具体实施方式

以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。

为了解决自动制备无源器件的技术问题，如图1-13所示，提供以下技术方案：

一种用以制备无源器件的自动化设备，包括：

工作台1，用于提供设备放置的容置空间；

所述工作台1还包括有：

反应腔2，位于工作台1的顶部，用于提供制备无源器件的密闭空间；反应腔2具有两个，两个反应腔2内均设有固定组件3和旋转组件4，固定组件3位于反应腔2的底部，用于固定无源器件的半导体衬底；

旋转组件4位于固定组件3的底部，用于驱动固定组件3转动；

制备机构5，所述制备机构5包括第一制备组件5a和第二制备组件5b，第一制备组件5a和第二制备组件5b分别位于两个反应腔2的顶部，

第一制备组件5a用于在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

第二制备组件5b用于在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层，从而获得无源器件样品。

首先将半导体衬底放入其中一个反应腔2内，通过固定组件3使得半导体衬底无法移动，通过反应腔2提供制备的密闭空间，同时启动旋转组件4和第一制备组件5a，旋转组件4驱动固定组件3转动，第一制备组件5a在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层，完成后将半导体衬底取出放入另一个反应腔2内，通过固定组件3使得半导体衬底无法移动，同时启动旋转组件4和第二制备组件5b，第二制备组件5b在反应腔2充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上表面上形成金属层，从而获得无源器件样品，操作简单，同时两个反应腔分别制备，提高了制备的效率。

在对半导体衬底制备提供绝缘介质层和金属层时，需要密闭的容置室，且方便将半导体衬底放置于容置室内，为了解决这一技术问题，如图1-8所示，提供以下技术方案：

所述反应腔2为圆筒状结构，反应腔2分为腔体2a和盖体2b，盖体2b的一侧设有连接轴2b1，盖体2b通过连接轴2b1与工作台1轴接，盖体2b的连接轴2b1的上方设有拉手2b3，拉手2b3与盖体2b轴接，工作台1内轴接有直线驱动器2c，直线驱动器2c的输出轴与拉手2b3轴接，盖体2b上远离拉手2b3的一侧设有把手2b2，盖体2b与腔体2a之间设置有密封圈，用于密封所述腔体2a，盖体2b的顶部设有与第一制备组件5a和第二制备组件5b相互匹配的进气孔2b4。

当盖体2b和腔体2a闭合时，通过密封圈使得反应腔2内形成密闭的空间，使得内部的气体不会溢出，便于第一制备组件5a和第二制备组件5b对于腔体2a内的半导体衬底制备绝缘介质层和金属层；盖体2b上的把手2b2便于作业人员打开盖体2b；拉手2b3通过与直线驱动器2c的输出轴轴接，通过启动直线驱动器2c，直线驱动器2c的输出轴收缩，使得拉手2b3拉动盖体2b以盖体2b的连接轴2b1的轴线为中心旋转，从而打开盖体2b，从而实现自动打开盖体2b；两个反应腔2的进气孔2b4分别与第一制备组件5a和第二制备组件5b相连接，方便第一制备组件5a和第二制备组件5b对其充入气体。

在第一制备组件5a和第二制备组件5b制备绝缘介质层和金属层的时候，化学沉积的产物落至半导体衬上，可能造成半导体衬上无法均匀的沉积反应产物，为了解决这一技术问题，如图8、图10和图13所示，提供以下技术方案：

所述旋转组件4包括旋转驱动器4a和旋转轴4b，工作台1内水平设置有隔板4c，旋转驱动器4a位于工作台1的隔板4c上，旋转轴4b位于旋转驱动器4a上方，且旋转驱动器4a的输出轴与旋转轴4b固定连接，旋转轴4b远离旋转驱动器4a的一端与固定组件3固定连接。

当第一制备组件5a和第二制备组件5b开始在半导体衬底上制备绝缘介质层和金属层时，通过启动旋转驱动器4a，旋转驱动器4a的输出轴带动了与其固定连接的旋转轴4b的转动，旋转轴4b的转动带动了与其固定连接的固定组件3的转动，从而使得固定组件3上半导体衬底也随着旋转，从而使得沉积的化学气体反应产物均匀的沉积在半导体衬底上，从而形成绝缘介质层和金属层，提高沉积的质量。

为了解决固定半导体衬底的技术问题，如图10和图13所示，提供以下技术方案：

所述固定组件3为一个圆盘状的承载台3a，承载台3a的内部为空心结构，承载台3a的上方设有若干个通孔3b，承载台3a的内部通过与外部风机连接。

当半导体衬底放置于承载台3a上后，通过外部风机的工作，将承载台3a内部的空气抽走，使得承载台3a内形成复压，因半导体衬底放置于通孔3b上，通孔3b对于半导体衬底形成吸力，将半导体衬底固定于承载台3a上，从而提高半导体衬底在承载台3a上的稳定性，同时可以使得旋转组件4在旋转承载台3a时，不会将承载台3a上的半导体衬底通过离心力将其移动，从而更加均匀的沉积化学气体反应物。

