本发明涉及一种雷达隐身方法。主要是为解决目前用玻璃纤维加强聚酯树脂复合材料涂敷在低速运动武器平台表面实现雷达隐身,这种材料不能耐受高温,对高速运动的武器不合适的问题而发明的。以三氟化硼、甲烷、氢气为原料,氦为载气,生产碳化硼纳米颗粒。以三氟化硼、氨、氢气为原料,氦为载气,生产氮化硼纳米颗粒。以高纯碳化硅为原料,以氦为载气,生产碳化硅纳米颗粒。以高纯硅粉和高纯氮气为原料,以高纯氮气为载气,生产氮化硅纳米颗粒。用等离子喷镀法将上述碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅四种纳米颗粒以各种组合方式,在目标物表面喷镀一层至数层。优点是隐身性能优异,适合于高速运动武器平台的雷达隐身。

本发明提供一种制备高纯度α-氮化硅粉的方法及高纯度α-氮化硅粉,所述方法包括：在粒径为100微米以下级别的细硅粉中加入催化剂,所述催化剂能在制备氮化硅粉的反应条件下以可逆反应生成金属合化物,并使得具有金属卤化物存在；将加入了催化剂的细硅粉置于氮化炉中,在氮气和氩气的混合气氛下,于温度为1050℃-1400℃的条件下保温50-180小时,以发生氮化反应得到氮化硅粉。本发明所述的方法,通过以可逆反应形成可挥发金属卤化物的催化剂在粉末颗粒表面间往返输运,在多个位点反复起催化作用,以较少金属杂质充分催化表面反应的特殊效果,保障了产品的纯度,并提高了产物的α相含量,满足了高纯氮化硅粉的要求。

本发明公开了冶金技术技术领域一种用高温氮气保护推板窑生产高纯氮化硅粉的工艺方法,将高纯硅粉研磨至200目以上,将高纯硅粉与粘结剂混合搅拌后通过成型机进行成型造粒；将成型的高纯硅粒放入坩埚中送入推板窑进行连续生产；高纯硅粒先经过预热区预热,再缓慢经过进入氮化区,压缩氮气通过从降温区往预热区逆向进入,可以进行充分渗氮,最后烧结后的产品进入冷却区；研磨成高纯氮化硅粉；本发明用高温氮气保护推板窑生产出来的产品纯度高,质量稳定。因是连续化生产,人工成本低,单位能耗少,产量大。用氮化硅坩埚盛放,氮化硅球球磨不引入其他杂质。

本发明公开了一种氮化硅粉末的制备方法及其设备,包括对硅粉原料的输送,在反应箱的内部通入氮气,利用二氧化碳激光器对硅粉原料进行照射处理,硅粉和氮气产生光化学反应,得到氮化硅粉末,涉及化学合成技术领域,本发明是通过采用二氧化碳激光器发射二氧化碳激光,对硅粉进行照射,由于硅材料在10.7μm处有一个很强的红外吸收谱,通过二氧化碳激光10.6μm波长符合硅的吸收峰,利用硅材料10.7μm的吸收峰吸收二氧化碳激光的能量,在含有充分氮气的反应箱中产生光化学反应,得到氮化硅粉末,相较于现有技术,在大幅度提高氮化硅粉末制备效率的同时,降低了氮化硅粉末的制备成本,进而有效提高氮化硅粉末的制备生产效率。