公开了一种晶片温度测量方法,用于测量热处理过程中待测晶片的温度,包括：在待测晶片上形成测温晶片,所述测温晶片至少包括相变材料层；在热处理过程中获取测温晶片至少一个位置的体积变化；根据测温晶片至少一个位置的体积变化确定待测晶片的温度。本申请还公开了一种晶片温度测量装置,通过位于待测晶片上的测温晶片在热处理过程中至少一个位置的体积变化标定待测晶片上相应位置的实际温度,实现点对点的温度测量,提高测量的精准性。