利于电流扩散,提升发光二极管的抗静电能力。

本发明涉及种发光二极管芯片,包括衬底、半导体发光序列层、第一电极和第二电极,所述第一电极电连接第一导电型半导体层；所述第一电极包括反射层、中间层和导电层,反射层用于反射来自发光层的光；所述的中间层包括阻挡层,阻挡层至少包括第一层和第二层,第一层比第二层更接近导电层,第一层和第二层均包括有Pt金属层,且第一层中Pt金属层的厚度大于第二层中Pt金属层的厚度,以解决电极结构中金属互溶的问题。

给出一种发射辐射的半导体芯片(1),其具有：-包括辐射出射面(2)(2)的彼此分离的发射极区域(3),-外延的半导体层序列(4),其包括有源区域(5),其中每个有源区域(5)被构建为用于从相应的发射极区域(3)发射电磁辐射,以及-与辐射出射面(2)对置的安装面(6),其中安装面(6)包括多个第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8),其中-每个有源区域(5)能够分别利用第一可焊接接触面(7)和第二可焊接接触面(8)来通电,-第一可焊接接触面(7)布置在安装面的内部区域(9)中,以及-第二可焊接接触面(8)布置在安装面的边缘区域(10)中。此外,给出一种具有这种半导体芯片(1)的发射辐射的半导体元件(20)和一种探照灯。

本公开提供了一种提高发光效率的紫外发光二极管芯片及其制备方法,属于发光二极管技术领域。将提高发光效率的紫外发光二极管芯片中与p型GaN欧姆接触层相接触的,p型氮化镓材料、氧化钼材料与Al金属材料之间可具有较好的粘附性；氧化钼的功函数与p型氮化镓的费米能级较为接近,氧化钼层可以与p型GaN欧姆接触层之间形成良好的欧姆接触,使得p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低,p电极与p型GaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低。另外氧化钼在短波紫外波段具有较高的透过率,提高紫外发光二极管的外量子发光效率。最终可以得到发光效率有效提高且性能稳定的紫外发光二极管。