为了解决在半导体衬底上制备金属层和绝缘介质层的技术问题，如图2-5和图12所示，提供以下技术方案：

所述第一制备组件5a和第二制备组件5b的结构完全一致，均包括制备筒5a1、气管5a2、原料罐5a3和喷嘴5a4，原料罐5a3具有若干个，所有原料罐5a3均位于工作台1的旁侧，制备筒5a1位于反应腔2的顶部，制备筒5a1的顶部设有若干个制备孔，喷嘴5a4位于制备筒5a1的底部，气管5a2位于原料罐5a3和制备孔之间。

当需要制备绝缘介质层和金属层时，通过打开原料罐5a3，将原料罐5a3内的气体通过气管5a2输送至制备孔，通过制备孔将几种原料的化学气体在制备筒5a1内充分混合，再通过喷嘴5a4喷出气体，使得气体在半导体衬底上形成化学反应，最后沉积在半导体衬底上形成绝缘介质层或者金属层，第一制备组件5a用于在半导体衬底上形成绝缘介质层，第二制备组件5b用于在半导体衬底上的绝缘介质层上形成金属层。

为了解决提高绝缘介质层和金属层质量的技术问题，如图8所示，提供以下技术方案：

所述工作台1内还设有真空组件7，真空组件7包括真空泵7a和管道7b，真空泵7a位于工作台1的内部，腔体2a的底部设有抽气孔7c，两个反应腔2的抽气孔7c和真空泵7a之间通过管道7b连接，用于将反应腔2内的气体抽走。

在腔体2a的闭合的情况下，通过启动真空泵7a，通过管道7b将反应腔2内的气体抽走，使得反应腔2内处于真空状态，真空环境下生成的绝缘介质层和金属层质量更好，且可以提高制备的反应效率。

为了解决制备绝缘介质层和金属层后废气的处理的技术问题，如图1所示，提供以下技术方案：

所述工作台1的旁侧还设有废气处理装置6，用于将制备机构5产生的废气排出并处理，盖体2b的边缘上设有出气孔6b，废气处理装置6通过废气管6a5a2与盖体2b的出气孔6b连接。

由于制备机构5在制备绝缘介质层和金属层时，化学反应会产生废气，废气中含有有毒有害物质，不能随便排放，通过盖体2b上的出气孔6b通过废气管6a5a2由废气处理装置6吸取，最后通过废气处理装置6的过滤后排出，已确保废气的安全排出，以免伤害到工作人员，同时伤害大气环境。

在制备机构5制备绝缘介质层和金属层时，需要对半导体衬底进行加热，从而便于发生反应，现有技术中，一般会通过加热整个反应腔2来控制温度，但是会造成能源的大量消耗，同时增加冷却的时间，为了解决这一技术问题，如图11和图13所示，提供以下技术方案：

所述承载台3a的下方还设有加热片8a，加热片8a上也开设有圆孔8b与通孔3b相互匹配，加热片8a用于对承载台3a进行加热，加热片8a与外部电源连接。

通过连通电源，使得加热片8a的电阻发热，从而将热量传递至承载台3a，通过承载台3a加热半导体衬底，使得半导体衬底被加热促成绝缘介质层和金属层的形成，只对产物形成的半导体衬底部分进行加热，就可使得反应产物进行外延,设备结构简单，减少了能源消耗，同时缩短了冷却的时间，提高了制备效率，加热片8a上的圆孔8b为了不阻碍承载台3a的通孔3b的工作，方便承载台3a对半导体衬底进行固定。

在制备组件工作的过程中，反应产物可能与反应腔2的内壁或者承载台3a产生反应，影响绝缘介质层和金属层的制备，为了解决这一技术问题，提供以下技术方案：

所述反应腔2由不锈钢或者石英材料制成，腔体2a的内部由石英或者高温陶瓷所构成，所述固定组件3由石墨材料制成。

石墨材料制成的固定组件3能够有效的吸收从加热组件8所提供的热量，从而使得固定组件3达到制备绝缘介质层和金属层所需的温度，而且不会与反应气体发生反应，反应腔2的石英材质或者不锈钢材质，为了确保腔体2a的坚固性，在真空条件下不会损坏，同时也能耐受一定的高温不会损坏。

本发明提供的一种用以制备无源器件的自动化设备及制备方法，包括有以下步骤：

S1、将半导体衬底放入其中一个反应腔2内；

S2、通过反应腔2内的固定组件3将半导体衬底固定，使其无法移动，旋转组件4开始驱动固定组件3旋转，从而带动半导体衬底旋转；

S3、通过启动真空组件7将反应腔2内的气体抽走，使得反应腔2内处于真空状态，并通过连通电源，通过加热片8a对承载台3a进行加热，从而将热量传递至半导体衬底；

S4、启动与反应腔2对应的第一制备组件5a，第一制备组件5a对反应腔2内充入化学气体，在半导体衬底表面上进行化学反应生成绝缘介质层；

S5、反应产生的气体通过废气处理装置6回收并处理；

S6、将已制备绝缘介质层的半导体衬底放入另一个反应腔2内，重复S2和S3的步骤；

S7、启动与反应腔2对应的第二制备组件5b，第二制备组件5b对反应腔2内充入化学气体，在半导体衬底的绝缘介质层上形成金属层；

S8、重复S5的步骤。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。