本发明涉及清洗剂技术领域,尤其涉及一种珠宝清洗剂及其制备方法。珠宝清洗剂按质量百分比计,其组分包括酸性溶液3～8%、水30～50%、有机溶剂5～10%、渗透剂5～15%、缓蚀剂4～10%、光亮剂25～50%、气味调节剂0.1～0.5%。所述制备方法包括如下步骤：将水和渗透剂搅拌均匀,缓慢加入酸性溶液并搅拌均匀,依次加入缓蚀剂、有机溶剂、光亮剂并搅拌均匀,加入气味调节剂,搅拌均匀后得到所述清洗剂成品。本发明的珠宝清洗剂对饰品本身无损伤,具有温和、快速、高效的优点。通过光亮剂和缓蚀剂的协同作用,同时还具有耐腐蚀、增亮的作用。添加的气味调节剂,很好的掩盖了清洗剂中令人不愉快的气味,改善了清洗剂的使用体验。

本发明涉及一种用于在半导体晶圆清洗过程中的清洗液,包括所述清洗液按照以下质量百分比的原料制成：胍或胍的衍生物的质量百分比1～20％,链烷醇胺的质量百分比1～20％,抗氧化剂的质量百分比0.1～10％,可选的含氮杂环的金属腐蚀阻止剂的质量百分比0.01～5％。本发明中的清洗液不含季铵碱。该清洗液除了可以有效去除抛光后铜晶片表面残留的研磨颗粒、金属离子等残留并不对铜表面明显腐蚀,该清洗液可以对在半导体高级节点中使用的钴的阻碍层具有保护性能。