本申请公开一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板包括硅衬底层(1)、二氧化硅层(2)和单晶压电层(3),其中,所述硅衬底层(1)的表面被损伤形成损伤层(4),所述损伤层(4)与所述二氧化硅层(2)接触,本申请提供的方法将高温工艺步骤设置于损伤层(4)形成之前,并透过所述二氧化硅层(2)“远程隔空”制备损伤层(4),使得所述二氧化硅层(2)的厚度均匀性好,损伤层(4)中用于捕获载流子的缺陷密度大,所述复合单晶压电基板的结构稳定,能够有效捕获由于硅衬底层(1)与二氧化硅层(2)界面上不可避免的缺陷而生成的载流子,从而提高基于所述复合单晶压电基板制得器件的性能。