阅读说明：本技术 半导体器件及其制造方法 ([db:专利名称-en]) 是由 秋元健吾 本田达也 曾根宽人 于 2006-09-29 设计创作，主要内容包括：本申请的发明名称为“半导体器件及其制造方法”。本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管,以低成本提供一种半导体器件及其制造方法,而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一,在衬底上形成栅极,覆盖栅极地形成栅极绝缘膜,在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜,并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜,其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。([db:摘要-en])

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