本发明属于二维材料与器件领域,公开了一种低功耗纳米SnS-(2)柔性阻变存储器及其制备方法,具体技术方案为：首先水热法合成SnS-(2)花状微米球,将其通过液相剥离法制备SnS-(2)纳米片,并将纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA高分子材料复合制备SnS-(2)/PMMA薄膜,将复合薄膜作为阻变介质层材料制备Ag/[SnS-(2)/PMMA]/Cu柔性阻变存储器。其开关比和耐受性两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平,Set/Reset电压远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用。当器件从高阻转变为低阻时,此器件的功耗极低。SnS-(2)层的厚度约为80 nm,本发明制备的导电细丝型阻变存储器的小型化具有很大潜力。

本发明公开了一种基于无机分子晶体的忆阻器件、制备方法及其应用。所述忆阻器件包括：自下而上依次排列的衬底、底电极层、介质层、活性金属层和顶电极层,其中所述介质层包括无机分子晶体薄膜、活性金属掺杂的无机分子晶体薄膜和二维无机分子晶体单晶中的一种。本发明中首次将无机分子晶体材料应用到忆阻器件中,填补了无机分子晶体在忆阻器研究中的空缺。本发明的忆阻器以无机分子晶体作为介质层,并通过活性金属扩散形成导电细丝,符合电化学金属化阻变机制。本发明的忆阻器具有置位电压低、功耗低、开关比大等优点。

本发明属于微电子及光电子技术领域,公开了一种PbS同质结器件及其制备方法,其中的PbS同质结器件包括衬底以及位于该衬底上的N型PbS薄膜(3)、P型PbS薄膜(5),N型PbS薄膜(3)与衬底的上表面接触；P型PbS薄膜(5)与N型PbS薄膜(3)紧密连接,该P型PbS薄膜(5)是通过对N型PbS薄膜(3)部分掺杂得到的,由此形成PbS同质PN结。本发明通过对器件的材料组成、结构及对应的器件制备方法的整体工艺流程设计等进行改进,利用N型PbS薄膜和P型PbS薄膜形成PbS同质PN结,得到一种新型的基于PbS的同质结器件,尤其可作为探测红外波段的光电探测器。

本发明属于等离子体刻蚀技术领域,公开了一种形成耐等离子体涂层的方法、形成耐等离子体涂层的装置、用于等离子体反应装置的零部件和等离子体反应装置。其中,等离子体反应装置包括反应腔,反应腔内为等离子体环境,零部件暴露于等离子体环境中,零部件包括零部件本体和耐等离子体涂层,零部件本体具有孔结构,耐等离子体涂层位于零部件本体表面和孔结构的内表面。本发明实施例提供的零部件,在零部件的实际使用过程中,其孔结构的内表面的耐腐蚀涂层不容易被等离子体轰击而产生脱落现象,进一步降低因耐等离子体涂层脱落而引发的金属污染的风险,能够提高零部件的服役寿命,并提升等离子体刻蚀制程的良率。

本发明涉及铜箔制备领域,具体涉及一种带树脂层的极低粗糙度的极薄铜箔及其制造方法。所述极薄铜箔包括树脂层、基础铜层和极薄铜层,其中基础铜层在树脂层和极薄铜层之间,基础铜层通过蒸镀或溅镀的方式附着在树脂层上,极薄铜层通过电镀的方式附着在基础铜层上。本发明使用溅镀或蒸镀的手段在树脂表面先形成一层基础铜层,然后进一步在基础铜层上电镀极薄铜层,得到的铜层和树脂之间相容性好,附着力强。

本发明提供一种半导体器件表面金属化工艺,该工艺包括以下步骤：S1、对待金属化的硅片进行表面处理；S2、对表面处理后的硅片进行化学镀镍处理,在硅表面形成镍磷金属层；S3、将带有镍磷金属层的硅片放入高温炉中,通入保护气体进行高温合金,在硅片表面形成合金层；S4、采用蒸发银工艺对带有合金层的硅片进行真空蒸发,在合金层外形成银金属层,完成金属化工艺。本发明通过化学镀和蒸发镀银两者工艺结合,利用化学镀成本低的优势结合上蒸发工艺环境污染小,表面金属稳定性好,安全生产风险低等优势来实现半导体器件表面金属化。

本发明公开了一种导电薄膜的加工系统及制备工艺,涉及基材镀膜技术领域；包括第一真空磁控镀膜装置,用于在薄膜的表面形成磁控溅射合金层；第二真空磁控镀膜装置,设置在第一真空磁控镀膜装置后方,用于在磁控溅射合金层的外表面形成第一镀铜层；第二镀铜层成型装置,设置于第二真空磁控镀膜装置后方,用于在第一镀铜层的外表面形成第二镀铜层；水镀装置,设置在第二镀铜层成型装置的后方,用于在第二镀铜层外表面形成增厚导电铜层；本发明的有益效果是：提高了铜层表面的均匀性和致密性,提高了导电薄膜的品质。

本发明公开了一种二氧化碳激光超硬膜及其制备方法,二氧化碳激光超硬膜的膜层结构为：SUB/aHbLcHdM/A,其中,SUB代表ZnSe基底、A代表空气、H代表Ge、L代表ZnS、M代表DLC；a、b、c和d代表每层的四分之一参考波长光学厚度的系数。本发明二氧化碳激光超硬膜,用极少的间隔膜层,得到了光学性能优良、制备重复性好、膜层附着力强、耐摩擦的激光超硬增透膜,该增透膜在10.6μm和9.4μm波段的透过率均>99.5％,满足了激光的保护窗的使用要求。

本发明涉及一种蒸镀设备,更具体的说是一种防止堵塞的蒸镀设备,包括清洁上箱体机构、蒸镀下箱体机构、防堵接真空泵机构,设备能够进行清理蒸镀空间,设备能够排出废液,设备能够进行蒸镀,设备能够保证真空泵的良好使用,所述的清洁上箱体机构与蒸镀下箱体机构相连,蒸镀下箱体机构与防堵接真空泵机构相连。

本发明提供一种可降解增强镀铝膜及其制备方法,包括基材和蒸镀在基材表面的铝膜层,其特征在于,所述基材包括可降解塑料层和增强纤维层,所述可降解塑料层由PBAT、PLA、淀粉和添加剂混料造粒形成的母粒吹膜成型而得,所述增强纤维层由木质素-纤维素浆料喷涂在可降解塑料层而得。本发明解决了现有技术中镀铝膜可降解与强度低不能兼容的难题。