基座包括板状部件、用于加热所述板状部件的第一部的第一加热器、用于加热所述板状部件的第二部的第二加热器以及用于使所述第一部和所述第二部在所述板状部件的上表面侧彼此绝热的绝热部。

本发明涉及无源器件自动加工领域,具体是涉及一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法,包括工作台、反应腔、固定组件、旋转组件和制备机构,将半导体衬底放入其中一个反应腔中,通过固定组件使得半导体衬底无法移动,通过反应腔提供制备的密闭空间,同时启动旋转组件和第一制备组件,旋转组件驱动固定组件转动,第一制备组件在反应腔充入化学气体,在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层,完成后将半导体衬底取出放入另一个反应腔内,通过第二制备组件在反应腔充入化学气体,在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层,从而获得无源器件样品,操作简单,同时两个反应腔分别制备,提高了制备的效率。

本发明公开了一种镀膜方法,包括以下步骤：向工艺腔室内输入待镀膜工件；对所述工艺腔室内的待镀膜工件进行预热,预热过程中采用氩等离子体对所述工艺腔室的内壁进行预清洗处理,以减少工艺腔室内镀膜颗粒污染；将经过预清洗处理后的所述工艺腔室抽至镀膜所需的底压,在所述工艺腔室内对待镀膜工件进行镀膜。在镀膜工艺前,采用氩等离子体对所述工艺腔室的内壁进行预清洗处理,可以使工艺腔室内壁较为松动的薄膜提前脱落,留下附着力良好的薄膜,进而大幅度降低镀膜工艺过程中的膜颗粒的掉落风险；而且,氩等离子处理过程中对工艺腔室有一定的升温作用,可缩短待镀膜工件在工艺腔室中的加热过程,不会影响生产效率。

本发明涉及一种用于对基材进行热处理的设备和方法,设备具有可由加热装置(13)加热的和可由转动驱动器(20)围绕转动轴线(A)转动驱动的用于容纳至少一个基材的基座(5)。为了补偿转动的基座(5)上的局部的温度差异,设置有器件(14、14’、15、16),所述器件用于局部限制从或到基座(5)的热传输,并且与基座(5)的转动运动同步地影响热传输。尤其规定,通过馈入开口(14’)以脉冲方式周期性地将具有变化的导热特性的调温气体馈入基座(5)和冷却机组(30)之间的间隙(10)中。

本发明涉及一种在III-V衬底上沉积高粘附性薄膜的机台及其工艺,包括主腔室,在主腔室的顶部设置支撑座,主腔室的底部安装升降装置,升降装置与支撑座相对设置,且在升降装置与支撑座相对的位置安装载片台；支撑座呈U型,在其U型凹槽内嵌设催化丝,主腔室的一侧分别开设第一进气口和抽气口,其中第一进气口用于通入反应气体,抽气口与泵体连接相通；主腔室的另一侧开设第二进气口,其与远程等离子发生气模块连通；本发明装置可以保证工艺质量的同时,提高腔室的洁净度。

本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括：天棚；石墨基座,位于天棚的下方,天棚与石墨基座之间形成气体流道,石墨基座的上表面设有多个凹槽,凹槽的侧壁上设有进气口；多个石墨盘,分别设置于对应的凹槽内,进气口位于石墨盘上方；多个盖板,分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方,盖板关闭时遮盖对应的石墨盘；第一气路,穿过天棚连通气体流道；第二气路,穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长,提高研发的效率。